嵌入式老牛的博客

本文分析了SiC MOSFET的关断过程，将其划分为四个阶段：栅源电容放电阶段（t6-t7）、米勒平台阶段（t7-t8）、电压过冲阶段（t8-t9）和换流结束阶段（t9-t10）。通过等效电路详细描述了各阶段的电压电流变化特点。同时探讨了MOSFET的极间电容特性，包括输入电容Ciss、输出电容Coss和反向转移电容Crss，分析了它们对器件开关速度、损耗及电压变化速率的影响。研究指出这些非线性电容会显著影响器件的动态性能。

MOSFET开通过程可分为四个阶段：第一阶段(0-t1)栅源电容充电，电压达阈值前保持截止；第二阶段(t1-t2)MOSFET开始导通，与二极管换流，电流快速上升；第三阶段(t2-t4)进入米勒平台，漏源电压下降；第四阶段(t4-t5)退出米勒平台，进入稳定导通。整个过程以电流上升和米勒平台为关键特征，驱动电流和米勒电容决定了电压下降速度。

摘要：本文对比了SiC MOSFET和Si IGBT的输出及转移特性。输出特性方面，SiC MOSFET饱和区与线性区分界不明显，呈现压控电阻状态时间长，过流保护难度大；而IGBT则能清晰区分工作区域。转移特性显示，SiC MOSFET阈值电压较小且随温度升高进一步降低，易导致误导通，但其跨导随栅源电压增大而升高，使导通电阻减小、通态损耗降低。研究基于CREE公司的C2M0040120D SiC MOSFET和Infineon公司的IKW40N120CS6 Si IGBT进行。

本文对比分析了Cree公司1200V/60A SiC MOSFET（C2M0040120D）和英飞凌1200V/40A Si IGBT（IKW40N120CS6）的性能差异。参数对比显示，SiC MOSFET具有更低的阈值电压（2.6V vs 5.7V）、更小的导通电阻（40mΩ）、更快的开关速度（127ns vs 408ns）和更小的开关损耗，适合高频应用，但对驱动电路要求更严格。Si IGBT则在电压耐受范围（±20V）上更具优势。两款器件均具有易于并联的特点，展现了不同半导体材料在功率器件应用中的特性

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种结合了电力GTR和电力MOSFET优点的复合器件，自20世纪80年代问世以来，因其优越的性能迅速占领市场。IGBT集成了MOSFET的高输入阻抗、快速开关和简单驱动电路的特点，以及GTR的高阻断电压和大电流容量，使其在中小功率电力电子设备中成为主导器件。IGBT的结构包括门极、集电极和发射极，其工作原理基于场控机制，通过门射极电压控制导通和关断。此外，IGBT的电导调制效应在大电流条件下显著提升电导率，降低导通压降和通态损耗，增强电流能力，改善器件可靠性，适用于大功率应用

自举电容C1的值与器件的开关频率、占空比和门极电容有关，对5kHz以上的开关应用，通常采用0.1uF的电谷。外部电源Vcc与COM之间的电容C2，可以选用一个0.1uF的陶瓷电容和一个1uF的钽电容并联，而VDD与Vss之间的电容C3用一个0.1uF的陶瓷电容就足够了，这些电容的作用，一是增强电源向需要开关的容性负载提供瞬态电流的能力，二是滤除来自直流电源噪声干扰信号。IR2110的工作原理可简述如下：芯片的两个通道相互独立，即上、下两个通道输出的驱动脉冲信号分别与上、下两个通道输入脉冲信号相对应。

从HIN1~HIN3及LIN1~LIN3输入的控制脉冲经输入信号发生器整形、滤波和处理后，对应LIN1~LIN3的信号直接经输出级功率放大后，去驱动逆变桥低端的三个MOSFET或IGBT管，而对应 HIN1～HIN3的信号先经内部电平转换网络进行电平移位，再由锁存器锁存，后经功率放大去驱动逆变桥高端的三个MOSFET或IGBT管。图中R7为逆变器直流侧的电流检测电阻，它可将直流回路的电流I转化为电压信号Vs，送入芯片IR2233的过电流信号ITRIP输入端，如电流I过大，IR2233将关闭其6路驱动输出。

双路单片高速MOSFET驱动器，专门设计需要小电流的数字电路，以高转换速率来驱动大容性负载电路中的MOSFET开关，具有低输入电流，与CMOS和LSTTL 逻辑电平兼容，具有两路相互独立的推挽电路输出，包含有滞后的欠电压锁定功能，8引脚双列直插及扁平封装。用于驱动高电压、高速度的MOSFET（可用于IGBT），内部均集成了三组半桥驱动电路，可直接用于驱动三相逆变桥，具有过电流和欠电压保护功能，可关闭6个输出通道，能提供具有锁存的故障信号输出，内部集成有独立的运算放大器，输入与TTL及CMOS电平兼容。

如果器件接有感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比外部电源高的多的漏极尖峰电压，导致器件的击穿。电容在整个开关周期内几乎维持恒定的电压值，在瞬态过压时电容吸收能量，其余时间内把能量馈送给电阻器。1）如果器件接有电感性负载，最简单的防护方法是在感性负载两端反向并接一个钳位二极管，如图a所示，二极管将钳位掉大部分的瞬变电压。由于脉冲变压器很小，在很短时间内就会饱和，故耦合到其二次绕组的电压是一个正向尖脉冲，该尖脉冲使。的作用是，在开通驱动过程中，二次绕组的正向尖脉冲消失后，

而采用脉冲变压器的驱动电路, 虽然电路简单, 不需辅助电源, 但是由于变压器的工作特点, 对驱动信号占空比会有一定的要求，即在脉冲周期结束后，脉冲变压器的原边电流必须降到0。而且脉冲变压器的漏感与励磁电感将直接影响驱动电路的效率、可靠性与安全性。隔离驱动电路的缺点是需要增加辅助电源, 有的还要正负极性的电源, 这就使得电路复杂, 成本增加。隔离驱动电路按隔离方式基本上可分为光耦隔离驱动电路和脉冲变压器隔离驱动电路两类。脉冲变压器是典型的电磁隔离元件，下图使出了几种脉冲变压器驱动的形式。

由于电力MOSFET式电压驱动型器件，门极输入阻抗很高，所需驱动功率很小，所以一般的小功率TTL集成电路和CMOS电路就可以直接驱动。在实际应用中则需要重视，一般电力MOSFET的门极驱动电压在10~18V，而TTL的工作电源电压为+5V，所以TTL元件与电力MOSFET连接时则需要进行电平转换。MC14050系列是安森美（ON Semiconductor）推出的六缓冲器（Hex Buffer）集成电路，用于信号隔离、驱动增强或电平转换，属于4000系列CMOS逻辑器件。含电平控制引脚（需配置）

由于电力MOSFET的门极与其他两极之间是绝缘的，其门极绝缘层很薄，击穿电低；同时，因为门极绝缘，当门极带上电荷时，难于泄放，电荷的不断积累极易造成静电击穿。造成静电击穿的电荷源可能是器件本身，也可能是与之接触的外部带电物体，如带电人体。在干燥环境中，活动的人体电位可达数千伏。所以，人体是引起电力MOSFET静电击穿的主要电荷源之一。在电场中，由于静电感应，电力MOSFET将产生感应电场，故当器件处于强电场中时，也会发生门极击穿现象。

最好能用一个单独的大的MOSFET，而尽量不要使用由小MOSFET组成的并联组。一组n个MOSFET的功率能力永远达不到单个MOSFET功率能力的n倍如果有必要使用MOSFET并联组，要尽量少的使用MOSFET的数量，最多像基础的组那样，最多三个一组，热量应该能在组内所有MOSFET之间自由流动，因此组内MOSFET的温度就会非常接近。如果需要大量的MOSFET并联，就要使用基础组，如4=2×2组，6=3×2组。

电力MOSFET的主要参数可分为静态参数和动态参数。静态参数主要有通态电阻、开启电压、跨导、最大电压、最大漏极电流等。动态参数主要有极间电容、开关时间、门极电荷、漏源二极管特性等。下表1、表2、表3分别给出了美国国际整流器公司生产的IRF150、2N6770和IRF9140的最大额定值、特性参数和漏源体内反并联二极管特性参数。

通态电阻是电力MOSFET的重要参数，它直接影响器件的通态压降和最大输出功率。通常规定：在确定的门极电压下，电力MOSFET由非饱和区转向饱和区时的直流电阻为通态电阻。一般通态电阻由4部分组成：沟道电阻、栅漏积聚区电阻、夹断区电阻、轻掺杂漏极区电阻。通态电阻的大小与器件结构有关；沟道越长越窄、夹断区越大、轻掺杂漏极区越厚电阻率越大，越大。值得注意的是，增加轻掺杂漏极N—区的厚度和电阻率是提高器件耐压能力的关键，因此电压等级高的器件通态电阻一般较大。通态电阻。

电力MOSFET的输出特性、转移特性

MOSFET主要特点

尽管晶闸管的单管容量已经达到数千安，但对于诸如直流输电、电化学电源、冶金等行业的巨型电力电子变流装置来说，单个晶闸管的额定电流是由一定限度的，是难以满足这些场合应用需求的。当实际电路要求晶闸管通过的电流值大于单个晶闸管的额定电流时，可以用两个或两个以上的同型号的晶闸管并联使用。

单个晶闸管的额定电压是有一定限度的，当实际电路要求晶闸管承受的电压值大于单个晶闸管的额定电压时，可以用两个或两个以上同型号的晶闸管串联起来使用。多个晶闸管串联时，由于各晶闸管的特性不可能完全一致，这样将导致晶闸管在阻断状态、开通与关断过程中，其承受的电压分配不均，从而使晶闸管的阻断电压性能不能充分利用，严重时还会使承受电压高的晶闸管因过电压而击穿永久损伤，因此需要采取以下措施：1、尽量选择同一厂家、同一型号、同一批次、特性较一致的管子串联2、采用下一节所示的动态均压与静态均压措施。

断态电压临界上升率与通态电流临界上升率以及TSC下RC参数的选型

晶闸管的主要参数与通态损耗计算

晶闸管的静态特性与开关特性

整流二极管的主要参数，尤其是反向恢复时间