Creator Inventor-CSDN博客

原创 WPE effect

阱邻近效应是深亚微米工艺中影响器件匹配性能的一个重要因素。通过增加晶体管与阱边界的距离，能够有效降低边缘效应带来的参数波动，提高电路的稳定性。在实际的设计工作中，需要综合考虑工艺特性、布局限制以及电路性能要求等多方面因素。

2025-05-14 16:32:53 460

原创 Rail-to-Rail Operational Amplifier

起源（1980 年代）：Huijsing 等人首次突破输入输出范围限制，解决动态范围不足问题。结构优化（1990 年代）：互补输入级和 AB 类输出级的引入，提升集成度和功耗效率。低电压设计（2000 年代）：嵌套补偿、跨导优化等技术适应便携式设备需求。现代应用（2010 年代至今）：体驱动、复合晶体管等技术进一步提升精度和速度，扩展至生物医学、通信等领域。

2025-05-11 11:29:37 1039

当反向电压超过击穿电压（V_BR）时，反向电流会急剧增大（可达毫安级以上），此时PN结失去单向导电性，属于破坏性或非预期工作状态（除非用于稳压管的击穿稳压模式）。◦ 对于硅（Si）材料的PN结，常温（25°C）下 I_S 通常在纳安（nA）级，（具体数值与器件尺寸、掺杂浓度等有关）。• 击穿类型：齐纳击穿（低电压，≤5V）和雪崩击穿（高电压），但无论哪种，正常反偏时电压需远低于 V_BR。◦ 锗（Ge）材料的PN结由于少子浓度更高，I_S 略大，约微安（μA）级，但锗器件已较少使用。

2025-05-11 09:16:18 355

原创为什么PN结反偏会增大空间电荷区宽度

可以类比为电容器充电：反偏电压相当于对PN结“充电”，N区失去电子（积累正电荷），P区失去空穴（积累负电荷），耗尽层中的正负离子层（相当于电容器的极板电荷）因电荷增加而“变厚”（宽度增加）。• 耗尽层变宽的过程本质是外电压打破了原有平衡：外电场迫使多子进一步远离，空间电荷增加→电场增强→进一步阻止多子扩散，直到新的平衡（此时多子扩散电流几乎为零，仅存微弱的少子漂移电流）。反向偏置时，外电压极性为 P区接电源负极，N区接正极，产生的外加电场方向与内建电场（N→P）相同，相当于“助力”内建电场。

2025-05-11 08:52:09 614

原创 Pnoise仿真理解

想象一位歌手在唱一个标准音高（比如中央C），**理想情况**下应该像电子合成器一样音准完美。但**实际情况**是：- **喉咙肌肉微颤**（热噪声）- **呼吸不稳**（闪烁噪声）- **外界干扰**（电源噪声）这些因素导致**音高轻微抖动**——这就是**相位噪声**（声音的相位随时间随机偏移）。pnoise仿真就像给电路装了一个「跑调检测仪」，通过量化噪声传递过程，确保芯片发出的信号像专业歌手一样「音准稳定」。

2025-04-04 10:12:25 445

原创 Verilog-A时序波形设计

通过逐步修改参数观察波形变化，可加深对时间-电压关系的理解。实际设计中需特别注意仿真步长设置，过大的步长会导致波形失真。：线性上升，周期结束时归零，形成锯齿状。：通过模式选择输出不同波形，参数可配置。函数检测信号过阈值方向，实现边沿检测。：通过模运算划分周期内的电平状态。：通过改变斜率方向实现三角波形。为输出的模拟波形值。

2025-02-18 09:48:56 409