Qin_Baba-CSDN博客

原创 DRAM 埋入式字线（Buried Wordline）技术深度解析：从二维平面到三维凹槽

埋入式字线（bWL）及其核心的埋入式沟道阵列晶体管（BCAT）架构，无疑是 DRAM 发展史上的一次关键性革命。它在约 40nm 技术节点被行业主流采纳，成功地帮助 DRAM 产业克服了传统平面晶体管的物理缩放极限。力挽狂澜的续命技术：bWL 通过引入三维沟道结构，从根本上解决了由短沟道效应和漏电流失控引发的数据保持危机，为经典的 1T1C（单晶体管 - 单电容）DRAM 单元架构延续了超过十年的生命力。协同优化的基石技术。

2025-06-30 19:46:20 693

原创 DRAM字线电压产生与测试_

如果VWL仅为V_{DD}，那么当源极电压达到VDD−Vt时，晶体管就会关闭，导致最终写入电容器的电压被限制在VDD−Vt，这种现象被称为**“Vt损失”（Vt drop）** 6。他们可能修复了一个与时序相关的崩溃（访问完整性故障），但却使系统极易受到来自RowHammer的静默数据损坏（扰动完整性故障）的影响，后者是一种远为阴险的问题。它指的是对DRAM中的某一行（攻击行）进行高频率的重复激活和预充电操作，会导致其物理上相邻的行（受害行）发生位翻转（bit flips），即数据损坏 1。

2025-06-19 17:49:09 837

原创 DRAM存储器测试中的LVM和APG pattern

对于DRAM的存储阵列，其规整性、巨大规模和算法化的故障模型，使得APG成为唯一的合理选择。当某一行（“攻击行”）被以极高的频率反复激活（即快速连续地读写该行），其字线的电压波动会干扰到物理上相邻的行（“受害行”），导致受害行中的单元电荷加速泄漏，从而在没有被直接访问的情况下发生比特翻转（bit flip）24。取而代之的是，ATE通过其LVM模块，经由一个标准的测试接口（如JTAG或IEEE 1500），向片上的MBIST控制器发送几条简单的命令，例如“启动测试”、“选择算法3”、“报告测试结果”等。

2025-06-19 14:05:57 611

原创 DRAM带隙电压修调研究_

现代动态随机存取存储器（DRAM）已远非简单的存储阵列，它是一种复杂的片上系统（SoC），其正常运行依赖于一系列精确生成的内部电压 1。在这一复杂的内部电源生态系统中，带隙基准电压（Bandgap Reference, BGR）电路扮演着核心角色，如同一个终极的“模拟标尺”2。然而，固有的制造工艺偏差使得这些出厂的BGR本身并不精确，因此必须通过一种称为“修调”（Trimming）的校正过程来弥补。本报告旨在深入剖析这一关键的修调过程，将其与DRAM的性能、可靠性及制造成本直接关联。DRAM内部需要从外部电

2025-06-15 16:12:38 594

原创 DRAM引脚功能与测试要点

动态随机存取存储器 (Dynamic Random-Access Memory, DRAM) 作为一种易失性半导体存储器，在现代计算系统中扮演着至关重要的角色，广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备等领域 1。DRAM通过存储单元（通常由一个微型电容器和一个晶体管组成）中的电荷状态来表示数据位0或1 1。由于电容器的电荷会随时间泄漏，DRAM需要周期性的刷新操作来维持数据完整性，这也是其“动态”特性的由来 1。理解DRAM的引脚分类及其各自功能，对于系统设计、性能优化、故障诊断以及有效的测试策略制定至关重要。

2025-06-12 12:35:59 888

原创器件沟道深度与性能关系_

因此，FinFET通过引入新的控制维度——鳍的几何形状——来控制沟道，减轻了仅依靠 Xj 缩小来控制SCE的负担，从而在 Rparasitic 与SCE的权衡中提供了更好的折衷方案。然而，挑战与机遇并存。例如，更好的栅极控制（如通过更浅的 Xj 或更薄的有效沟道深度实现）可以改善SS 11，减少DIBL和 Vth 滚降 4，并且能够影响 Ion 2。S/D扩展区的薄层电阻 (Rsh) 与掺杂浓度 (Nsd) 和结深 (Xj) 的乘积成反比，即 Rsh∝1/(Nsd⋅Xj) 4。

2025-06-11 19:01:41 675

原创沟道衬底热载流子对比_

在金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中，载流子（电子或空穴）在半导体材料中运动时，通常通过与晶格的相互作用（如声子散射）与晶格保持热平衡状态。然而，在某些工作条件下，特别是在强电场作用下，载流子可以获得远高于其热平衡状态下平均动能的能量，这些高能量载流子被称为“热载流子”1。热载流子是指在半导体器件中，其动能显著超过了与半导体晶格处于热平衡状态时期望的平均动能的电子或空穴 1。这种“热”并非指器件整体的宏观温度升高，而是指用于描述这些高能载流子能量分布的有效温度远高于晶格温度，甚至可以达到数

2025-06-11 17:50:36 913

原创回旋共振实验与电子有效质量深度解析

在固态物理学领域，理解材料中电子的行为是探索和应用其电学、光学及热学性质的核心。其中，电子的有效质量 (effective mass) 和回旋共振 (cyclotron resonance) 实验是两个基础且至关重要的概念。有效质量是一个理论上的构造，旨在简化描述电子在晶体周期性势场中的复杂动力学行为，使其能够类比于自由电子进行分析。这一参数深刻影响着材料的电导率、载流子迁移率以及光电特性，是半导体器件设计与性能优化的基石 1。另一方面，回旋共振实验作为一种强大的实验技术，通过观测带电粒子在磁场中对外加电磁

2025-05-15 15:15:02 606

原创半导体物理1--晶体中电子的共有化运动及其影响

在晶体中，存在大量的电子和原子核，它们之间存在复杂的相互作用。在这些界面处，由于晶格周期性的中断以及不同材料电子波函数的交汇，共有化电子的行为往往不同于体材料内部，可能出现新奇的界面态、界面激子或界面偶极矩等现象，这些都对器件的功能和效率产生决定性影响。更有趣的是，在某些特殊设计的结构（如莫尔超晶格）中，共有化电子可以扮演更主动的角色，例如在长冈铁磁性（Nagaoka ferromagnetism）模型中，额外的共有化电子为了降低其动能，会促使其余晶格位点上电子的自旋平行排列，从而介导铁磁有序。

2025-05-15 14:45:42 625

原创 NBTI主导的集成电路老化预测

更严重的是，Bias Temperature Instability（BTI）引起的堆栈效应（Stack Effect）会导致不同输入向量下的老化速率差异高达35%（参考文献：IEEE Trans. on VLSI 2018）。这种失配源于三维晶体管结构中应力分布的维度差异，传统二维传感器无法准确反映鳍式结构的退化特性。该技术体系的发展呈现出从离线分析向在线监测演进、从单一机制向多维度融合发展的趋势，其理论基础已从经典半导体物理扩展到机器学习领域，为解决纳米尺度下的集成电路可靠性问题提供了系统化解决方案。

2025-04-03 11:42:31 784

原创 NBTI在先进制程中的主导性作用

NBTI在先进制程中的主导性作用负偏置温度不稳定性（NBTI）效应作为当代集成电路可靠性研究的核心课题，其引发的器件性能退化已成为电路失效的主要机制。在负栅极偏置电压条件（Vgs=-Vdd）下，PMOS晶体管硅-氧化层界面处发生持续性界面态陷阱电荷捕获现象。该电荷俘获过程引起阈值电压（Vth）的渐进性漂移，其漂移量ΔVth与应力时间呈现对数线性相关特性。阈值电压的持续抬升不仅直接降低器件的跨导参数（gm），更通过沟道载流子迁移率退化机制导致饱和电流（Idsat）的显著衰减。

2025-04-02 15:00:05 712

原创半导体物理-Si晶体生长方向＜2＞

Si（硅）晶体的生长方向是一个重要的概念，尤其在半导体工业中。这个概念涉及到晶体在生长过程中原子排列的方向，对晶体的性质和应用有重大影响。让我为您详细解释：理解Si晶体的生长方向对于半导体材料的研究和应用非常重要，它直接影响了最终器件的性能和制造工艺。在实际应用中，选择适当的生长方向可以优化器件性能，提高产品质量。

2025-01-06 10:11:14 813

原创半导体物理－晶体＜１＞

晶体的晶向、晶面和晶体族是理解晶体几何结构和物理性质的关键概念。通过这些概念，可以描述晶体的对称性、晶体生长方向、裂纹扩展行为等。对于实际应用，晶向和晶面在半导体制造、材料加工和晶体表征中具有重要意义。

2025-01-02 10:28:54 1628

原创 DRAM 失效模式

NPSF，即邻域模式敏感故障，是一种特定类型的故障，它发生在当存储器中的某些存储单元在特定的数据模式或访问模式下对相邻存储单元产生干扰时。这种故障通常是由于存储单元之间的电容耦合效应引起的，特别是在高密度和高速的存储器设计中更为常见。耦合故障指的是一个存储单元的状态变化影响到相邻或附近的其他存储单元的状态，导致这些存储单元读取错误的数据。，即干扰故障，是一种更广泛的故障类型，它描述了存储单元在读写操作时对相邻存储单元的干扰。当尝试从0变为1或从1变为0时，存储单元无法正确执行这种状态转换。

2024-07-11 14:01:22 800 1

原创 Magnum测试程序组成

测试仪通道编号为a_1至a_64用于子装配A，b_1至b_64用于子装配B。在某些情况下，一对针脚（一组A中的一个和一组B中的一个）将共享相同的时序和数据信息。在之前的平台（Magnum I和Magnum 2）中，针脚对资源共享是默认操作。- 在创建测试程序时，您需要做的第一件事之一是告诉测试程序被测设备（DUT）板或探针卡是如何接线的。对于子装配A，高压针脚编号为a_hv1至a_hv8。对于子装配B，高压针脚编号为b_hv1至b_hv8。将同类型的Pin组合成同一组，便于进行测试资源的分配。

2024-05-22 22:34:51 583 1

原创【五】pattern labels

APG指令的每一条语句或代码行都用于编程APG的不同部分。记住，尽管一个指令中可以有8行代码，但它只是一个单一的指令。APG指令的每一行语句都有默认值。如果你想在你的指令中使用这些默认值，你可以省略那些语句。在初始条件之后，接下来是实际的APG指令。百分号后面可以跟随多达8行。这些语句的顺序并不重要，但尽量在所有指令中使用相同的顺序。如果一个APG指令使用了默认值，那么这个指令可以被重写时会覆盖默认值，而这两个指令将执行完全相同的操作。这意味着，如果某些参数不需要更改，就可以省略它们，从而简化指令的编写。

2024-05-16 09:30:26 277

原创 APG Statements（2）

在这条指令中，XALU的借位标志总是设置为“1”。每次执行这条指令时，ALU将从xmain寄存器的值中减去1。YALU使用的是条件借位。如果xmain寄存器的值处于其最小值，YALU将从ymain寄存器的值中减去1。

2024-05-16 09:26:19 275

原创 APG Statements（1）

我们将首先查看的语句是XALU、YALU或ZALU。这两个语句用于生成用于测试内存设备的地址位。上面的块图显示了X或Y地址生成器的操作。这些ALU通常与寄存器结合使用，以控制地址的生成方式。用户可以配置这些寄存器来设置地址模式、步进大小、起始地址等。通过这些ALU和寄存器的组合，可以实现复杂的内存测试模式，以确保内存设备的正确性和性能这种设计允许更灵活地生成地址，但同时也要求开发者在编写指令时注意寄存器的使用规则。

2024-05-16 09:18:46 804

原创 APG（算法模式生成器）

只有在APG中的D0位上的strobes启用，且pin scramble已经选择了D0用于测试仪通道9，你才会在测试仪通道9上获得strobes。在上面的图表中，背景功能使用对输入的单一操作。这个特性的作用是，如果XO位和YO位都是1，那么发送到DUT的数据将被反转；数据寄存器是36位，但它可以配置为一个36位宽的大寄存器，或者两个18位宽的小寄存器。这些pattern将生成所有的1和0，这些1和0将被应用到你的device的针脚上。发送到DUT的数据的反转可以基于X位和Y位中的单个位。

2024-05-16 08:44:03 733

原创集成电路老化--NBTI效应（2）

NBTI最终表现为PMOS导通时间延长，从而增加CMOS电路的传播时延。当累积到一定程度时，进而造成时序违规。将输入调成三角波可以更明显的观察到Vt变化带来的输出变化。通过波形图可以看到Vt升高后输出信号发生变化，这种变化的累积会对集成电路偏离设计，损失性能乃至失效。可以看到当输入为高时CMOS反相器输出应为低，但由于上方的PMOS管Vt升高导致无法彻底关断，输出没有实现反向，无论输入高或低输出都是高。

2024-03-14 21:32:27 1118 1

原创集成电路测试工程师入门（二）

按时间顺序进行编排集成电路的测试项目，分为以下几个阶段，TE（测试工程师）一般也按照如下的测试阶段开展相关的测试任务。

2024-03-13 16:59:38 317

原创半导体测试（一）

探针台是一种用于在晶圆上进行配合探针卡进行电路量测的设备，在测试过程中，探针工作站会将探针与晶圆上的每个die进行接触，以进行电性测量。在这个过程中，每个die都被测试以确保它能基本满足器件的特征或设计规格书（Specification），通常包括电压、电流、时序和功能的验证。晶圆是一个圆形的硅片，在这个半导体的基础之上，建立了许多独立的单个的电路；在所有的die都被探测（Probed）之后，晶圆被切割成独立的dice，这就是常说的die saw，所有被标示为失效的die都被报废，。

2024-03-01 17:44:32 5802 2

原创 FLEXlm教程

FLEXlm是软件行业中最受欢迎的许可证管理器。FLEXlm以其允许提供软件许可证的能力而闻名（或浮动）网络上的任何位置，而不是绑定到特定的机器。浮动许可对用户和许可证管理员都有好处。用户可以通过在网络上共享许可证来更有效地使用这些许可证。许可证管理员可以控制谁使用许可的应用程序和许可证可用的节点。提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考。

2023-04-11 10:40:58 3035 2