SIDC08D60C8 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf

SIDC08D60C8是一款由英飞凌（INFINEON）公司采用Emitter Controlled 3技术制造的高速切换二极管芯片。这款芯片专为功率模块和分立组件应用设计，具备以下特点： 1. **600V Emitter Controlled 3 技术**：这种技术使得芯片能够在高达600伏特的电压下工作，同时提供快速的开关性能。 2. **软而快速的切换**：芯片设计确保了在切换过程中产生的电压尖峰较小，降低了电磁干扰，有利于系统的稳定运行。 3. **低反向恢复电荷**：芯片具有低反向恢复电荷，这意味着在电流从正向转向反向时，能量损失减少，从而提高了效率。 4. **小的温度系数**：芯片对温度变化的敏感度较低，确保了在不同温度环境下的性能一致性。 应用方面，SIDC08D60C8主要应用于： 1. **驱动AC电路**：如电机驱动、电源转换等需要处理交流电的应用。 在电气参数上，该芯片的关键特性包括： - **反向重复峰值电压**：VR RM = 600V，适用于高电压环境。 - **连续正向电流**：IF在TVj < 150°C时的最大值为30A，确保了芯片能承载大电流。 - **最大重复正向电流**：IFR M在TVj < 150°C时为60A，体现了芯片的瞬态负载能力。 - **结温范围**：Tvj在-40...+175°C之间，表明芯片可以在较宽的温度范围内稳定工作。 静态特性方面，例如在25°C的结温下： - **反向漏电流**：IR在600V反向电压下小于27 µA，展示了良好的隔离性能。 - **击穿电压**：VB R在0.25mA的反向电流下为600V，保证了芯片的耐压能力。 - **二极管正向电压**：VF在30A的正向电流下，典型值为1.6V，这是衡量二极管导通损耗的重要指标。 此外，SIDC08D60C8的封装尺寸为2.3 x 3.46 mm²，采用sawn on foil技术，适合于环氧树脂和软焊die绑定。存储环境应保持在原始容器内，干燥氮气环境中，黑暗条件下，且温度不超过23°C的6个月内。 尽管规格书中未列出动态坚固性（Dynamic ruggedness）的具体测试值，但表明了它依赖于组装的热特性，并通过设计和表征验证。至于进一步的电气特性，如切换特性及热性能，则会受到组装方式、散热条件等多种因素的影响，需要具体应用情况来评估。