热电阻RTD转电压二三四线制

一、核心概念

1. 物理本质

热电阻(Resistance Temperature Detector, RTD)是一种利用金属导体电阻值随温度变化的特性制成的温度传感器。其数学关系遵循Callendar-Van Dusen方程:

R(t) = R₀[1 + A·t + B·t² + C·(t-100)·t³]  (0℃以下)  
R(t) = R₀(1 + A·t + B·t²)                (0℃以上) 

公式中的系数由 IEC-60751 标准定义。R0 是 RTD 在 0°C 时的电阻。对于 PT100 RTD, R0 为 100Ω。对于 IEC 60751 标准 PT100 RTD,系数为:

  • A=3.9083×10⁻³/℃

  • B=-5.775×10⁻⁷/℃²

  • C=-4.183×10⁻¹²/℃⁴

2. 类型划分

类型材料标称电阻(0℃)测温范围
PT100100Ω-200~850℃
PT10001000Ω-50~300℃
Cu5050Ω-50~150℃
Ni120120Ω-80~260℃

二、起源与发展

1. 早期探索

  • 1821年:托马斯·塞贝克发现热电效应,为后续测温技术奠定基础

  • 1834年:让·查尔斯·佩尔捷提出金属电阻温度特性的定性描述

  • 1851年:威廉·汤姆逊(开尔文勋爵)建立电阻温度关系的数学模型

2. 里程碑突破

  • 1885年:德国物理学家赫尔曼·冯·亥姆霍兹首次系统研究铂的电阻温度系数

  • 1892年:英国工程师休·朗斯伯里制造出首个实用化铂电阻温度计

  • 1900年:铂电阻被选为国际温标(ITS-90)的基准测温器件

3. 工业应用初期

  • 1927年:德国贺利氏公司开发出首款工业级铂电阻元件

  • 1932年:美国Leeds & Northrup公司推出带保护套管的热电阻传感器

  • 1940年:三线制接法专利诞生,解决了长距离传输误差问题

4. 标准化阶段

  • 1968年:IEC发布60751标准,统一铂电阻参数

  • 1975年:薄膜铂电阻技术突破(厚度<1μm,响应时间缩短至0.1秒)

  • 1990年:表面贴装(SMD)热电阻芯片量产,进入电子设备领域

5. 现代发展

  • 2005年:纳米铂电阻材料实现0.001℃分辨率(瑞士ETH Zurich)

  • 2018年:柔性可穿戴热电阻问世(韩国KAIST团队研发)

  • 2023年:AI补偿算法使PT100在-200℃时的精度达到±0.01℃

三、接线配置

如下图所示,目前工业上的接线配置有成本最低的两线制和更常用的三线制和四线制。

图1:接线配置示意

两线制接线分析

图2:两线制阻压转换

如图2所示,所谓阻压转换,即外加了恒流源进行了转化。

两线制的接法会引入线阻r1、r2和r3,则有V_{AB}=I1(r1+r2+R_{RTD})

三线制接线分析

图2:三线制阻压转换

两线制的接法同样会引入线阻r1、r2和r3,则有V_{AB}=I1R_{RTD}+(I1r1-I2r2)

相较于二线制,误差会相对小;无论是二线制还是三线制,线阻都会对测量产生较大影响,因此要尽量做好控制,避免影响实际的RTD电压测量

四线制接线分析

四线制采用开尔文接线方式,所测电压VAB直接为RTD电压,因此误差很小,精度很高。

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