DDR 参数内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”

最新推荐文章于 2025-06-15 17:08:27 发布

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文章标签：操作系统

原文链接：http://www.cnblogs.com/shanyong/p/4699308.html

本文详细解释了内存的重要时序参数，包括CAS Latency(CL)、RAS-to-CAS Delay(tRCD)、RAS Precharge Time(tRP)及RAS Active Time(tRAS)。这些参数对于理解内存性能至关重要。

摘要生成于 C知道，由 DeepSeek-R1 满血版支持，前往体验 >

Speed Grade ( DataRate/CL-tRCD-tRP)
- 1066 Mbps / 7-7-7
- 800 Mbps / 5-5-5

DataRate 数据速率 800，1066,1333,1600,甚至2000MHz

CL-tRCD-tRP 时序

1、CL（CAS Latency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
   BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3” 几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。

2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
   BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值越小，性能越好。

3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
   BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4.tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”（可能的选项：1……5/6/7……15）
   BIOS中的可能其他描述：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等