飞思卡尔KE06 Flash模拟EEPROM

转载于 2017-06-05 18:53:00 发布 · 484 阅读

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原文链接：http://www.cnblogs.com/yingziLiu/p/6946552.html

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本文介绍了MKE06Z64VLD4 MCU的Flash存储器操作方法，包括时钟初始化、扇区擦除、数据写入及读取过程。Flash地址范围为0x00000000-0x0000FFFF，每扇区512字节，共128个扇区。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

使用的MCU型号MKE06Z64VLD4，flash大小64K，地址0x0000 0000-0x0000 FFFF,数据块每扇区大小512字节共128个。

允许针对扇区擦出，并写入，读取，具体操作方式参考官方flash_demo

读取时之间地址：（*(volatile unsigned long *)(addr))

(volatile unsigned long *)地址强制转化为指针类型

FLASH_Init(BUS_CLK_HZ);//时钟初始化

FLASH_EraseSector(127*512);//擦除某扇区127*512 = 65024 = 0xFE00

FLASH_Program( 0xFE00,&u8DataBuff[0],3 );//写FLASH数据

u8DataBuff[0] = *((uint8_t *)(0xFE00));//读取数据

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