高速MOSFET

高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南(有图完整版) 高速MOSFET门极驱动电路的设计应用指南 在电力电子领域，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的应用日益广泛，尤其在高频开关电源转换中扮演着至关重要的角色。MOSFET以其高速开关特性、较低的导通电阻和...

评级：5 浏览量：1310 收藏量：6 资源大小：1.49MB 上传时间：2014-12-17

MCP1415系列-高速MOSFET驱动器-中文数据手册.pdf MCP1415系列高速MOSFET驱动器是一款高速、高电流输出的驱动器，主要应用于需要高速开关特性的场合。MCP1415系列MOSFET驱动器具备以下特点： 1. 高峰值输出电流：MCP1415系列可以提供高达1.5A的峰值电流输出，这使得...

评级：0 浏览量：9 收藏量：0 资源大小：946KB 上传时间：2025-06-26

TI 推出4A高速MOSFET驱动器 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款针对 N 通道互补驱动功率MOSFET 的 4A高速同步驱动器。该款 2MHz 驱动器简化了大电流单相与多相应用中的电源设计，如电压稳压器模块 (VRM) 设计、笔记本电脑、带有二次侧同步整流器...

评级：0 浏览量：279 收藏量：0 资源大小：61KB 上传时间：2020-12-09

基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用 【UCC27321高速MOSFET驱动芯片】是TI公司推出的一款高性能驱动芯片，它在电力电子技术领域扮演着重要角色，尤其在驱动电路设计中展现了其优越性。这款芯片以其简单的外围电路、高效能和高速度成为众多驱动芯片中的...

评级：0 浏览量：844 收藏量：1 资源大小：147KB 上传时间：2020-07-30

TI推出最高效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225 TI公司最近发布了一款全新的高速MOSFET驱动器——TPS28225，专为N通道互补驱动功率MOSFET设计。这款驱动器具有4A的高速同步能力，工作频率高达2MHz，极大地提升了大电流单相和多相应用中的电源设计效率。在诸如电压...

评级：0 浏览量：617 收藏量：0 资源大小：59KB 上传时间：2020-11-29

Linear推出高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446 凌力尔特公司（Linear）推出的LTC4446是一款专为驱动高端和低端N沟道高速MOSFET而设计的高性能驱动器，具备高频、高输入电源电压（100V）的特点，使其在电力转换系统中展现出卓越的性能。这款驱动器能够与功率MOSFET...

评级：0 浏览量：132 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2020-11-21

HPD2606X 600V半桥栅极驱动器技术手册：高压高速MOSFET和IGBT驱动设计 内容概要：HPD2606X是一款600V半桥栅极驱动器，采用专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术，能够稳定驱动高压MOSFET和IGBT。其主要特性包括悬浮通道设计、抗dV/dt瞬态负电压能力、宽门驱动电源范围（10V-20V）、欠压锁定、...

评级：0 浏览量：29 收藏量：0 资源大小：730KB 上传时间：2025-05-19

高速MOSFET设计资料 在电子设计领域中，高速MOSFET的设计和应用正变得日益重要。MOSFET，作为一种金属氧化物半导体场效应晶体管，以其优越的高速性能，在高频电子设备中扮演着核心角色。从开关电源到高频放大器，再到数字逻辑电路，...

评级：0 浏览量：183 收藏量：0 资源大小：499KB 上传时间：2009-02-11

元器件应用中的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器FOD3184简介 FOD3184是一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品。FOD3184由铝砷化镓(AIGaAs)发光二极管和集成在电路功率级中带有PMOS和 NMOS输出功率晶体管的CMOS检测器以光学方式耦合构成，PMOS上拉晶体管具有低...

评级：0 浏览量：286 收藏量：0 资源大小：83KB 上传时间：2020-11-04

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器 LTC4442/-1 凌力尔特公司推出的LTC4442/-1是一款专为同步整流转换器设计的高速MOSFET驱动器，旨在提升电源系统效率和性能。这款驱动器能够驱动高端和低端N沟道功率MOSFET，适用于降压或升压型DC/DC转换器，与凌力尔特的许多DC/...

评级：0 浏览量：287 收藏量：0 资源大小：66KB 上传时间：2020-12-01

MOSFET详解.pdf *高速开关：MOSFET 的开关速度非常快，能够满足高速电子设备的需求。 *低功耗：MOSFET 的功耗非常低，能够降低电子设备的能耗。 *耐用性好：MOSFET 的使用寿命非常长，能够满足电子设备的可靠性需求。 *成本低廉...

评级：0 浏览量：168 收藏量：0 资源大小：647KB 上传时间：2023-02-20

mosfet.rar_mosfet 4. **高速信号处理**：MOSFET的低输入电容和高开关速度使其在高速信号处理领域具有优势，如射频（RF）和微波电路。 5. **功率电子**：MOSFET的大电流能力使其成为大功率应用的理想选择，如电力转换、逆变器和电动...

评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：4KB 上传时间：2022-09-24

mosfet.rar_mosfet_mosfet multisim_multisim 高速mos_multisim mosfe “高速MOSFET”可能指的是具有高速开关性能的MOSFET，这涉及到低栅极电荷、高电子迁移率和快速开关时间等特性。高速MOSFET在高速数字电路和射频（RF）应用中特别有用。 6. **Multisim_MOSFET的应用** 在Multisim...

评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：1.26MB 上传时间：2022-09-24

高速双MOSFET驱动器及在开关电源中应用.zip 1. **快速响应**：高速MOSFET驱动器能够快速改变MOSFET的状态，减少开关时间，从而降低开关损耗，提高系统效率。 2. **低延迟**：低延迟驱动器确保开关信号与MOSFET的开关动作同步，减小了开关过程中的电压和电流...

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：149KB 上传时间：2022-02-03

凌力尔推出高速同步 MOSFET 驱动器 凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出的LTC4449是一款专为同步整流转换器设计的高速同步MOSFET驱动器。这款驱动器具有高效能和高可靠性，能够与凌力尔特的DC/DC控制器及功率场效应晶体管（FETs）配合...

评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：68KB 上传时间：2020-11-08

MOSFET应用集锦.zip - 开关特性：MOSFET具有高速开关能力，适合于高频应用。 - 输入阻抗高：栅极-源极间的绝缘层使得输入阻抗极高，减少信号损失。 - 驱动电流小：只需较小的栅极电流就能控制较大的漏极电流，降低了驱动电路的复杂性。 ...

评级：0 浏览量：113 收藏量：0 资源大小：2.5MB 上传时间：2022-03-20

Linear推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器与功率MOSFET和凌力尔特公司众多DC/DC控制器之一相...

评级：0 浏览量：140 收藏量：0 资源大小：53KB 上传时间：2020-11-21

HIP4082_mosfet_ 4. **高速响应**：HIP4082具有快速的开关时间，可以实现高效能的高频操作，适用于需要快速动态响应的系统。 5. **逻辑兼容性**：输入逻辑与TTL/CMOS兼容，便于与微控制器等数字逻辑器件接口。 6. **隔离功能**：...

评级：0 浏览量：307 收藏量：0 资源大小：282KB 上传时间：2021-10-04

凌力尔特公司推出高速同步MOSFET驱动器 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时，可组成...

评级：0 浏览量：151 收藏量：0 资源大小：50KB 上传时间：2020-11-29

SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计 在深入探讨SiC MOSFET隔离式高速驱动电路设计的知识点之前，先要了解宽禁带半导体器件与硅器件相比所具有的优势。随着电力电子技术的迅猛发展，对于电力电子器件的要求不断提高，传统的硅基半导体器件已经无法满足...

评级：0 浏览量：1058 收藏量：2 资源大小：376KB 上传时间：2020-02-23

FAN3XXX系列高速低端MOSFET驱动器概述 FAN3XXX系列是飞兆公司（FAIRCHILD）2007年10月推出的新产品，是一种高速低端MOSFET驱动器系列。 　该系列各种驱动器与PWM控制器及功率MOSFET组合可设计出各种高频、大功率开关电源。根据驱动器的通道数、输出电流...

评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：271KB 上传时间：2020-11-25

UC3842驱动MOSFET 驱动电路通常包括隔离和缓冲环节，确保高速、低延迟且无损的驱动信号传输，同时保护MOSFET不受控制电路的影响。 3. **Boost变换器设计** 基于UC3842的Boost变换器可以将低压直流升压为高压直流。在这个过程中，UC...

评级：0 浏览量：582 收藏量：0 资源大小：7.25MB 上传时间：2018-10-04

电源技术中的高速同步MOSFET驱动器为高效DC/DC转换器提供5A电流 LTC4442/-1是一款专为同步整流转换器设计的高速MOSFET驱动器，能够驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特的DC/DC控制器配合使用，可以创建出完整的高效率同步稳压器，适用于降压或升压型DC/DC转换器...

评级：0 浏览量：122 收藏量：0 资源大小：67KB 上传时间：2020-11-30

FDC3512-VB-MOSFET产品应用与参数解析 FDC3512是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于直流/直流转换器和高速开关应用。其主要特点是低导通电阻、环保无卤素设计，以及符合RoHS指令。 **2. 技术参数** - **额定电压**：VDS为100V，...

评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：244KB 上传时间：2023-10-25

IRF830A-VB-MOSFET产品应用与参数解析 IRF830A-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于高压、高速电源开关应用。其主要特点是低栅极电荷（Qg）和优化的门极耐受性，这使得它对驱动器的要求较低，同时具有良好的抗雪崩和动态dV/dt...

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：388KB 上传时间：2023-10-26

MOSFET DRIVER DESCRIPTION 不同类型的驱动芯片具有不同的驱动能力和特性，例如，某些驱动芯片可能更适用于高速开关应用，而另一些则更适合于大电流应用。 **2. 考虑驱动电压的幅度** 驱动电压的大小直接影响到MOSFET的开启时间和导通电阻。...

评级：0 浏览量：115 收藏量：0 资源大小：433KB 上传时间：2015-08-31

AO6604-VB-MOSFET产品应用与参数解析 2. TrenchFET® Power MOSFET：AO6604采用TrenchFET®结构，具有低导通电阻和高速开关特性。 3. 100 % Rg Tested：AO6604经过了严格的测试，确保其符合高可靠性和高稳定性的要求。 参数： 1. 绝对最大额定值： * ...

评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：324KB 上传时间：2023-10-20

Linear推出LTC4443/-1高速同步MOSFET驱动器 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1，该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC ...

评级：0 浏览量：127 收藏量：0 资源大小：53KB 上传时间：2020-11-21

资料-MOSFET高速驱动设计.zip 《MOSFET高速驱动设计》是一份深入探讨MOSFET驱动技术的专业资料，主要针对电子工程领域的设计人员和爱好者。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是电力电子设备中广泛使用的开关元件，尤其在高频开关电源、电机...

评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：337KB 上传时间：2022-01-15

AO6400-VB-MOSFET产品应用与参数解析 AO6400是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高速开关和直流到直流转换器等应用。这款器件具备低导通电阻（RDS(on)）特性，优化了功率效率，适合在电源管理电路中使用。其主要特点包括： 1. *...

评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：257KB 上传时间：2023-10-19

凌力尔特公司高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器 凌力尔特公司的LTC4442/-1是一款专为高速同步整流转换器设计的高性能N沟道MOSFET驱动器。这款驱动器主要用于驱动高端和低端的N沟道功率MOSFET，以实现高效能的降压或升压型DC/DC转换器。LTC4442/-1的独特设计使其...

评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：45KB 上传时间：2020-11-30

AOD4184-VB-MOSFET产品应用与参数解析 AOD4184 MOSFET以其高效的TrenchFET技术，低导通电阻和高电流处理能力，成为电源管理领域的一个理想选择，尤其适用于需要高速开关和高效率的应用。在实际应用中，需确保正确设计驱动电路和散热方案，以充分发挥其...

评级：0 浏览量：231 收藏量：0 资源大小：479KB 上传时间：2023-10-20

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理.pdf 为了优化MOSFET的性能，栅极驱动电路必须设计得当，以便在高速开关过程中为MOSFET提供足够的驱动电流，并限制栅极电压的上升和下降速度，从而降低开关损耗。具体来说，栅极驱动电路包括几个关键要素，如驱动电源、...

评级：0 浏览量：1991 收藏量：3 资源大小：1.02MB 上传时间：2019-09-16

功率 MOSFET MOSFET利用电场控制电流流动的特性，因此拥有较高的输入阻抗，非常适合于高速开关应用。 从给定的文件内容中，我们可以提取以下关于NexFET™功率MOSFET的知识点： 1. CSD17505Q5A是德州仪器（Texas Instruments，...

评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：505KB 上传时间：2014-10-16

电源技术中的Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器 凌力尔特公司推出的LTC4442/-1是一款高速同步N沟道MOSFET驱动器，专为在同步整流转换器拓扑中高效驱动高端和低端MOSFET而设计。这款驱动器与凌力尔特的许多DC/DC控制器配合使用，可以构建出一个完整的高效率同步稳压...

评级：0 浏览量：220 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2020-11-30

AP9971GH-VB-MOSFET产品应用与参数解析 - **负载开关**：在需要频繁开关的大电流负载时，AP9971GH-VB的高速和低损耗特性非常有用。 总的来说，AP9971GH-VB MOSFET凭借其优秀的电气特性和耐温能力，成为电力电子系统设计中的理想选择，特别是那些对效率和...

评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：312KB 上传时间：2023-10-26

Avago推出高速光电隔离MOSFET输出固态继电器 Avago宣布推出一对双通道高速光电隔离MOSFET (金属氧化物硅场效应晶体管)输出固态继电器(SSRs)，可在-40度到+85度的工业温度范围内保持优异的性能，ASSR-322R主要面向自动测试设备(ATE)及其它测试设备领域的管脚组件...

评级：0 浏览量：271 收藏量：0 资源大小：60KB 上传时间：2020-11-29

BF1107-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析 BF1107-VB N沟道SOT23封装MOSFET应用分析 ...BF1107-VB是一款功能强大、体积小巧的N沟道SOT23封装MOSFET，具有低阈值、低输入电容、快速开关速度和低输入和输出漏电流等特点，适用于各种高速电路设计和低功耗应用。

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：409KB 上传时间：2023-11-24

Linear推出高速高输入电源电压同步MOSFET驱动器 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速、高输入电源电压(100V)同步MOSFET驱动器LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的N沟道MOSFET。这个驱动器可与功率MOSFET以及凌力尔特...

评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：43KB 上传时间：2020-11-30

SSM6N44FE,LM MOSFET Datasheet SSM6N44FE是一款由东芝公司生产的场效应晶体管，具体为硅制N沟道...总的来说，SSM6N44FE是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高速切换和低内阻的电子设备，设计时需考虑其电气特性和工作环境，以确保可靠性和效率。

评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：163KB 上传时间：2022-11-22

NDT2955-SOT23-3封装MOSFET参数应用 总结来说，NDT2955-SOT23-3封装的P沟道MOSFET因其低导通电阻、高速开关能力和良好的热管理性能，特别适用于需要高效能和小型封装解决方案的电源管理电路。其在设计时考虑了温度变化对性能的影响，保证了在各种环境...

评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：354KB 上传时间：2023-09-21

RQJ0372FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 同时，对于这类功率MOSFET，需要采取适当的驱动电路设计来保证在高速开关时，栅极驱动电压不会超过器件的额定电压。 由于MOSFET属于电压控制型器件，其开关速度主要取决于栅极的驱动电路和栅极电荷，因此在设计驱动...

评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：401KB 上传时间：2024-10-21

RQJ0311FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 MOSFET因其高速开关特性和低导通电阻，广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动和各种高频功率开关电路中。RQJ0311FQDQS-VB的低开启电阻特性使其在高电流应用中更为高效和节能。 对于这类高压大电流...

评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：401KB 上传时间：2024-10-17

RQJ0421FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 这些特性使得RQJ0421FQDQS-VB型MOSFET适合于高效率和高速开关的应用场合。 制造商VBsemi特别指出，在测试中发现的应力超过绝对最大额定值可能会导致设备损坏。此外，设备在这些最大额定值或其他超出规格书操作部分...

评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：206KB 上传时间：2024-10-23

RQJ0435FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 MOSFET具有高速切换和低导通电阻的特点，广泛应用于开关电源、逆变器和其他电力电子设备中。RQJ0435FQDQS-VB作为一款N沟道MOSFET，其漏极和源极之间由N型掺杂材料构成，使得电流由漏极流向源极。 该产品的应用领域...

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：206KB 上传时间：2024-10-26

3416-VB一款N-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 应用说明中提到的3416-VB MOSFET特别适合于直流/直流转换器和高速开关应用。这是因为其在直流/直流转换器中可以有效地进行能量的转换，同时在高速开关应用中能够提供足够的电流驱动能力，并保证快速的开关动作。 ...

评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：219KB 上传时间：2024-09-12

RQJ0363FQDQS-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 MOSFET相比传统的双极型晶体管（BJT）具有低驱动电流和高速开关的优点。N沟道MOSFET中，漏极和源极是N型半导体，栅极则是绝缘的金属层。 在电子电路中，MOSFET的主要参数包括最大漏源电压（VDS），最大漏极电流（ID...

评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：401KB 上传时间：2024-10-21