一起玩儿物联网人工智能小车（ESP32）——62 非易失性存储（NVS）的使用

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摘要：本文介绍非易失性存储的使用方法

ESP32芯片提供了丰富的内部存储空间，根据芯片的型号不同，包含的种类和数量也不同。通常情况下可以大致分成这几类：ROM、RAM、SPRAM、RTC内存和FLASH。因此可以几乎在不使用外部存储器的情况下，实现各种各样的应用，十分方便。今天先做一个大致的了解，然后对非易失性存储做个详细的介绍。

ROM（Read-Only Memory）：这部分存储器用于程序启动和内核功能调用。大部分ESP32的ROM尺寸为448KB，也有个别型号的ROM要少于448KB。

RAM通常包含片上SRAM和片外PSRAM。片上SRAM（Synchronous RAM）是临时存储数据和指令的区域，对于运行应用程序和处理数据非常有帮助。ESP32的片上SRAM容量为520KB，其中包含了192KB的IRAM和328KB的DRAM。IRAM用来存储关键代码，之前介绍的中断处理程序就是存储在IRAM中，另外一些对时序性要求很高的程序，也可以通过关键字IRAM_ATTR宏，来将其指定存储到IRAM中。DRAM空间有两个用途，一个是用来存储非常量静态数据和零初始化数据，另一个是在程序运行时会用作堆，也称作内部堆。

片外PSRAM的大小可以根据需要扩展，通常为2~8M，其作用是提供更多的数据存储空间，方便程序的使用。

RTC存储是比较特别的SRAM存储器。RTC存储器在设备深度休眠时不掉电，一般比较多配合设备的深度休眠模式的业务场景使用。ESP32芯片有两种RTC存储：RTC快速存储和RTC慢速存储。RTC快速存储为8KB，可以在Deep-sleep模式下RTC启动时用于数据存储以及被主CPU访问。RTC慢速存储也是为8 KB的SRAM，可以在Deep-sleep模式下被协处理器访问。

ESP32是否内置Flash（即NOR或NAND闪存）取决于具体的型号。有些型号可能不含内部Flash，但它们支持外部Flash和SRAM的扩展。外部Flash最大可以支持16MB的容量。Flash具有掉电不丢失的特性，因此许多业务场景经常会使用到Flash。

ESP32根据不同的用途将Flash划分为多个区域。下图为缺省的8M Flash的分区表内容：

在Arduino IDE中定义了一系列的分区表文件，可以使用工具菜单中的“Partition Scheme:”中进行选择。如下图所示：

nvs就是我们接下来要介绍的非易失性存储分区，这个区域的数据掉电之后不会丢失。通常用来存储一些配置性的运行数据，比如Wi-Fi的SSID、密码以及一些需要永久保存的状态信息等等。

ota是与OTA场景相关的存储区，这个将来做OTA升级的时候，再进一步的解释。

SPIFFS分区是一个官方开发的片上Flash设备的嵌入式文件系统，支持磨损均衡、文件系统一致性检查等功能。开发人员可以使用fopen、fclose等标准C文件接口进行操作。该区域大小视具体业务自行定义。

在上面的分区表中，可以看到nvs分区从0x9000地址处开始，大小为0x5000，也就是20480字节的大小。开发者可以根据自己的需要调整nvs分区的大小。

NVS保存数据的形式为键值对。也就是用键来标记对应的数值。其中键必须是ASCII字符，并且长度不能超过15个字符。为了便于使用以及减少潜在的冲突，厂商设计了命名空间来将键值对进行分组，命名空间的名字也是ASCII字符，且长度不超过15个字符。命名空间的名字不能重复。而键值对中键的名字只要在自己的命名空间内不充分就可以了，每个键值对隶属于某一个命名空间且只属于这一个命名空间。

键值对中的值可以为以下几种类型：