Android存储系统如何优化？

Android存储系统如何优化？
答案是我也不知道…

那为什么会想到要写这篇文章哪？主要是因为有天晚上和以前一个同事讨论到Android手机存储系统的优化问题，我想把我知道的写下来。用过Android手机的人可能都会有这么个感觉，就是手机用久了之后系统会越来越慢。慢，其中很重要的一点就是和Android的存储系统有关。我们现在主流手机的内置存储芯片一般都是EMMC，一些旗舰级的Android手机已经在使用UFS接口的存储芯片，而iphone 6S开始更是用上了NVME接口的存储芯片。同事是做linux kernel相关工作的，他在想，是不是可以在kernel层面优化下Android的存储系统，改善下EMMC的坏块管理、磨损均衡等内容。

接触过一年的SSD固件开发，没有接触过EMMC。但是根据我的理解，EMMC其实就是一个弱化版或者叫精简版的SSD，核心原理和思想是一样的。所以我得出的答案是：同事想做的那些事，kernel什么也做不了。首先来一张大图，我们可以看到，磨损均衡、垃圾回收、坏块管理，这些事情已经全部被SSD、EMMC做掉了，主机端在这些事情上可以说是完全透明的。同事的想法其实还停留在若干年前嵌入式系统使用裸的FLASH芯片，需要自己管理这些繁杂事情的年代。

作为一篇科普贴，这篇文章的阅读对象是对当今的FLASH和SSD不甚了解的朋友们，而并不是那些存储界的老鸟们^_^

首先说下nand flash的种类，当今的nand flash主要分为三种：slc、mlc和tlc。slc每个cell存储一个bit，可以表示0或者1。mlc每个cell存储两个bit，可以表示0-3。tlc每个cell存储三个bit，可以表示0-7。

先说说最简单的slc，它是怎么实现一个bit的存储的。看下图，四个黑点是可以加压的地方。floating gate周围包围着一层绝缘层，在初始状态下（也就是擦除状态下），floating gate里没有电子，表示逻辑1。

对这个cell编程就是把