第1课 SiC MOSFET与 Si IGBT 基本参数对比

1. 待测SiC MOSFET介绍

       CREE 公司作为世界上SiC 半导体器件生产的领军者，率先实现了SiC 芯片的商业化，并且生产出了第一个1700V 的SiC MOSFET 模块。CREE 公司生产的SiC MOSFET 模块基本涵盖了市场上所有功率等级的产品。

        本文选用的是CREE 公司比较有代表性的1200V/60A 芯片C2M0040120D，器件采用的是非开尔文结构的三管脚封装。C2M0040120D 具有低导通电阻，寄生电容小，开关速度高等优点，并且由于有正的温度系数，易于并联使用。

        SiC MOSFET 也是一个压控型电力电子功率器件，当漏极接电源正极，源极接电源负极但栅极电压为零时，P区与N 区形成的PN 结反偏，漏极与源极之间没有电流流过，器件处于关断状态。当栅极接入正压时，栅极下的P 区的空穴会被排斥，而将P 区的电子吸引至栅极下，栅极接入的正压越大这种排斥和吸引效果越明显，电子的浓度就会越高。当 大于某个特殊电压值​​​​​​​ 时，栅极下的P 型半导体区域就会反型为N 型半导体（反型层），这样就形成了N 型导电沟道，PN 结消失，漏极与源极之间产生电流，