7. ¿En qué consiste la polarización de un diodo semiconductor?

Existen dos tipos de polarización

Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente
conduce la electricidad.

Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al
ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la
energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han
desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en
el hilo conductor y llega hasta la batería.
Polarización inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor
de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:

El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y
se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que
los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos solo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres
cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta
de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión
produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio
nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que, en la superficie,
los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones
circulan sin dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación,
la corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.

8. ¿Cuántas formas de polarizar un diodo se utilizan?

Dos, polarización directa e inversa explicadas anteriormente.

9. ¿En qué consiste la corriente de saturación inversa en un diodo y cómo se puede determinar
esta corriente?
En polarización inversa es más difícil la conducción, porque el electrón libre tiene que subir una
barrera de potencial muy grande de n a p al ser mayor el valor de W. Entonces no hay conducción
de electrones libres o huecos, no hay corriente.

En esta situación tenemos que tener en cuenta la generación térmica de pares electrón-hueco. Los
pocos electrones generados térmicamente pierden energía y bajan de p a n, es la "Corriente Inversa
de Saturación" (IS) que es muy pequeña.

Esa corriente tiene un sentido, siempre se toma la corriente de p a n. Entonces sería negativa en este
caso.

Además de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina "Corriente de
fugas”

En esta imagen está representada por Is.

La corriente de saturación inversa puede determinarse a través de la siguiente ecuación;

Donde I0 es la corriente de saturación inversa, Vt es el voltaje térmico. Este ultimo puede calcularse
con la siguiente expresión;

Donde K es la constante de Boltzmann y q es la carga del electrón.

10. ¿A qué se le llama curva característica de un diodo semiconductor y cómo puede obtenerse
a través de esta?
La curva característica representa el comportamiento en el flujo de electrones (corriente) que ocurre
al ser sometido el diodo a una tensión que polarice al mismo directa o inversamente.

En la siguiente figura queda representado lo que sucede si aumentamos la tensión en un diodo

polarizado directa o inversamente:
Cuando el diodo está polarizado en directa, no hay una corriente significativa hasta que la tensión
en el diodo sea superior a la barrera de potencial.
Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta que la tensión del
diodo alcanza la tensión de ruptura. Se produce entonces una avalancha de electrones inversa que
destruye al diodo.
En la zona de polarización directa, es la tensión a partir de la cual la corriente empieza a
incrementarse rápidamente. Normalmente en el análisis de circuitos con diodos se dirige a
determinar si la tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el diodo
conduce fácilmente, si es menor, lo hace con pobreza.

Para un diodo de silicio: Vk ≈ 0,7 V

Para un diodo de germanio Vk ≈ 0,3 V

11. ¿Cuáles son las principales diferencias entre una resistencia estática y una resistencia
dinámica en un diodo semiconductor?
Si el diodo esta trabajando en DC, en un punto de trabajo determinado y constante (V,I) de la
característica, el diodo presentara una resistencia también constante llamada resistencia estática. El
valor de esta resistencia será:

El valor de esta resistencia varia considerablemente con el punto de trabajo (V,I) del diodo. Así, si
el punto de trabajo es V1, I1, la resistencia estática será:

En otras palabras, la resistencia estática de un diodo se define como la relación entre la tensión y la
corriente (V/I). En un punto cualquiera de la característica tensión-corriente del diodo, la resistencia
es igual a la inversa de la pendiente de la línea que une el punto de funcionamiento con el origen.
Es decir, que la resistencia estática mide la posición que presenta el diodo al paso de la corriente
continua.
Ejemplo:
Tomando el siguiente ejemplo tenemos:
Resistencia dinámica.
Si el diodo trabajo con voltajes variables, es decir, que el punto de trabajo (V,I) se va a mover con
el tiempo por la curva característica, la resistencia que va a presentar el diodo, también va a variar,
dependiendo esta del punto de trabajo en cada instante. A esta resistencia se le denomina resistencia
dinámica y tiene un valor dado por:

En otras palabras, la resistencia dinámica se define como la oposición que presenta el diodo al paso
de una señal alterna o variable en tiempo.