SRAM和DRAM

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于 2024-09-26 16:32:16 首次发布
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目录

一、存储元件不同导致差异

1.DRAM芯片：

2.SRAM芯片：

3.对比：

二、DRAM的刷新

1.行列地址刷新

2、刷新方式

三、DRAM的地址线复用技术

1、技术原理

2、技术实现

3、优势

4、应用实例

总结

一、存储元件不同导致差异

DRAM芯片：使用栅极电容存储信息

SRAM芯片：使用双稳态触发器存储信息

  区别：存储元不一样

1.DRAM芯片：

读出1：MOS管接通，电容中存储电压1，电容放电，数据线上产生电流

读出0：MOS管接通，数据线无电流

电容放电信息被破坏，是破坏性读出，需要有重写操作。

每个存储元成本低，集成度高，功耗低。

2.SRAM芯片：

读出数据。触发器状态保持稳定，非破坏性读出，无需重写。所以读写速度快。

一个触发器存储元中含6个MOS管，成本更高，集成度低并且功耗大

3.对比：

二、DRAM的刷新

DRAM电容中存储的信息易丢失，导致数据误差，电容中的电荷只能维持2ms。即使不断电，2ms后信息也会自动消失。而SRAM就没有这种情况，不断电，触发器状态就不会发生改变。如何解决电容存储数据丢失呢。我们引入刷新这一概念，每过2ms为电容刷新一次，即是给电容充电。

1.行列地址刷新

DRAM（动态随机存取存储器）的行列地址刷新是确保DRAM中存储的数据不丢失的重要机制。由于DRAM使用电容来存储数据，而电容的电荷会随着时间逐渐流失，因此必须定期刷新来补充电荷，从而保持数据的完整性。

利用行列地址地址刷新，每次可以刷新一整行存储单元，可将传入地址拆分，前半部分为行地址，后半部分为列地址。如0000 0000 我们可以在对应的行列中找到。这样可以使每个译码器的选通线更少。 使电路变得更简单清晰。

2、刷新方式

DRAM的刷新是按行来执行的，具体方式包括集中式刷新、分散式刷新和异步刷新三种。

  1. 集中式刷新：
    • 在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新。
    • 刷新期间必须停止读/写操作，这段时间被称为“死时间”或访存“死区”。
    • 优点是实现简单，缺点是在刷新期间无法访问DRAM，影响系统性能。
  2. 分散式刷新：
    • 将对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。
    • 把机器的存取周期分成两段，前半段用于读/写或维持信息，后半段用于刷新。
    • 优点是没有明显的“死时间”，缺点是存取周期变长，系统速度降低。
  3. 异步刷新：
    • 结合了集中式刷新和分散式刷新的优点，既缩短了“死时间”，又充分利用了最大刷新间隔。
    • 在规定的刷新周期内（如2ms），对DRAM的所有行进行分散刷新，每隔一定时间（如15.6μs）刷新一行。
    • 这样，每行刷新的时间间隔仍为最大刷新间隔，但“死时间”被分散到每个刷新周期内，对系统性能的影响较小。

三、DRAM的地址线复用技术

DRAM（动态随机存储器，Dynamic Random Access Memory）的地址线复用技术是其重要的一个技术特点，主要目的是在保持工作速率的同时，减少地址线的数量，从而节省芯片引脚资源。

1、技术原理

DRAM的存储单元以矩阵的形式排列，每个存储单元由行和列地址共同确定。在寻址过程中，DRAM采用行地址与列地址分时复用的方式。这意味着在同一组地址线上，先传送行地址，确定存储矩阵中的某一行，然后再传送列地址，确定该行中的某一列，从而精确定位到具体的存储单元。

2、技术实现

分时复用：DRAM的地址线在物理上是共用的，但在时间上被划分为两部分，分别用于传输行地址和列地址。这种方式显著减少了所需的地址线数量，降低了芯片的复杂性。

寻址过程：在DRAM的寻址周期中，首先通过地址线输入行地址，选通对应的行，使该行上的所有存储单元都处于待访问状态。然后，通过同一组地址线输入列地址，进一步确定具体的存储单元，并进行读写操作。

工作速率：尽管地址线被分时复用，但DRAM的工作速率并未因此降低。这是因为DRAM的行地址和列地址本来就是需要分时传送的，所以复用技术并没有增加额外的延迟。

3、优势

    节省资源：减少了地址线的数量，降低了芯片的成本和复杂性。

    保持速率：在保持工作速率的同时，实现了高效的地址分配。

4、应用实例

在实际应用中，DRAM的地址线复用技术被广泛应用于各种存储设备中，如内存条、固态硬盘（SSD）中的DRAM缓存等。这些设备通过采用地址线复用技术，在保持性能的同时，实现了更高的集成度和更低的成本。

综上所述，DRAM的地址线复用技术是一种高效的地址分配方式，它通过分时复用地址线，减少了资源消耗，同时保持了良好的工作速率。这一技术在现代存储设备中发挥着重要作用

总结

DRAM主要用于主存 SRAM主要用于Cache

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