Desarrollo y Caracterizacin de Fotomultiplicadores de

Silicio para NEXT.

David Lorca Galindo
27/09/2010
Resumen
El objetivo de este trabajo ha sido el estudio y caracterizacin de fotomultiplicadores
de silicio para NEXT, fijndonos en algunas de sus propiedades bsicas que deben ser
entendidas para su correcto funcionamiento dentro de una TPC de xenon. En particular
hemos realizado el estudio de un desplazador de longitud de onda que debe solucionar
la no sensibilidad de estos fotosensores a la luz ultravioleta procedente del depsito de
energa en el gas xenon.

Agradecimientos
La realizacin de este trabajo ha sido posible gracias a la ayuda de todo el equipo NEXT,
en particular de Nadia Yahlali y Makus Ball, quienes han sido artfices de ideas, criticas
constructivas y apoyo. Tambin quisiera agradecer a mi familia por todo el tiempo que me
han acompaado y que han estado ah. Agradecer tambin a todos aquellos que en mayor o
menor medida han aportado algo a este proyecto, motivandome para seguir adelante.
A todos ellos, mil gracias.

ndice
1. Introduccin
1.1. La naturaleza del neutrino y la desintegracin doble beta. . . . . . .
1.2. Experimentos de desintegracin doble beta sin emisin de neutrinos.
1.3. NEXT (Neutrinoless Experiment with Xenon TPC). . . . . . . . . .
1.4. Nuestra aportacin a NEXT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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4
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2. Investigacin y Desarrollo de Si-PMs.

2.1. Principio de funcionamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.2. Ganancia de los Si-PMs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.3. Efectos de la temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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3. Investigacin de un desplazador de longitud

3.1. Tetraphenyl Butadiene (TPB) . . . . . . . .
3.2. Mtodo de deposicin de TPB . . . . . . . .
3.3. Caracterizacin de los depsitos de TPB. . .

Si-PMs.
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de
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onda para
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4. Resultados y Discusin.
4.1. Ganancia de los Si-PMs en funcin del voltaje aplicado.
4.2. Efectos de temperatura sobre la ganancia. . . . . . . .
4.3. Depsito directo de TPB sobre Si-PMs. . . . . . . . . .
4.4. Depsito de TPB sobre cristales. . . . . . . . . . . . .
4.5. Homogeneidad del depsito de TPB. . . . . . . . . . .
4.6. Estudio de Autoabsorcin del depsito de TPB. . . . .

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5. Resumen, Conclusin y Perspectivas.

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6. Posibles aplicaciones en Fsica Mdica.

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1.
1.1.

Introduccin
La naturaleza del neutrino y la desintegracin doble beta.

El neutrino fue propuesto por primera vez en 1930 por el fsico austraco Wolfgang Pauli,
uno de los padres de la mecnica cuntica, como explicacin a la aparente prdida de energa
y momento lineal en la desintegracin de los neutrones.
n p + e + e
Pauli supuso la existencia de una partcula hipottica que intervendra en la desintegracin
incorporando las cantidades de energa y momento lineal perdidas. Esta partcula no tendra
masa, ni carga, ni interaccin fuerte, por lo que sera muy difcil detectarla con los medios
de la poca.
Slo un cuarto de siglo despus, en 1956, fue posible demostrar su existencia. Los fsicos
experimentales Frederick Reines y Clyde L. Cowan, Jr. fueron los responsables. Tras darse
cuenta de que los reactores nucleares podan proporcionar un flujo de 1013 neutrinos por
centmetro cuadrado y por segundo, montaron un experimento en el reactor nuclear de Hanford Site en 1953. [1]. Con este experimento se pretenda observar los fotones de aniquilacin
producidos por los positrones creados en la transformacin
e + p n + e+
Se utiliz un detector compuesto por un lquido de centelleo de flor rodeado de numerosos
tubos fotomultiplicadores para convertir las emisiones de luz en seal de impulsos elctricos.
Los neutrones se detectaban aadiendo Cd-108 al compuesto, estos neutrones eran capturados
produciendo Cd-109 excitado, que al desexcitarse produca fotones que podan ser detectados.
n +108 Cd 109 Cd 109 Cd +
Los resultados obtenidos no fueron aceptables, al observar un valor de fondo elevado
debido a la radiacin csmica, incluso cuando el reactor estaba apagado. Por esa razn el
detector se traslad a la planta de energa nuclear de Savannah River, Carolina del sur en
1955. En esta ocasin se protegi la localizacin del experimento, situndose a 11 metros del
reactor y a 12 metros bajo tierra. En 1956, finalmente, lograron detectar el neutrino. Por este
increble descubrimiento se les fue concedido el Premio Nobel en 1995. [1]
Segn el modelo estndar, los neutrinos son partculas de tipo ferminico, de spin + 12 , y
de masa nula, pero algunos experimentos como el de Oscilacin de Neutrinos han demostrado
que estos pueden variar su sabor leptnico (electrn, mun o tau) a medida que se desplazan.
Esta observacin es de suma importancia, ya que para que sea posible los neutrinos deben
de tener masa. Los neutrinos podran ser entonces partculas de Majorana, es decir, idnticas
a sus antipartculas. Neutrinos de Majorana proporcionan una muy buena explicacin a que
estas partculas tengan una masa tan pequea, adems, este tipo de partculas violaran la
conservacin del nmero leptnico, que junto con la violacin de CP-paridad es un ingrediente
bsico para explicar porqu la materia domina sobre la antimateria en nuestro universo. [2]
4

En la doble desintegracin beta con emisin de neutrinos, un ncleo inestable sufre una
desintegracin radiactiva por medio de dos desintegraciones beta simultaneas, ya que esta es
energticamente ms estable que la desintegracin beta nica. Este suceso ha sido observado
en varios ncleos y tiene una vida media del orden de 1019 1020 aos.
(A, Z) (A, Z + 2) + 2e + 2e
(A, Z) (A, Z 2) + 2e+ + 2e

Por ejemplo, en el caso del germanio-76, el istopo del nclido con el nmero atmico
inmediatamente superior, el arsnico-76, tiene una energa de enlace nuclear menor, lo que
impide que se produzca la desintegracin beta. Sin embargo, el istopo del nclido con el
nmero atmico del original ms dos, selenio-76, tiene una energa de enlace nuclear mayor,
as que el proceso de doble desintegracin beta est permitido en este caso.

Figura 1.1: Esquema de desintegracin por doble beta del Ge-76 a Se-76. Desintegracin
beta a As-76 prohibida energticamente.
Es en este punto donde existe un debate abierto entre los diferentes tipos de teoras
propuestas y su puesta en evidencia experimental; ya que si los neutrinos fuesen realmente
partculas de Majorana, esto se hara presente en la doble desintegracin beta sin emisin de
neutrinos (0 ).
(A, Z) (A, Z + 2) + 2e

En esta desintegracin, dos neutrones del ncleo principal produciran dos protones y dos
electrones, los dos neutrinos, al ser su propia antipartcula se aniquilaran, ocurriendo una
transicin interna cuyo diagrama de Feynman se muestra en la Figura 1.2.

Figura 1.2: Diagrama de Feynman de la desintegracin doble beta sin emisin de neutrinos.
[2]

Este fenmeno est prohibido segn el modelo estndar ya que viola la conservacin del
nmero leptnico en dos unidades, y choca frontalmente con la teora propuesta por Dirac
en la que neutrino y su antipartcula son partculas independientes.
Si esta desintegracin fuese posible, el conocimiento de su vida media nos proporcionara
informacin directa sobre la masa del neutrino; su vida media vendra dada por la expresin:
1
= m2 | M 0 | G0 (E0 , Z)
0
T
donde G0 (E0 , Z) es el factor del espacio de fases y | M 0 |un elemento de la matriz
nuclear.
En esas condiciones, la masa efectiva del neutrino sera definida como
m2 =|

Uei2 mi |2 =|

| Uei |2 ei mi |2

1.2.

Experimentos de desintegracin doble beta sin emisin de neutrinos.

En la bsqueda experimental de la doble desintegracin beta sin emisin de neutrinos,

deben de cumplirse una serie de requisitos que permitan discernir entre el suceso buscado,
(0 ), y cualquier otro suceso ocurrido. Para ello es importante tener tan altos valores de
resolucin en energa como sea posible, segn algunos estudios y simulaciones, menores del
1 %, junto con un buen sistema que permita reconocer la topologa del suceso; cualquier suceso
que no reconstruya fielmente la topologa buscada debe ser descartado ya que perturbara la
estadstica. Adems, se debe tener un extremo dominio y conocimiento del ruido de fondo
(background), debe reducirse al mximo posible, incluyendo materiales radiopuros que deben
ser perfectamente caracterizados para su posterior utilizacin en la construccin del detector.
Muchos experimentos han buscado anteriormente la doble desintegracin beta sin emisin
de neutrinos, (0 ), a continuacin pasamos a enumerar algunos de ellos, tanto pasados como
presentes, haciendo hincapi en su potencia, pero tambin en sus limitaciones.
Experimento Heidelberg-Moscow: busc la (0 ) del Ge-76 usando cinco detectores
de semiconduccin con una pureza extrema de enriquecimiento del 87 % de germanio.
Un grupo de trabajo de este experimento, liderado por H.V. Klapdor-Kleingrothaus,
dijo haber encontrado evidencias de (0 ), estimando su vida media en 1, 2 1025 aos,
correspondientes a una masa m de 240580meV. Este resultado no fue muy aceptado
en la comunidad cientfica ya que la seal observada fue muy dbil, adems de la
aparicin de otros picos que no pudieron ser explicados. [3]
Experimento IGEX: fue un experimento similar al anterior con el fin de entender este
inexplicable pico. Fue montado en el laboratorio subterrneo de Canfranc, pero no
encontr ninguna evidencia ya que su exposicin fue muy baja, tan solo 8,9 kg y.[4]
Experimentos GERDA y MAJORANA: realizados en colaboracin, siguen el mismo
procedimiento que los anteriores, logrando muy buenas resoluciones en energa (0,15 %
FWHM para Q ), aunque est limitado por su ineficiencia a la hora de rechazar el
fondo radiactivo.[5][6]
Experimentos CUORE y CUORICINO: busca la 0 del Te-128, utilizando un detector
bolomtrico capaz de medir la cantidad de potencia incidente sobre l; a pesar de tener
alta resolucin en energa, existen problemas con la caracterizacin del ruido de fondo
ya que es un detector segmentado, y los diferentes componentes son un problema para
el anlisis de datos. A travs de este sistema, se podra establecer lmites a la masa del
neutrino por debajo de 0,03 eV. [7]
Experimentos NEMO y SUPERNEMO: su principio de operacin esta basado en unas
finas hojas emisoras , rodeadas por unas cmaras reconstructoras de trazas y calormetros de plstico centelleador, capaces de medir la energa total del suceso. La
reconstruccin de la traza permite conocer la topologa del suceso y rechazar el ruido
7

de fondo. Sin embargo tiene una mala resolucin en energa, cercana al 14 %, por lo que
no es un detector competitivo.[8]
Experimento EXO: Enriche Xenon Observatory, es un proyecto actualmente en desarrollo que busca (0 ) utilizando Xe-136 liquido en una cmara TPC con 200 kg de
este material. Un logro obtenido recientemente es el desarrollo de un sistema capaz de
filtrar todo el ruido de fondo, incluido el proveniente de (2 ). [9]
Otros experimentos encargados de la bsqueda de 0 son mostrados en las tablas 1.1 y 1.2,
en ellas aparecen algunos parmetros de los experimentos, como son el istopo utilizado, la
tcnica empleada y la cota superior de masa que se espera alcanzar.

Tabla 1.1: Seleccin de experimentos pasados y presentes en la bsqueda de (0 ). [2]

Tabla 1.2: Algunos proyectos de nueva generacin en (0 ). [2]

1.3.

NEXT (Neutrinoless Experiment with Xenon TPC).

Como experimento competidor a los mencionados anteriormente para la bsqueda de la

doble desintegracin beta sin emisin de neutrinos, proponemos el experimento NEXT, ya
que satisface, como veremos a continuacin, todos los requisitos de exploracin, y soluciona
aquellos donde se fall anteriormente.
El proyecto NEXT, cuyas siglas hacen referencia a Neutrinoless Experiment with Xenon
TPC, o lo que es lo mismo Experimento sin Neutrinos con una TPC de Xenon, se est desarrollando actualmente en el Instituto de Fsica Corpuscular de Valencia (IFIC) en colaboracin
con otros centros nacionales como la Universidad Politcnica de Valencia, el Instituto de Fsica Nuclear y Altas Energas de la Universidad de Zaragoza, el Instituto ITACA de Valencia,
la Universidad de Santiago de Compostela, el CIEMAT de Madrid y el Institut de Fsica
dAltes Energes (IFAE) de Barcelona, adems de centros internacionales como el Lawrence
Berkeley National Laboratory de Berkley, USA, la Universidad de Coimbra en Portugal, y el
centro CEA de Saclay en Francia.
Actualmente se encuentra en fase de construccin y operacin con prototipos destinados
al desarrollo progresivo de las tecnologas asociadas a la TPC definitiva de NEXT. Con esta
idea se ha construido NEXT-0, actualmente bajo estudio, y se esta diseando el siguiente
paso, NEXT-1. El proyecto final que ser instalado en el laboratorio subterrneo de Canfranc
se denominar NEXT-100.

Figura 1.3:Prototipo NEXT-0. Se observan los diferentes componentes para entrada y

control del gas, as como el alojamiento de los fotosensores.
Dicho experimento consiste en una cmara de proyeccin temporal o TPC (Time Proyection Chamber), donde se introducirn unos 100 kg de gas xenon enriquecido con Xe-136 a
alta presin, por lo que tambin es llamada HPGXe TPC (High Pressure Gas Xenon Time
Projection Chamber). Debido a que el Xe-136 es emisor se espera observar adems de
(2 ), la desintegracin sin emisin de neutrinos, (0 ).
Cuando en el xenon se produce una desintegracin , dos electrones son emitidos produciendo en el gas excitacin e ionizacin de los tomos vecinos, la energa de este suceso,
9

Q = 2480keV , vendr repartida por los en el gas, a razn de 70 keV por cm de su trayectoria, lo que producir cargas libres en el gas. Para la deteccin de estas cargas, la cmara
contar con dos planos de detectores, uno a cada lado del cilindro como se indica en la figura 1.4. El primero estar compuesto por una matriz de Tubos Fotomultiplicadores (PMTs),
capaces de medir la energa del suceso con una resolucin mejor que el 1 %; al otro lado, un
plano de Fotomultiplicadores de Silicio (Si-PMs) permitirn reconstruir la traza del suceso
(track ) para aceptarlo como evento vlido o descartarlo. Todo esto incluyendo la presencia
de un campo elctrico de ms de 50.000 V entre ctodo y nodo para derivar las cargas.

Figura 1.4: Diseo conceptual del prototipo NEXT1-EL.

Tras la desintegracin , existe una excitacin de los tomos vecinos que al desexcitarse
producen una luz llamada Centelleo Primario (Primary Scintillation), una seal muy rpida,
del orden de unos 10 ns, que captaremos con los PMTs y servir como seal de inicio del
suceso, llamado t0 . Las cargas producidas por la desintegracin , debido al campo elctrico
existente en la cmara, sern derivadas hasta el nodo. Este nodo se encuentra vecino
al plano de Si-PMs, y est compuesto por dos rejillas entre las cuales existe un campo
kV
elctrico intenso, de entre 3 y 6 cmbar
, de manera que los electrones que lleguen producirn
Electroluminiscencia (EL) sin ionizacin secundaria. La ventaja de este procedimiento es que
es un fenmeno proporcional, es decir, la luz generada es directamente proporcional a la
cantidad de electrones que han llegado, por lo que se reducen las fluctuaciones estadsticas
en las seales en comparacin con las producidas en procesos de amplificacin exponencial
de cargas.
Una vez generada EL, esta es emitida isotropicamente, por lo que, suponiendo que la
TPC tiene una reflectividad perfecta, la mitad de la luz viajar hacia el plano de PMTs,
donde teniendo en cuenta la eficiencia de recoleccin, y otros parmetros podr medirse la
10

energa depositada en el gas por las de la desintegracin. La otra mitad de la luz ir a parar,
atravesando las rejillas del nodo, hasta el plano de Si-PMs, donde podr reconstruirse en 2D
la energa depositada espacialmente, o lo que es lo mismo, la traza del suceso. Esta traza se
espera que sea un lnea retorcida finalizada por unos cmulos de energa correspondientes al
Pico de Bragg, tal como se indica en la figura 1.5, ya que el poder de frenado de una partcula
( dE
) es mayor conforme disminuye su velocidad y por lo tanto su energa.
dx

Figura 1.5: Topologa de la traza correspondiente a la doble desintegracin . Se observa la

traza retorcida debido a un ( dE
) de 70 keV
, finalizada por dos cmulos debidos al Pico de
dx
cm
Bragg, en esta zona ( dE
) es de 200 keV
. [2]
dx
cm
El anlisis de la topologa de la traza nos permitir descartar cualquier suceso que no
corresponda con un evento , ya que toda seal que no posea una topologa como esta,
provendr del fondo radiactivo, pudiendo ser eliminada. Cada evento aceptado se incluir
en la estadstica de contaje, observndose un espectro contnuo de energa correspondiente a
(2 ), seguido de un pico debido a (0 ).

11

Figura 1.6: Espectro de la desintegracin . A la izquierda vemos el continuo

correspondiente a (2 ). A la derecha se observa el pico de (0 ).
Como resultado final, si el experimento tiene xito, se espera encontrar un espectro de
desintegracin como el indicado en la figura 1.6. En este espectro podemos observar la importancia de la resolucin en energa, ya que el pico correspondiente a (0 ), quedara oculto
por el continuo de (2 ) si esta no fuese mejor que el 1 %.
Gracias a este dispositivo descrito, esperamos que NEXT tenga mayor xito que sus
competidores directos (EXO y SUPERNEMO), ya que se basa en unos criterios de bsqueda
ms robustos, donde tenemos unos valores de resolucin en energa mejor que ningn otro,
adems de contar con un sistema mucho ms avanzado para eliminar el fondo radiactivo,
como es el tracking de las partculas en el gas.

12

1.4.

Nuestra aportacin a NEXT

El presente trabajo realizado dentro del grupo NEXT del IFIC, est centrado en el plano
de reconstruccin de trazas, es decir, en el plano formado por Si-PMs encargados de reconstruir las trazas de las partculas en el gas. Estos Fotomultiplicadores de Silicio, como
desarrollaremos en el siguiente captulo, son dispositivos de semiconduccin cuya respuesta
est directamente relacionada con el voltaje aplicado, por lo tanto debe realizarse una caracterizacin exhaustiva de todos los dispositivos para conocer su comportamiento de manera
que la respuesta de todos ellos sea uniforme. Adems debe establecerse un protocolo de uso y
calibracin que asegure el correcto funcionamiento de estos dispositivos a lo largo de la toma
de datos de NEXT.
Otro punto importante sobre el que hemos trabajado es el estudio de los depsitos de
un cambiador de longitud de onda o WLS (Wavelength Shifter) sobre los Si-PMs con el
fin de absorber la luz UV y reemitirla en el visible, zona de mxima sensibilidad de estos
fotosensores. Este material deber ser utilizado debido a que el xenon emite en una longitud
de onda centrada en el ultravioleta profundo (175 nm), en la que el Si-PM no es sensible, por
ello debemos modificar estas seales de manera que sean detectadas. Este estudio es de suma
importancia ya que debemos de conocer perfectamente todas las caractersticas de nuestro
WLS, para optimizar la eficiencia de deteccin de estos fotosensores.

13

2.
2.1.

Investigacin y Desarrollo de Si-PMs.

Principio de funcionamiento.

Los Fotomultiplicadores de Silicio utilizados en NEXT estn basados en un dispositivo

de estado slido, llamado Fotodiodo de Avalancha o APD (Avalanche Photodiodes), estos
dispositivos son bsicamente una unin p-n con un voltaje inverso aplicado (Reverse Bias
Voltage), que crea una zona de deplexin, o zona de creacin de cargas, en la que aparece un
campo elctrico debido a la diferencia de potencial existente, como se indica en la figura 2.1.
Cuando a esta zona llega un fotn con suficiente energa, produce un par electrn-hueco que
puede ser detectado.

Figura 2.1: Base de funcionamiento de un APD. Unin p-n con un voltaje inverso aplicado.
[10]
El comportamiento de este dispositivo es diferente dependiendo del voltaje de operacin.
Si este voltaje no llega a un valor mnimo, las cargas se recombinarn, por lo que no tendremos
ningn tipo de seal. A medida que aumentamos el voltaje de polarizacin, el campo elctrico
generado produce que las cargas se desplacen produciendo nuevos pares de cargas, por lo que
la seal generada ser proporcional a la cantidad de electrones que tenamos originalmente.
Nos encontramos en la Regin de Proporcionalidad. En esta zona la ganancia del dispositivo
se encuentra entre 50 y 50.000, y la seal es proporcional a la energa depositada por la
partcula incidente.

Figura 2.2: Esquema de la Regin de Proporcionalidad.[11]

14

Si continuamos aumentando el voltaje de polarizacin, el campo creado es ahora tan intenso que las cargas tienen energa suficiente como para producir nuevos pares, y estos a su
vez producen ms pares de cargas. la creacin de cargas crece exponencialmente producindose una Avalancha. En esta zona la ganancia es 106 , y se dice que el dispositivo trabaja
en modo Geiger.

Figura 2.3: Esquema de la Regin de Avalancha, o modo Geiger. [11]

La diferencia entre ambos modelos de operacin radica en los huecos, ya que en el modo
Proporcional, el campo elctrico no comunica suficiente energa a los huecos como para producir nuevos pares, mientras que en el modo Geiger, el voltaje es tan elevado que consigue
acelerar a los huecos con suficiente energa como para producir nuevos pares. [11]
En NEXT utilizaremos matrices de pequeos APDs funcionando en modo Geiger, como
se muestra en la figura 2.4, este tipo de configuracin es llamada MPPC (Multi-Pixel Photon
Counter) por el fabricante, en este caso Hamamatsu Photonics, por lo que nos referiremos
as a ella en lo sucesivo.

Figura 2.4: Izquierda: detalle de un MPPC, mostrando la matriz de APDs. Derecha: dos
MPPCs de Hamamatsu Photonics. [2]

15

Cada pxel del MPPC da un pulso de seal (carga) cuando detecta un fotn, por lo
que la seal total a la salida del MPPC es la suma total de las seales de cada uno de los
pixeles. Este comportamiento es de gran utilidad, ya que gracias a el, se puede distinguir
entre un fotn, y la llegada de varios fotones de la misma energa llegando al mismo instante.
Otras cualidades por las que se utilizaran los MPPCs en NEXT son su bajo voltaje de uso,
entorno a los 70 V, su alta ganancia, entorno a 106 dependiendo del voltaje aplicado, su alta
eficiencia de fotodeteccin, mayor a 65 % para 400 nm, y su bajo coste en comparacin con
otros dispositivos como APDs o PMTs.
El principal problema de la utilizacin de estos MPPCs es, como mencionamos anteriormente, que el rango espectral de sensibilidad de los detectores (Figura 2.5) no concuerda con
la longitud de onda de la desexcitacin del xenon (175 nm), es decir, nuestros detectores son
ciegos al evento buscado. Para ello es necesario introducir un cambiador de longitud de onda
que adecue la seal a la sensibilidad de las MPPCs.

Figura 2.5: Eficiencia de Fotodeteccin de los diferentes MPPCs. [2]

Otro problema de vital importancia es la dependencia de la ganancia de los Si-PMs en
funcin del voltaje. Debido al gran nmero de MPPCs que sern utilizados en NEXT-1
(unos 300), es imposible alimentarlos a todos ellos independientemente, por lo que debemos
de encontrar alguna forma de agruparlos de manera que la dispersin en ganancia sea mnima.
Para ello es imprescindible conocer su ganancia en funcin del voltaje de operacin.
Adems, deben tenerse en cuenta los efectos producidos por la temperatura, ya que la
respuesta de los dispositivos tambin se ver afectada, como veremos posteriormente, por
cambios en la temperatura del sistema.
Los MPPCs elegidos para NEXT-1 son de la serie S10362 de Hamamatsu Photonics, cuyas
propiedades ms relevantes se muestran en la tabla 2.1:

16

Parametro
Tamao del chip
rea efectiva
Tamao del pxel
Rango espectral de respuesta
Pico de sensibilidad
Eficiencia cuntica (Min)
Voltaje recomendado
Resolucin temporal
Ganancia

MPPC 025C
1,5x1,5
1x1
25x25
270-900
440
70
70
200 a 300
2,75 105

MPPC 050C
1,5x1,5
1x1
50x50
270-900
440
70
70
200 a 300
7,5 105

Unidades
mm
mm
m
nm
nm
%
V
ps
-

Tabla 2.1: Caractersticas de los MPPCs de Hamamatsu.

2.2.

Ganancia de los Si-PMs.

El principal tema a tratar es el efecto del voltaje de operacin de los Si-PMs sobre la
Ganancia de estos dispositivos, pues como hemos dicho anteriormente tiene una dependencia
total sobre este valor, ya que al variar el voltaje de operacin variamos la zona de creacin
de cargas amplificndose de diferente manera la seal. Tambin mostraremos como se realiza
la medicin de la ganancia de estos dispositivos.
Para este estudio utilizaremos dos MPPC de Hamamatsu, un S10362-11-025C y un
S10362-11-050C cuyas diferencias se muestran en la Tabla 2.1, a los que alimentaremos con
diferentes voltajes de operacin. Cada MPPC debe ser implementado en un circuito amplificador para tener seales apreciables (Figura 2.6). Los MPPCs son alimentados mediante
una fuente de tensin KEITHLEY 6487, capaz de proporcionar hasta 500V, que adems
tiene incluida la funcin de Picoammetro, por lo que puede medir corrientes en un rango
comprendido entre 20 fA a 20 mA.
Como fuente de luz para iluminar el MPPC usamos un LED de 400 nm que debe tener
la frecuencia de pulsos adecuada para no saturar el detector, es decir, el espaciado temporal
entre pulsos de luz debe ser menor que el tiempo de respuesta del detector, como este tiempo
de respuesta es del orden de picosegundos, nos aseguramos con una frecuencia de pulsos de
1 MHz y una anchura de pulso de 30 ns. Para ello utilizamos un generador de funciones
AGILENT 33250A.

17

Figura 2.6: Izquierda: Circuito amplificador con el Si-PM conectado. Derecha: Esquema del
circuito amplificador.

Una vez realizado este montaje, observamos en el osciloscopio la seal correspondiente a la

deteccin de fotones por el MPPC. En la Figura 2.7 se observa la seal de trigger procedente
del generador de pulsos que alimenta la LED y que permite capturar la seal en coincidencia
con los pulsos de luz de la LED. Con este procedimiento se construye un histograma de la
carga generada en cada una de las detecciones. Este histograma consta de al menos 5000
entradas.

Figura 2.7: Captura de imagen del osciloscopio. Arriba pulso correspondiente a una
deteccin y seal del trigger. Abajo histograma de carga de los eventos.
Obtenido el Histograma, pasamos a su anlisis para obtener la Ganancia de nuestro
detector. Como explicamos con anterioridad, el MPPC es una matriz de APDs donde la carga
total recogida a la salida es la suma de la carga recogida por cada APD, por lo tanto los
diferentes picos del histograma corresponden a la coincidencia en el detector de varios fotones,
es decir, leyendo de derecha a izquierda, el segundo pico del histograma corresponde a la
llegada de un fotn, el tercero a la llegada en coincidencia de dos fotones, y as sucesivamente.
El primer pico es llamado pedestal, es el cero del ADC correspondiente a la ausencia de seal
18

[12]. Conocido que representa cada uno de los picos podemos entender que la diferencia entre
el nmero de canales de dos de ellos consecutivos corresponder con la carga producida por
un solo fotn, en ese caso podemos obtener la amplificacin de carga producida o lo que es
lo mismo, la Ganancia del sistema, que puede ser calculada utilizando la expresin:
G=

P icos(V s)
e Rosciloscopio

donde e representa la unidad de carga electrnica (e = 1, 602 1019 C), Rosciloscopio =

50, y como P icos tomaremos la media aritmtica de la diferencia entre todos los picos
consecutivos del espectro de carga. [16]

2.3.

Efectos de la temperatura.

Otra propiedad que debe ser estudiada es, como mencionamos anteriormente, el efecto
de la temperatura sobre la ganancia de los MPPCs. Esta sensibilidad a la temperatura es
debida a que la zona de deplexin se ve afectada por la temperatura, ya que un aumento de
esta incrementa la excitacin trmica de las cargas que pueden invadir la zona de deplexin,
reducindola y modificando por ello la Ganancia del dispositivo.
Para el estudio de este efecto realizaremos el montaje mostrado en la Figura 2.8, similar
al anterior, y en el que implementamos una clula peltier en contacto con el MPPC. Este
dispositivo electrnico es capaz de crear una diferencia trmica a partir de una diferencia
de potencial, y por tanto modificar la temperatura del MPPC. Tambin incluiremos un
termmetro digital DS18B20, que mediante una medida de su resistividad permite medir la
temperatura con una precisin de 0,5C. Al igual que antes, iluminaremos el MPPC con
un LED de 400 nm.

Figura 2.8: Montaje utilizado, en la imagen aparece la clula peltier en blanco junto con el
Si-PM y el termmetro digital en verde.
Con este dispositivo medimos la ganancia de un MPPC S10362-11-025C de Hamamatsu
a diferentes temperaturas.
19

3.
3.1.

Investigacin de un desplazador de longitud de onda

para Si-PMs.
Tetraphenyl Butadiene (TPB)

La eleccin tomada para solucionar el problema de la insensibilidad de los Si-PMs a las

seales de centelleo del xenon, es el uso de un cambiador de longitud de onda o Wavelength
Shifter (WLS); existen varios compuestos qumicos utilizados actualmente como se indica
en la Tabla 3.1, pero en nuestro caso utilizaremos TPB (Tetraphenyl Butadiene), ya que su
espectro de emisin se adecua al espectro de sensibilidad del Si-PM.

Tabla 3.1: Diferentes WLS con su espectro de emisin. [13]

El TPB es una molcula orgnica que, debido a su estructura de niveles energticos es
capaz de absorber ciertas longitudes de onda del ultravioleta profundo, normalmente entorno
a 175nm, adquiriendo una excitacin energtica; para la desexcitacin reemite el exceso de
energa repartindola en fotones de menor longitud de onda, pero siempre en un rango comprendido entre 400-480 nm. El centro del rango de emisin es 440 nm, lo que concuerda con
el centro de mxima sensibilidad de los MPPCs.[14]

Figura 3.1: Izquierda: esquema de absorcin-emisin del TPB. Derecha: espectro de emisin
del TPB. [14]
20

Una propiedad fundamental del depsito TPB a tener en cuenta, es la dependencia directa
de la eficiencia de conversin de esta molcula en funcin del espesor del depsito. Se ha
demostrado en estudios anteriores que existe un espesor del depsito para el cual la eficiencia
de conversin es mxima. Esta propiedad ser estudiada, esperando en nuestro caso obtener
un comportamiento similar sobre los Si-PMs.[14]

Figura 3.2: Eficiencia de conversin en funcin de la densidad de TPB utilizado.[14]

mg
La eficiencia de conversin parece tener un mximo alrededor de 0, 05 cm
2 , disminuyendo
con el incremento de TPB, por lo que debemos ser muy rigurosos a la hora de determinar el
espesor de TPB que utilizaremos para cubrir los Si-PMs.

Esta molcula ha sido depositada siguiendo un riguroso procedimiento experimental en el

cual se han podido controlar algunos parmetros importantes como el espesor del depsito y
la temperatura de operacin.

3.2.

Mtodo de deposicin de TPB

El proceso de deposicin de TPB se realiza dentro de una cmara de vaco que cuenta
con los sistemas adecuados para poder controlar presin y temperatura dentro de ella. El
procedimiento consiste en calentar en vaco la molcula, que inicialmente se encuentra en
forma de polvo, hasta su evaporacin. Ese vapor de TPB se ir depositando sobre la superficie
expuesta a l en un tiempo suficiente para conseguir el espesor buscado.
Esta tcnica de deposicin la hemos llevado a cabo en dos laboratorios diferentes, la
primera experiencia se realiz en el Laboratorio de James White en TAMU (Texas A&M
University), donde el espesor de la deposicin se determinaba controlando la distancia de
la superficie expuesta a la muestra de TPB. Esta tcnica ha sido desarrollada y construida
en dicho laboratorio basndose en estudios anteriores, en los que se ha establecido que una
evaporacin de 0.1 gr de TPB a 8 cm de distancia de la superficie permita obtener un
depsito de 1,0 mgr
.[15]
cm2
21

Figura 3.3: Izquierda superior: Cmara de vaco construida por el equipo de James White
en TAMU. Izquierda inferior: Interior de la cmara de vaco en el que aparece el disco de
cuarzo en cuya superficie se deposita el TPB. Derecha: Detalle del soporte interior de la
cmara, se observa el crisol donde se calienta la molcula de TPB.[16]
Utilizando estas instalaciones y con una temperatura de evaporacin de 212 C y una
mg
presin de vaco de 2 105 mbar , se logr depositar 1.0 cm
2 sobre un cristal de cuarzo y una
placa formada por 19 Si-PMs, consiguiendo un deposito (coating) no perfectamente uniforme
y de aspecto lechoso (Figura 3.4)

mg
Figura 3.4: Izquierda: Depsito de 1,0 cm
2 de TPB sobre cristal de cuarzo. Derecha:
mg
Depsito de 1,0 cm
de
TPB
sobre placa de 19 Si-PMs.[16]
2

La segunda experiencia para la deposicin del TPB en la que tom parte activa se llev a
cabo en el Instituto de Ciencia Molecular de Valencia (ICMOL), donde se encuentra instalada
una sala limpia de clase 10000, lo que determina fuertemente la calidad del depsito. El equipo
empleado consta de un equipo comercial que cuenta con una atmsfera de Nitrgeno, dentro
de esta atmsfera de N2 se encuentra la cmara de evaporacin, mucho ms sofisticada que la
22

anterior, que nos permite realizar diferentes deposiciones al mismo tiempo, ya que cuenta con
4 evaporadores independientes. La tcnica empleada es similar al mtodo de James White,
sin embargo la determinacin del espesor de la deposicin se realiza gracias a unos detectores
de cristales de oro, que por efecto piezoelctrico son capaces de detectar la velocidad de
evaporacin y el grosor de la deposicin.

Figura 3.5: Izquierda: Cmara con atmsfera de Nitrgeno instalada en la sala limpia.
Derecha: Detalle del interior de la cmara de evaporacin.[16]
Gracias al empleo de estos detectores de oro, podamos parar la deposicin al llegar al
espesor deseado activando un bloqueador (shutter ) que protega las muestras. Adems, el
hecho de que estas muestras estuviesen colocadas en un soporte giratorio eliminaba la no
uniformidad de las deposiciones como ocurra con el mtodo anterior. Tambin, gracias al
uso de esta cmara pudimos realizar la deposicin en unas condiciones ptimas de vaco
9 107 mbar, temperatura 110 C y limpieza.
En estas condiciones conseguimos realizar diferentes configuraciones, depositando el TPB
directamente sobre los Si-PMs montados en sus placas electrnicas, y tambin sobre cristales
proporcionados por el ICMOL para realizar diferentes estudios. Estos cristales utilizados
tienen un depsito o capa superficial de Dixido de Titanio (TiO2 ) y Dixido de Estao
(SnO2 ) los cuales presentan propiedades fotocatalticas, hidrifbicas y de endurecimiento. El
TiO2 es un bloqueador de UV por lo que habr que tenerlo en cuenta en nuestro estudio.

23

Figura 3.6: Imagen de una placa con 5 Si-PMs (izquierda) y un cristal de TiO2 /SnO2
(derecha) en los cuales se ha depositado TPB.
Finalmente, las deposiciones obtenidas fueron, 4 PCBs (Printed Circuit Board) o placas
electrnicas con 5 Si-PMs en cada una de ellas con dos tamaos de pxel diferentes, 25 y 50
m, y 4 cristales de muestra, a diferentes grosores de TPB como se muestra en la tabla 3.1.
PCB
1
2
3
4

Si-PM Pixel
(m)
25
25
50
50

Cristal
TiO2 SnO2
1
2
3
4

Grosor TPB
(kA)
0,571
2,273
1,340
2,272
6,8

Densidad TPB
mg
( cm
2)
0,05
0,2
0,1
0,2
0,6

Tabla 3.2: Deposiciones obtenidas en el ICMOL.

Estos valores de grosor de TPB vienen determinados directamente por los detectores de
oro. Para calcular la densidad depositada es necesario conocer que cantidad de TPB ha sido
depositado sobre la superficie conocida del cristal. Para ello, se pesa el cristal antes y despus
de la deposicin, la diferencia de masa ser la cantidad de TPB depositado. Calculando el
cociente entre esta masa de TPB y el rea del cristal (3x3 cm2 ) obtenemos la densidad de la
deposicin.
El estudio intensivo y resultados de la utilizacin de este componente se llevar a cabo en
los siguientes apartados, pero un primer ejemplo de que el TPB cumple con la funcin para
la que fue elegido se puede observar en la Figura 3.7, en la que un cristal cubierto con TPB
esta iluminado con luz ultravioleta (254 nm), y por lo tanto no visible, y esta es reemitida
en el visible, con un tono azulado, correspondiente al pico de emisin centrado en 440 nm.

24

Figura 3.7: Muestra de TPB iluminada con luz UV y reemitiendo en azul.

En el siguiente apartado explicaremos los procedimientos empleados para caracterizar los
depsitos de TPB obtenidos.

3.3.

Caracterizacin de los depsitos de TPB.

El objetivo principal ser estudiar el comportamiento del TPB y su efecto en los Si-PMs,
bien depositado directamente sobre ellos o bien a travs de un cristal cubierto con TPB.
La primera propiedad que observaremos ser el efecto de la deposicin directa del TPB
sobre los Si-PMs. Lo que se espera observar es un aumento significativo de la respuesta de
los Si-PMs a las longitudes de onda cercanas al espectro de emisin del xenon. Para ello
mediremos la respuesta de los Si-PMs antes y despus de depositar el TPB. Asegurando
que las condiciones de medida e iluminacin son las mismas, podemos afirmar que el efecto
observado es debido nicamente al TPB.
Para ello colocamos la PCB en un soporte fijo y la iluminamos con un LED, introduciendo
un colimador obtenemos un cono de luz centrado directamente sobre el Si-PM que nos interesa
en cada momento. La seal de inters ser la corriente generada en el detector, que ser
recogida para su posterior comparacin. Este proceso ser repetido para todos Si-PMs y con
todas las longitudes de onda con las que contamos (260 a 400 nm) para poder tener un estudio
exhaustivo.

25

Figura 3.8:Montaje realizado. Se observa la PCB en su soporte con la electrnica asociada.

El LED colimado incide nicamente sobre uno de los Si-PMs.
Es muy importante que los parmetros del sistema: voltaje de operacin del Si-PM, distancia entre LED y Si-PM, frecuencia y anchura de pulsos de luz y temperatura sean los
mismos antes y despus de la deposicin para asegurarnos que la intensidad de luz que llega
a los Si-PMs y la ganancia de este sea constante, de otra forma el efecto observado no sera
nicamente debido a la introduccin del TPB.
Otro efecto que estudiaremos ser el comportamiento del TPB depositado sobre los cristales. Para ello realizaremos el mismo montaje mostrado en la Figura 3.8, al que aadiremos
un soporte de tefln que permita sujetar el cristal ante la PCB. Mediremos el incremento de
seal producido en una PCB de referencia al colocar ante ella un cristal con diferentes espesores de TPB. Este estudio es debido a la necesidad de conocer que configuracin presenta
ms ventajas en el diseo de NEXT-1, ya que el depsito directo sobre Si-PMs imposibilita
su reutilizacin.

26

Figura 3.9: Izquierda: PCB de referencia con un cristal cubierto de TPB frente a ella.
Derecha: Montaje realizado operando.
Tambin estudiamos la uniformidad del TPB depositado en ICMOL observando la respuesta del sistema en diferentes orientaciones del cristal, este estudio es de gran importancia
ya que como mencionamos anteriormente, una diferencia de espesor induce una diferencia en
la eficiencia de conversin, por lo tanto la variacin de la uniformidad sobre la superficie del
depsito debe ser medida.
Por ultimo, realizamos el estudio de la autoabsorcin del TPB a 440 nm, ya que este
es el pico de emisin, y necesitamos conocer qu porcentaje de luz emitida por el TPB es
autoabsorbido.

27

4.
4.1.

Resultados y Discusin.
Ganancia de los Si-PMs en funcin del voltaje aplicado.

Como planteamos anteriormente, el estudio de la variacin de ganancia de los Si-PMs en

funcin de su voltaje de operacin es de gran importancia, ya que, debido al gran nmero de
detectores que utilizaremos en NEXT ser imposible proporcionar un voltaje individual a cada
uno de ellos que asegure la misma ganancia a todos. Por ello analizaremos el comportamiento
de dos Si-PM a diferentes voltajes de operacin, para determinar una curva de ganancia en
funcin de su voltaje de operacin.
En primer lugar describimos un ejemplo del clculo de la Ganancia de uno de los Si-PM,
en el que el voltaje de operacin aplicado es el recomendado por Hamamatsu UBias = 71, 4V ,
y que corresponde a una ganancia G = 2, 75 105 . Con el programa de clculo ROOT,
analizamos el histograma de carga obtenido a este voltaje, realizando un ajuste gaussiano de
cada uno de los picos.

Figura 4.1: Ajuste gaussiano del pico de 1 p.e. con una funcin gaussiana mediante ROOT.
Pico
1
2
3
4
5
6

Centroide (V s)
3, 44 1011
5, 40 1011
7, 48 1011
9, 36 1011
11, 41 1011
13, 24 1011

(V s)
2, 51 1013
2, 53 1013
3, 05 1013
4, 41 1013
5, 02 1013
5, 28 1013

Tabla 4.1: Centroides del histograma obtenidos por ajuste gaussiano.

28

Si calculamos la media aritmtica del nmero de canales existente entre picos, este es
P icos = 1, 96 0, 096 (V s), entonces la ganancia obtenida para el dispositivo montado
ser:
1, 96 1011 V s
G=
= (2, 4 0, 1) 106
19
1, 602 10 C 50

Observamos que este valor de la ganancia obtenido es un orden de magnitud superior al

proporcionado por el fabricante, esto es debido a la presencia del circuito amplificador donde
est implementado el Si-PM. El valor de amplificacin de este circuito es de un factor 10,
luego la Ganancia Real del Si-PM ser:
G = (2,4 0,1) 105
El valor de Ganancia obtenido es prcticamente similar al proporcionado por Hamamatsu,
aunque existen pequeas diferencias debido a otros factores que sern analizados posteriormente, como son los efectos de la temperatura sobre la ganancia de los Si-PM.
El procedimiento seguido ser repetido para diferentes voltajes de operacin comprendidos
entre 71.4 V y 73.4 V de dos modelos de Si-PM con diferente pixelizacin (25m y 50m),
de manera que se pueda obtener una curva de comportamiento entre voltaje de operacin y
ganancia.

Figura 4.2: Izquierda: Curvas de Ganancia de dos MPPCs 025C. Derecha: Curvas de
Ganancia de un MPPC 025C y 050C.
En la figura 4.2 se muestran las curvas de ganancia de dos tipos de MPPCs, a la izquierda
se encuentran los ajustes de ganancia para dos MPPCs del tipo 025C , mientras que a la
derecha se observan la comparativa entre un 025C (marcador cuadrado), y 050C (marcador
triangular). El ajuste lineal realizado para estos valores es el siguiente:

29

G=aV +b
MPPC
025C
025C
050C

a(V 1 )
1, 00 0, 13
1, 14 0, 19
5, 50 0, 22

b
69 9
79 13
385 18

2
0, 299
0, 144
0, 112

Tabla 4.2: Valores del ajuste de Ganancia.

Como se puede observar en las grficas anteriores, la Ganancia tiene una dependencia
lineal con el voltaje de alimentacin de cada MPPC, esta tendencia es aproximadamente la
misma para los MPPCs del mismo tipo 025C, siendo ligeramente superior para 050C, estos
resultados estn en concordancia con los proporcionados por Hamamatsu para los valores
de ganancia de estos dispositivos. Luego este comportamiento deber ser tenido en cuenta
a la hora de seleccionar los MPPCs adecuados para la construccin de NEXT-1. Se deben
seleccionar los que estn ms cercanos en voltajes de operacin, de manera que, aunque no
tengan el mismo valor de ganancia podremos asegurar que los valores son cercanos dentro de
una dispersin del 5 %.

4.2.

Efectos de temperatura sobre la ganancia.

El objetivo de este estudio es conocer el comportamiento de los MPPCs en funcin de la

temperatura, para ello medimos la ganancia de estos dispositivos para diferentes temperaturas.
Observamos primero como se modifica la ganancia de un MPPC con la temperatura,
realizando un clculo de la ganancia del dispositivo a diferentes temperaturas usando una
clula peltier con diferentes voltajes de alimentacin (0, 1.5, 2.5 V), de manera que se pueda
establecer diferentes temperaturas en el Si-PM. Una vez observado que se ha alcanzado
el equilibrio en el termmetro, registramos la temperatura y procedemos al clculo de la
Ganancia.
A continuacin, observamos de qu manera pueden compensarse las variaciones de ganancia producidas por la temperatura aplicando un voltaje de operacin diferente de los MPPCs
diferente. En este caso medimos la corriente producida en el MPPC, ya que esta es proporcional a la Ganancia. Utilizamos como referencia la corriente producida cuando la clula peltier
se encuentra a 0V, lo que corresponde con una temperatura ambiente, ajustamos el voltaje
de alimentacin del MPPC de manera que este valor de corriente sea constante, en ese caso
calculamos la ganancia y vemos cmo se modifica.

30

Figura 4.3: Ganancia de un MPPC 025C en funcin de la Temperatura.

En la Figura 4.3 se pueden observar los resultados de las dos configuraciones explicadas
anteriormente. Los marcadores cuadrados corresponden a la primera configuracin, donde el
voltaje de alimentacin del MPPC permanece constante a 71.4V. Se observa que la ganancia
del MPPC disminuye conforme aumenta la temperatura, esto concuerda con los resultados
de Hamamatsu [17] y con nuestra hiptesis de partida, que considera que la disminucin de
la zona de creacin de cargas produce una reduccin de la ganancia. Los marcadores triangulares corresponden a las correcciones realizadas sobre el voltaje de alimentacin del MPPC,
observndose una compensacin sobre los efectos de temperatura. Este estudio se completa
con la Figura 4.4, donde se observa la dependencia directa entre el voltaje de operacin del
MPPC y la Temperatura para mantener la ganancia del MPPC al valor constante de 3,5105 .

31

Figura 4.4: Voltaje de operacin de un MPPC en funcin de la Temperatura para mantener

constante la ganancia del MPPC a 3,5 105 .
Este comportamiento lineal entre voltaje de operacin y temperatura tiene el mismo
comportamiento que el esperado por Hamamatsu [17], siendo los valores de este ajuste:
V =aT +b
1
a( C
)
0,0990

b
69,637

2
6,998

Tabla 4.3: Valor de ajuste de la curva de voltaje de operacin en funcin de temperatura.

4.3.

Depsito directo de TPB sobre Si-PMs.

En este apartado nos centramos en el estudio de la eficiencia de conversin del TPB sobre
nuestros Si-PMs, ya que necesitamos conocer cual es el efecto del grosor de TPB (Thickness)
sobre nuestros detectores.
Para ello medimos la respuesta de los detectores antes y despus de las deposiciones de
TPB controlando que las condiciones de iluminacin y temperatura ambiente (22 C) son las
mismas. Utilizamos el juego de LEDs indicado en la Tabla 4.4 para iluminar cada Si-PM con
un LED de manera que la zona activa del detector se encuentre en el centro del cono de luz
producido por la LED.

32

Modelo
LED 400-520D
LED 370E
LED 341W
LED 315W
LED 285W
LED 260W

Pico de Emisin (nm)

400
375
340
315
285
260

FWHM (nm)
15
10
10
5
5
12

Tabla 4.4: Juego de LEDs utilizado.

El procedimiento es el siguiente: utilizando el Picoammetro KEITHLEY 6487, tomamos
una serie de 100 medidas de la corriente generada en el detector en cada una de las exposiciones a la luz de diferentes longitudes de onda. Tomamos el valor de la media aritmtica de
la serie de medidas con su error asociado. El cociente entre las corrientes generadas antes y
despus de la deposicin de TPB ser el porcentaje de variacin de la seal debido al TPB.
Se
nal =

IT P B IRef erencia
100( %)
IRef erencia

donde IRef erencia corresponde al valor de corriente producido en el Si-PM antes de depositar el TPB, e IT P B corresponde con la corriente producida tras la deposicin de TPB.
El error de este clculo lo hemos obtenido por propagacin de errores mediante la expresin:
Error(IT P B ) Error(IRef erencia )
IT P B
Error(Se
nal) = (
+
))
IT P B
IRef erencia
IRef erencia
En la Figura 4.5 se muestran los resultados obtenidos para diferentes longitudes de onda
en funcin del espesor de TPB depositado. Los valores corresponden con los valores medios
asociados a los 5 Si-PMs implementados en cada PCB.

33

Figura 4.5: Incremento medio de corriente en los 5 Si-PMs con TPB depositado
directamente sobre ellos de una PCB.
34

Si nos fijamos en las bajas longitudes de onda (260-315nm) podemos observar como existe
un incremento de la seal observada por el detector, ya que el TPB esta cambiando parte de
la luz que llega a l a la zona donde el detector es ms sensible. Tambin se puede observar
como este efecto depende directamente del grosor de la deposicin, teniendo el mximo en
mg
0, 05 cm
2 ; estos resultados estn en concordancia con estudios anteriores. [13][14][18]
Por otro lado, si nos fijamos en las longitudes de onda superiores (341-400 nm), se observa
que existe una reduccin de la seal medida, esto es debido a que el TPB para estas longitudes
de onda simplemente transmite la luz, existiendo parte de esta luz que es absorbida.
Esta absorcin, como se mostrar posteriormente (apartado 4.6), depende directamente
del grosor de la deposicin, y presenta un mximo de absorcin para la longitud de onda de
341 nm, como se puede observar en la grfica correspondiente.
En los errores incluidos en las grficas de la Figura 4.5 no se han considerado los errores
debidos a la desuniformidad del depsito y que sern evaluados en el apartado 4.5.

4.4.

Depsito de TPB sobre cristales.

En este apartado evaluaremos las deposiciones de TPB realizadas sobre cristales. Estas
deposiciones fueron realizadas con diferentes intenciones, la primera de ellas fue la calibracin
y puesta a punto del sistema de deposicin para asegurar que cumplan con nuestros requisitos. Adems nos sirven para evaluar la posibilidad de realizar los depsitos sobre cristales
en lugar de sobre los Si-PMs, ya que esta configuracin podra ser ventajosa por razones
prcticas.
Debido a que estas deposiciones se han realizado sobre cristales, es interesante conocer
como se comportan para diferentes longitudes de onda. Para ello realizaremos un estudio
de la transmitancia de estos cristales a diferentes longitudes de onda. Esta medida se ha
realizado utilizando un PMT de Hamamatsu modelo R8520 [19], comparando la amplitud de
la seal producida en el detector al interponer entre l y la LED, el cristal bajo estudio y
compararla con la seal en ausencia de cristal.

35

Figura 4.6: Transmitancia del cristal utilizado para las deposiciones de TPB.
Como se observa en la Figura 4.6, la transmitancia del cristal disminuye considerablemente
con la longitud de onda. Este efecto es debido a que el componente T iO2 con el que el cristal
est cubierto es un bloqueador de radiacin UV.
Una vez estudiada la transmitancia del cristal, mediremos la eficiencia de conversin de las
deposiciones sobre cristales en funcin de la cantidad de TPB depositado. El procedimiento
empleado para el clculo es el mismo que el utilizado en el apartado 4.3, aunque este estudio
solo se ha realizado para la longitud de onda de 260 nm ya que esta es la ms cercana a la
radiacin proveniente del xenon.

Figura 4.7: Incremento medio de seal producido en los 5 Si-PMs de una PCB de referencia.
En la Figura 4.7 puede observarse como la eficiencia de conversin del TPB depositado
sobre cristales sigue la misma tendencia que el depositado directamente sobre los Si-PMs.
36

Un incremento en el grosor de TPB depositado produce una disminucin en la eficiencia de

conversin. Observamos que el valor absoluto de la intensidad de la seal medida se reduce
notablemente, este efecto puede ser comprendido si se piensa en la composicin del cristal
empleado (TiO2 / SnO2 ), ya que como mencionamos anteriormente bloquea gran cantidad de
luz en el rango UV profundo.
A la vista de estos resultados, ya podemos dar una primera conclusin sobre que configuracin parece ser la adecuada; basndonos en los resultados obtenidos en los apartados 4.3 y
4.4, podemos afirmar que la deposicin directa de la molcula sobre los MPPCs proporciona
mg
una mejor respuesta, siendo esta ptima para el espesor de 0, 05 cm
2.

4.5.

Homogeneidad del depsito de TPB.

En este apartado realizamos el estudio de la homogeneidad de las deposiciones realizadas

sobre cristales en el ICMOL. Utilizaremos los cristales donde hemos depositado diferentes
espesores de TPB, observando el comportamiento de cada uno de ellos en diferentes posiciones. Utilizando una PCB con 5 Si-PMs como las usadas anteriormente, colocamos el cristal
sobre esta placa e iluminando con una fuente de luz colimada, registramos la respuesta de
un solo Si-PM colocado sucesivamente en cada una de las cuatro posiciones del cristal. Este
estudio se repite para cuatro Si-PMs diferentes para asegurar que la sistemtica es correcta.

Figura 4.8: Esquema de las zonas consideradas en un cristal con TPB para el estudio de la
uniformidad del depsito.

37

El objetivo del estudio es observar la dispersin de corriente en el Si-PM en funcin del

espesor, ya que esta dispersin nos dar cuenta de la no homogeneidad de la deposicin.
Dev. Std. (%)

Homogeneidad
10
9
8
7
6
5
4
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5
0.6
Espesor TPB [mg/cm2]

Figura 4.9: Dispersin de la corriente medida por un Si-PM a travs de las cuatro zonas del
cristal.
En la Figura 4.9 se muestran las desviaciones standar de la serie de medidas realizadas
por un Si-PM en las cuatro divisiones del cristal. El comportamiento es el mismo para el
resto de Si-PMs de la misma PCB.
Como se puede observar en la Figura 4.9 la desviacin standar correspondiente a la serie de
medidas de un Si-PM en las diferentes divisiones del cristal, aumenta conforme disminuimos
el espesor de la deposicin de TPB, por lo que podemos asegurar que la homogeneidad
es peor para bajos espesores. Este efecto puede ser entendido si se piensa en la tcnica
empleada durante la deposicin, en la que las muestras se hacan girar mientras se evaporaba
el TPB. La velocidad de rotacin de las muestras era constante independientemente del
espesor propuesto, por tanto la deposicin era de peor calidad para bajos espesores.
Por este motivo, para la futura produccin de Si-PMs con TPB en NEXT, debera de
encontrarse un compromiso entre eficiencia de conversin y homogeneidad de la deposicin.
Para ello, sera conveniente aumentar el grosor de la deposicin, y por tanto disminuir la
eficiencia de conversin, a cambio de obtener una mejora en la homogeneidad de la capa de
TPB.

4.6.

Estudio de Autoabsorcin del depsito de TPB.

Como ltimo punto realizamos un estudio de la Autoabsorcin del TPB, ya que un factor
muy importante a conocer de esta molcula es que cantidad de luz no es capaz de atravesar la
deposicin. Como el objetivo principal de esta molcula es convertir la luz a 440 nm, realizaremos el estudio para esta longitud de onda, suponiendo que tras la conversin de longitudes
38

de onda cercanas a 175 nm, existir una cantidad de esta luz que ser autoabsorbida por el
TPB.
Haciendo uso de los cristales con diferentes espesores de TPB, observamos cual es la
respuesta de un PMT de Hamamatsu modelo R8520 [19] a la iluminacin con un LED de
450 nm. Midiendo la diferencia entre las amplitudes de la seal generada en el PMT con el
cristal sin depsito y con los cristales con TPB, conocemos que fraccin de luz no es capaz
de atravesar los depsitos.

Figura 4.10: Esquema del montaje empleado para la determinacin de la Autoabsorcin de

TPB.

Figura 4.11: Autoabsorcin de TPB en funcin del espesor.

En la Figura 4.11 se muestra la autoabsorcin de TPB en tanto por ciento, es decir, la
cantidad de luz que no es capaz de atravesar la muestra. Como se puede observar existe una
dependencia directa entre grosor y autoabsorcin.
39

Como estudiamos anteriormente, la eficiencia de conversin de la molcula es ptima a

mg
0,05 cm
2 , luego para este espesor de TPB la autoabsorcin es tan baja que no debe ser un
factor significativo, pero s tenido en cuenta para posteriores estudios.

40

5.

Resumen, Conclusin y Perspectivas.

En el presente trabajo hemos realizado un estudio sobre el comportamiento de los fotomultiplicadores de silicio, centrndonos en diferentes propiedades determinantes para su
correcto funcionamiento en el plano de lectura de trazas de NEXT. En particular, hemos
estudiado un desplazador de longitud de onda que solucionar la poca sensibilidad de estos
fotosensores a la luz UV procedente del xenon.
Como conclusin dentro de su utilizacin en NEXT, hemos descrito el procedimiento de
clculo de ganancia de estos fotosensores, obteniendo su curva de ganancia en funcin del
voltaje de alimentacin. Este estudio se ha realizado para dos modelos de Si-PMs, de pixelizacin diferente, 25 m y 50 m. Se ha obtenido que la relacin entre voltaje de alimentacin
y ganancia es lineal, siendo esta linealidad diferente para los dos modelos de Si-PMs. Este resultado ser de gran utilidad a la hora de seleccionar los Si-PMs adecuados para su
implementacin en el prototipo NEXT-1, ya que se deben de seleccionar aquellos que, encontrndose cercanos en voltaje de alimentacin, permitan obtener la menor dispersin en
ganancia.
Otro punto de estudio ha sido el efecto de la temperatura sobre la ganancia de estos dispositivos, ya que se debe conocer como vara su ganancia en funcin de la temperatura. Para
ello hemos medido la curva de ganancia en funcin de la temperatura y obtenido la relacin
entre voltaje y temperatura que permita mantener constante la ganancia del fotosensor. Este
resultado es de gran importancia ya que permitir realizar correcciones on line del voltaje de
alimentacin durante el proceso de adquisicin de datos y as garantizar la constancia de la
ganancia.
En cuanto a la utilizacin de una molcula orgnica (Tetraphenyl Butadiene, TPB) como
desplazador de longitud de onda, hemos realizado un estudio novedoso y apenas con precedentes del comportamiento de esta molcula en las condiciones de nuestro experimento,
adems de disear el proceso adecuado para su correcta deposicin. Esta tcnica ser de gran
utilidad en el futuro debido al gran nmero de deposiciones que tendremos que realizar para
todos los fotosensores.
Hemos obtenido tambin una relacin entre la eficiencia de conversin del TPB y el espesor
de la deposicin, encontrando el espesor ptimo que nos asegure la mxima conversin de
luz hacia la zona de sensibilidad de nuestro detector. Este estudio se ha realizado para dos
configuraciones diferentes, una de ellas es la deposicin de la molcula directamente sobre los
Si-PMs, mientras que la segunda es la deposicin de la molcula sobre cristales intermediarios
a los Si-PMs. Como conclusin se ha obtenido que la configuracin ms viable es la deposicin
directa, ya que proporciona una mayor cantidad de luz. En la deposicin sobre cristales existe
una fraccin de luz perdida debido a la propia transmitancia del cristal.
Tambin hemos realizado un estudio de la propia autoabsorcin de la capa de TPB a su
espectro de emisin de luz, encontrndose una relacin directa entre autoabsorcin y espesor
de la deposicin. Este estudio se ha llevado a cabo por la necesidad de conocer que fraccin de
luz emitida es autoabsorbida. Este factor medido es apenas relevante, ya que para el espesor
mg
ptimo de TPB (0, 05 cm
2 ), la autoabsorcin est entorno al 1 %.
41

Por ltimo, hemos analizado la homogeneidad de la deposicin, observando como difiere

la respuesta de un solo Si-PM en funcin de su posicin en la superficie del depsito. Este
estudio se ha realizado para diferentes espesores de TPB depositado. Hemos observado una
mayor homogeneidad a mayores espesores de la deposicin. Es por ello necesario lograr un
compromiso entre eficiencia de conversin y homogeneidad del depsito en las futuras deposiciones que se llevarn a cabo para NEXT. En concreto ser ventajoso perder un poco
mg
mg
de la eficiencia de conversin, usando un espesor de (0, 1 cm
2 ) en lugar de (0, 05 cm2 ), a cambio de obtener una mayor homogeneidad para asegurar una respuesta ms uniforme de los
fotodetectores.
Todos los resultados obtenidos, aunque muy interesantes, no dejan de ser un primer
paso hacia la caracterizacin completa de los fotomultiplicadores de silicio y su puesta a
punto para el correcto funcionamiento en NEXT. Los pasos siguientes, en los cuales ya
estamos trabajando activamente, consisten entre otros, en la seleccin de Si-PMs para poder
agruparlos en grupos de hasta 16 unidades con la mnima dispersin en ganancia. Estos grupos
de Si-PMs, sern implementados en PCBs llamadas hijas, que a su vez vendrn conectadas a
una PCB llamada madre que contendr los circuitos individuales de amplificacin y sensores
de temperatura.

Figura 5.1: Izquierda: Agrupacin de Si-PMs en PCBs para su montaje en NEXT-1.

Derecha: Conexin entre las PCBs hijas y la PCB madre.
Esta configuracin resulta ventajosa ya que permite desacoplar la electrnica, que formar
parte de la PCB madre, de los detectores, que sern montados en las PCBs hijas. Ambas
PCBs vendrn conectadas mediante pines.
El inters prctico de esta configuracin radica en la facilidad de manejo para el ensayo
y para las deposiciones de TPB de estas PCBs hijas. Adems permite el almacenado en
condiciones de vaco o atmsfera de nitrgeno para evitar la degradacin del TPB por el
oxgeno de solo esta parte del plano de SI-PMs, dejando por otro lado la electrnica asociada.
42

Una vez producidas las PCBs hijas e implementados los Si-PMs comenzaremos con el proceso de calibracin y test, que permitir configurar adecuadamente el plano de reconstruccin
de trazas en el prototipo de TPC llamado NEXT-1 que se va a instalar en el laboratorio en
los prximos meses.

43

6.

Posibles aplicaciones en Fsica Mdica.

Actualmente se estn desarrollando nuevas tcnicas para utilizar fotomultiplicadores de

silicio en sistemas de adquisicin de imgenes en Fsica Mdica, sobre todo en imgenes
funcionales como la que proporciona un PET ( Positron Emission Tomography).
El PET es una tcnica no invasiva que proporciona una imagen de la distribucin espacial
de un radiofrmaco en el organismo. Estos radiofrmacos estn diseados para decaer por
emisin de positrones cuando alcanzan las zonas de estudio; en esta regin, los positrones
viajan libremente apenas unos milmetros hasta que se aniquilan con un electrn de los tejidos
colindantes emitiendo dos fotones, antiparalelos y de energa 511 keV cada uno. Cuando el
sistema detecta la llegada de estos dos fotones en coincidencia se toma como evento vlido
y se aade a la reconstruccin tridimensional de la imagen formada por todos los sucesos
detectados.
La utilizacin de fotomultiplicadores de silicio como dispositivos empleados para detectar
la llegada de estos fotones de aniquilacin presenta grandes ventajas en comparacin con otros
detectores empleados anteriormente como son PMTs. Una de los principales propiedades de
los Si-PMs es su insensibilidad a campos magnticos, lo que les permite trabajar en zonas
con un campo magntico intenso existente, y por lo tanto su integracin con un sistema de
Resonancia Magntica Nuclear. Adems, su bajo coste, en comparacin con otros dispositivos,
y su bajo voltaje de operacin, los convierte en fuertes candidatos para su integracin en la
tcnica PET. [20]
Tambin presentan una resolucin temporal excelente, entorno a 100 ps, lo que le permite
medir la diferencia en la llegada de ambos fotones y por tanto localizar con mayor precisin
la posicin de la aniquilacin. Por ltimo, una de sus propiedades ms importantes es su alta
eficiencia de fotodeteccin (PDE), mayor a 65 % para 400 nm, lo que aumenta la estadstica
de sucesos. [20]
La tecnologa PET necesita la utilizacin de cristales centelleadores para convertir los
fotones de aniquilacin en radiacin visible que pueda ser detectada por los fotosensores, los
ms comunes son LYSO, GSO y BGO. Actualmente se estn diseando nuevos sistemas para
sustituir estos cristales centelleadores cuyo principio bsico es el mismo que utiliza NEXT.
La lnea base consiste en la substitucin de estos cristales centelleadores por un centelleador
de xenon lquido.
El xenon lquido tiene una eficiencia de centelleo dos veces mayor que el yoduro de sodio (NaI), el cual presenta la mayor eficiencia de centelleo de todos los cristales orgnicos.
Adems, el tiempo de desexcitacin del xenon lquido, unos 3 ns, es al menos diez veces mas
rpido que el mejor valor de los cristales utilizados en PET, unos 40s para LSO. Otra propiedad muy interesante a la hora de utilizar este tipo de centelleador es que al ser lquido es
mucho ms adaptable, ajustndose a cualquier geometra, y por tanto reduciendo el tamao
final del detector.[21]

44

Propiedad
(rapida)
(lenta)
fotones/MeV
emisin (nm)

Xenon Lquido
3 ns
25 ns
7, 8 104
175

LSO
40 ns
3, 2 104
400

Tabla 6.1: Comparacin entre LSO y Xenon Lquido como medio activo.
La utilizacin de LXe como material centelleador conllevara la utilizacin de desplazadores de longitud de onda, como el utilizado en nuestro experimento, con el fin de adecuar
la seales provenientes del xenon con el rango de sensibilidad de nuestros detectores.
Con todo esto, podemos concluir que la utilizacin de Si-PMs como detectores, junto
con un centelleador de LXe como medio activo y un desplazador de longitud de onda como
el TPB para adecuar las seales, podra ser un diseo novedoso a la vez que beneficiar la
utilizacin de PET en Medicina.

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Referencias
[1] Neutrino physics / K. Zuber, Bristol [etc.] : Institute of Physics, 2004
[2] Letter of Intent to the LSC Scientific Committee, arXiv:0907.4054v1[hep-ex]
[3] H. V. Klapdor-Kleingrothaus and I. V. Krivosheina, The evidence for the observation of
(0 ) decay: The identification of (0 ) events from the full spectra, Mod. Phys. Lett.
A21 (2006), 1547.
[4] C. E. Aalseth et al., Neutrinoless double-beta decay of Ge-76: First results from the
International Germanium Experiment (IGEX) with six isotopically enriched detectors,
Phys. Rev. C59 (1999), 21082113.
[5] I. Abt et al., A new Ge-76 double beta decay experiment at LNGS, [arXiv:hepex/0404039].
[6] Richard Gaitskell et al., White paper on the Majorana zero-neutrino double-beta decay
experiment, [arXiv:nucl-ex/0311013].
[7] XXVIII Reunin Bienal de la RSEF y 11 Encuentro Ibrico para la Enseanza de la
Fsica. Paginas 34 y 35.
[8] http://nemo.in2p3.fr/nemow3/
[9] http://www-project.slac.stanford.edu/exo/
[10] Silicon-photomultiplier technology and their application in high energy physics detectors,
Erika Garutti (DESY).
[11] Study of Silicon Photomultipliers, Jolle Barral Promotion X2001 Ecole Polytechnique,
France.
[12] Radiation Detection and Measurement. Glenn F. Knoll
[13] V. Boccone et al. Development of wavelenght shifter coated reflectors for the ArDM
argon dark matter detector.JINST 4 P06001 (2009).
[14] C.H.Lally et al., NIM B 117 (1996) 421-427
[15] W. M. Burton and B.A. Powell, Applied Optics, vol12, No.1 (1973) 87
[16] Lab activities report n2, IFIC group Meeting by Nadia Yahlali.
[17] New type of Si Photon-Counting Device
http://sales.hamamatsu.com/assets/pdf/catsandguides/mppc_kapd0002e07.pdf
[18] Konstantinos Mavrokoridis. Development of Wavelenght Shifter for the ArDM Argon
Dark Matter Detector. Proceding of Science (idm2008) 099.
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[19] R&D progress on NEXT PMTs, Nadia Yahlali, NEXT collaboration meeting Coimbra
5-6 october 2009.
[20] Performance evaluation of SiPM photodetectors for PET imaging in the presence of
magnetic fields, NIM A 613 (2010) 308-316
[21] A liquid xenon PET camera - Simulation and position sensitive PMT tests.
http://hal.archives-ouvertes.fr/docs/00/01/46/42/PDF/democrite-00011034.pdf

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