Informe previo y experimento nª6 del Lab. Circuitos Electronicos II UNSAAC(watner ocho nuñez 171174)

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL
CUSCO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, INFORMÁTICA
Y MECÁNICA
Escuela Profesional de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Circuitos electrónicos II
INFORME
Presentada por:
Est. Watner Ochoa Núñez 171174
Docente:
Prof. Ing. Rossy Uscamaita Quispetupa
CUSCO – PERÚ
2021
N°6: RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL BJT Y JFET

TEMA 6: “RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL BJT Y JFET”
I. INFORME PREVIO
1. Describa el comportamiento de los capacitores en diferentes niveles de frecuencia
(respuesta en baja frecuencia y alta frecuencia).
CAPACITOR
Un capacitor o también conocido como condensador es un dispositivo capaz de
almacenar energía a través de campos eléctricos (uno positivo y uno negativo). Este se
clasifica dentro de los componentes pasivos ya que no tiene la capacidad de amplificar
o cortar el flujo eléctrico.
Figura 1. Símbolo del capacitor electrolítico.
La reactancia capacitiva:
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
1
𝜔𝜔𝜔𝜔
𝑦𝑦 𝜔𝜔 = 2𝜋𝜋𝜋𝜋
La unidad de medida de la reactancia capacitiva es Ohm.
Impedancia capacitiva:
𝑍𝑍𝑐𝑐 =
1
𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗
Empecemos por un análisis básico de la reactancia capacitiva:
• Si la frecuencia(𝑓𝑓) tiende a tener valores altos, entonces:
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
1
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋
≅ 0 Ω
• Si la frecuencia(𝑓𝑓) tiende a tener valores muy bajos, entonces:
𝑋𝑋𝑐𝑐 =
1
2𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋𝜋
≅ ∞ Ω
Para entender más el comportamiento de un capacitor analicemos un circuito RC:
𝑉𝑉𝑂𝑂 =
𝑅𝑅
𝑅𝑅 +
1
𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗
𝑉𝑉𝑖𝑖
𝐻𝐻𝑗𝑗 =
𝑉𝑉𝑂𝑂
𝑉𝑉𝑖𝑖
=
𝑅𝑅
𝑅𝑅 − 𝑗𝑗
1
𝜔𝜔𝜔𝜔

Hallando el modulo 𝑯𝑯𝒋𝒋:
𝐻𝐻 = �𝐻𝐻𝑗𝑗� =
𝑅𝑅
�𝑅𝑅2 + (
1
𝜔𝜔𝜔𝜔
)2
Para frecuencia de corte:
𝐻𝐻 =
𝑅𝑅
�𝑅𝑅2 + (
1
𝜔𝜔𝜔𝜔
)2
=
1
√2
= 0.707 , 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝜔𝜔𝑐𝑐 =
1
𝑅𝑅𝑅𝑅
= 2𝜋𝜋𝑓𝑓𝑐𝑐
Hallando el ángulo 𝑯𝑯𝒋𝒋:
< 𝐻𝐻𝑗𝑗 = 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎(
1
𝜔𝜔𝜔𝜔𝜔𝜔
)
Para frecuencia de corte:
𝜔𝜔𝑐𝑐 =
1
𝑅𝑅𝑅𝑅
𝑦𝑦 < 𝐻𝐻𝑗𝑗 = 𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎𝑎 �
1
1
𝑅𝑅𝑅𝑅
𝐶𝐶𝐶𝐶
� =
𝜋𝜋
4
La figura 2. muestra la respuesta en frecuencia del circuito RC:
Figura 2. Respuesta en frecuencia de circuito RC.

ANALISIS DE FRECUENCIA DE LAS ETAPAS DE
UN AMPLIFICADOR
En el grafico se muestra la respuesta en frecuencia en frecuencia típica de un
amplificador:
Figura 3. Respuesta en frecuencia de un amplificador típico.
Claramente se identifican tres zonas:
• Frecuencias bajas: El voltaje disminuye, debido al efecto de lo condensadores
de acoplo y desacoplo.
• Frecuencias medias: Los condensadores (acoplo y desacoplo) presentan una
impedancia nula, los cuales pueden ser sustituidos por un cortocircuito.
• Frecuencias altas: Disminuye el voltaje de salida debido a los capacitores del
transistor y las capacitancias parasitas de las conexiones.
2. Haga un análisis en AC y DC de los circuitos de las figuras 4 y 5:
Figura 5. 𝛽𝛽 = 200

Análisis en DC: Los capacitores se comportan como circuito abierto.
Si Vcc=20V y Beta=200, entonces:
𝑉𝑉𝐵𝐵 =
1𝑘𝑘(20)
1𝑘𝑘+4.7𝑘𝑘
= 3.51𝑉𝑉 y 𝑅𝑅𝐵𝐵 =
1𝑘𝑘(4.7𝑘𝑘)
1𝑘𝑘+4.7𝑘𝑘
= 2.8𝐾𝐾
𝐼𝐼𝐵𝐵 =
3.51 − 0.7
2.8𝑘𝑘 + (1 + 200)1𝑘𝑘
= 13.78𝜇𝜇𝜇𝜇
𝑰𝑰𝑬𝑬 ≅ 𝑰𝑰𝑪𝑪 = 𝜷𝜷𝑰𝑰𝑩𝑩 = 𝟐𝟐. 𝟕𝟕𝟕𝟕 𝒎𝒎𝒎𝒎
𝑰𝑰𝑬𝑬 = 𝑰𝑰𝑪𝑪 = 𝟐𝟐. 𝟕𝟕𝟕𝟕 𝒎𝒎𝒎𝒎
Analizando la corriente de colector y emisor, se ve claramente que el transistor
lineal.
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 20 − 2𝑘𝑘𝐼𝐼𝐶𝐶 = 20 − 2𝐾𝐾(2.76𝑚𝑚𝑚𝑚)
𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 14.48𝑉𝑉
Los valores en el punto Q son:
𝑰𝑰𝑪𝑪 = 𝟐𝟐. 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕 y 𝑽𝑽𝑪𝑪𝑪𝑪 = 𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒
𝒓𝒓𝒆𝒆 =
𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐
𝟐𝟐. 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕
= 𝟗𝟗. 𝟒𝟒𝟒𝟒 𝛀𝛀
Análisis en AC:
• Frecuencias medias:
𝐼𝐼𝑏𝑏 =
𝑉𝑉𝑖𝑖
200(9.42)
𝑦𝑦 𝑉𝑉
𝑜𝑜 = −200𝐼𝐼𝑏𝑏(1𝑘𝑘 ∥ 1𝑘𝑘) = −
200 𝑉𝑉𝑖𝑖
200(9.42)
(1𝑘𝑘 ∥ 1𝑘𝑘)
𝐴𝐴𝑉𝑉 =
𝑉𝑉
𝑜𝑜
𝑉𝑉𝑖𝑖
= −
0.5𝑘𝑘
9.42
𝑨𝑨𝑽𝑽 =
𝑽𝑽𝒐𝒐
𝑽𝑽𝒊𝒊
= −𝟓𝟓𝟓𝟓. 𝟎𝟎𝟎𝟎
• Frecuencias bajas:

 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝒊𝒊𝒊𝒊):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝑖𝑖𝑖𝑖) =
1
2𝜋𝜋𝑅𝑅𝑖𝑖𝐶𝐶𝑖𝑖𝑖𝑖
𝑦𝑦 𝑅𝑅𝑖𝑖 = 1𝑘𝑘 ∥ 4.7𝑘𝑘 ∥ 200(9.42) = 0.57𝑘𝑘
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝒊𝒊𝒊𝒊) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟎𝟎. 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓)(𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏)
= 𝟐𝟐𝟐𝟐. 𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗
 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜) =
1
2𝜋𝜋(𝑅𝑅𝑜𝑜 + 𝑅𝑅𝐿𝐿)𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝑦𝑦 𝑅𝑅2 = 1𝑘𝑘
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟐𝟐𝟐𝟐)(𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏)
= 𝟕𝟕𝟕𝟕. 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓
 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑬𝑬):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝐸𝐸) =
1
2𝜋𝜋𝑅𝑅𝑒𝑒𝐶𝐶𝐸𝐸
𝑦𝑦 𝑅𝑅𝑒𝑒 = 1𝑘𝑘 ∥ �
0.82𝑘𝑘
200
` + 9.42� = 13.34 Ω
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑬𝑬) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟑𝟑𝟑𝟑)(𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐)
= 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓. 𝟑𝟑 𝑯𝑯𝑯𝑯
Entonces:
𝑓𝑓𝐿𝐿 =
𝜔𝜔𝐿𝐿
2𝜋𝜋
= 542.3 + 79.57 + 27.9
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔. 𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯𝑯𝑯
• Frecuencias altas: 𝑪𝑪𝒃𝒃𝒃𝒃 = 𝟐𝟐𝟐𝟐 𝒑𝒑𝒑𝒑 𝒚𝒚 𝑪𝑪𝒃𝒃𝒃𝒃 = 𝟐𝟐. 𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒
Vamos aplicar el teorema de Miller:
Para frecuencia critica de entrada:
𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) = 𝐶𝐶𝑏𝑏𝑏𝑏(𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉 + 1) = 2.4𝑝𝑝𝑝𝑝(53.07 + 1) = 129.77𝑝𝑝𝑝𝑝
𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡) = 𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) + 𝐶𝐶𝑏𝑏𝑏𝑏 = 129.77 + 20 = 149.77𝑝𝑝𝑝𝑝
𝑅𝑅𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 = 0.82𝑘𝑘 ∥ 200(9.42) = 0.57𝑘𝑘
𝒇𝒇𝑯𝑯(𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆𝒆) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟎𝟎. 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓)𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕
= 𝟏𝟏. 𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖 𝑯𝑯𝑯𝑯
Para frecuencia critica de salida:
𝐶𝐶𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) = 𝐶𝐶𝑏𝑏𝑏𝑏 �
𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉 + 1
𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉
� = 2.4𝑝𝑝𝑝𝑝 �
53.07 + 1
53.07
� = 2.44𝑝𝑝𝑝𝑝
𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 1𝑘𝑘 ∥ 1𝑘𝑘 = 0.5𝑘𝑘
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟎𝟎. 𝟓𝟓𝒌𝒌)𝟐𝟐. 𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒
= 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒 𝑯𝑯𝑯𝑯
Para la frecuencia critica de salida se tomará la frecuencia más baja:

𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏. 𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖 𝑯𝑯𝑯𝑯
Figura 6. 𝑉𝑉𝑃𝑃 = −2.7 𝑉𝑉 𝑦𝑦 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 = 7.2𝑚𝑚𝑚𝑚
Análisis en DC: Los capacitores se comportan como circuito abierto.
Transistor: 2N4416
𝑉𝑉𝑃𝑃 = −2.7𝑉𝑉 𝑦𝑦 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷 = 7.2𝑚𝑚𝑚𝑚
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = −1𝑘𝑘𝐼𝐼𝐷𝐷, es la ecuación de una recta
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 0, 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = 0
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 4 𝑚𝑚𝑚𝑚, 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = −4𝑉𝑉
𝐼𝐼𝐷𝐷 = 7.2𝑚𝑚(1 −
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺
−2.7
)2
Hallando el punto Q, con las ecuaciones de 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 y Shockley:
𝑰𝑰𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝟏𝟏. 𝟒𝟒𝟒𝟒 𝒎𝒎𝒎𝒎
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 = −1.48 𝑉𝑉
𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐷𝐷(𝑅𝑅𝐷𝐷 + 𝑅𝑅𝑆𝑆)
𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫𝑫 = 𝟐𝟐𝟐𝟐 − (𝟏𝟏. 𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒𝟒)(𝟐𝟐𝟐𝟐) = 𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟎𝟎𝟎𝟎 𝑽𝑽
El análisis en dc y la transconductancia será lo mismo para las 3 configuraciones.
𝑔𝑔𝑚𝑚0 =
2𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷𝐷
|𝑉𝑉𝑃𝑃|
=
2(7.2𝑚𝑚 𝐴𝐴)
|−2.7|
= 5.33𝑚𝑚 𝑆𝑆
𝑔𝑔𝑚𝑚 = 𝑔𝑔𝑚𝑚0 �1 −
𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺𝐺
𝑉𝑉𝑃𝑃
� = 5.33 𝑚𝑚𝑚𝑚 �1 −
−1.48
−2.7
� = 2.41 𝑚𝑚𝑚𝑚
Ojo 𝑟𝑟𝑑𝑑 es muy grande en comparación con las otras resistencias.

Análisis en AC:
• Frecuencias medias:
𝐴𝐴𝑉𝑉 =
𝑉𝑉
𝑜𝑜
𝑉𝑉
𝑠𝑠
= −𝑔𝑔𝑚𝑚(𝑅𝑅𝐷𝐷 ∥ 𝑅𝑅𝐿𝐿) = −2.41 𝑚𝑚𝑚𝑚(1𝑘𝑘 ∥ 3.3𝑘𝑘) = −1.85
𝑨𝑨𝑽𝑽 =
𝑽𝑽𝒐𝒐
𝑽𝑽𝒊𝒊
= −1.85
• Frecuencias bajas:
 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑮𝑮):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝐺𝐺) =
1
2𝜋𝜋(𝑅𝑅𝑖𝑖 + 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠ñ𝑎𝑎𝑎𝑎)𝐶𝐶𝐺𝐺
𝑦𝑦 𝑅𝑅𝑖𝑖 = 1𝑀𝑀, 𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠ñ𝑎𝑎𝑎𝑎 = 10𝑘𝑘
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑮𝑮) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟏𝟏𝟏𝟏 + 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏)(𝟎𝟎. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎𝟎)
= 𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯𝑯𝑯
 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑪𝑪):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝐶𝐶) =
1
2𝜋𝜋(𝑅𝑅𝑜𝑜 + 𝑅𝑅𝐿𝐿)𝐶𝐶𝑐𝑐
𝑦𝑦 𝑅𝑅𝑜𝑜 = 1𝑘𝑘 ∥ 𝑟𝑟𝑑𝑑 = 1𝑘𝑘
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑪𝑪) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟐𝟐𝟐𝟐 + 𝟑𝟑. 𝟑𝟑𝟑𝟑)(𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏)
= 𝟑𝟑𝟑𝟑. 𝟎𝟎𝟎𝟎 𝑯𝑯𝑯𝑯
 Frecuencia de corte 𝒇𝒇𝑳𝑳(𝒔𝒔):
𝑓𝑓𝐿𝐿(𝑠𝑠) =
1
2𝜋𝜋𝑅𝑅𝑒𝑒𝐶𝐶𝑠𝑠
𝑦𝑦 𝑅𝑅𝑒𝑒 = 1𝑘𝑘 ∥
1
2.41𝑚𝑚𝑚𝑚
= 0.29𝑘𝑘 Ω
𝒇𝒇𝑳𝑳(𝑬𝑬) =
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟎𝟎. 𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐𝟐)(𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏)
= 𝟓𝟓𝟓𝟓. 𝟖𝟖𝟖𝟖 𝑯𝑯𝑯𝑯
Entonces:
𝑓𝑓𝐿𝐿 =
𝜔𝜔𝐿𝐿
2𝜋𝜋
= 54.88 + 37.01 + 15.75
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟔𝟔𝟔𝟔 𝑯𝑯𝑯𝑯
• Frecuencias altas: 𝑪𝑪𝒈𝒈𝒈𝒈 = 𝟑𝟑 𝒑𝒑𝒑𝒑 𝒚𝒚 𝑪𝑪𝒈𝒈𝒈𝒈 = 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓

Vamos aplicar el teorema de Miller:
Para frecuencia critica de entrada:
𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) = 𝐶𝐶𝑔𝑔𝑔𝑔(𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉 + 1) = 3𝑝𝑝𝑝𝑝(1.85 + 1) = 8.55𝑝𝑝𝑝𝑝
𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡𝑡) = 𝐶𝐶𝑒𝑒𝑒𝑒(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) + 𝐶𝐶𝑔𝑔𝑔𝑔 = 8.55𝑝𝑝𝑝𝑝 + 5𝑝𝑝𝑝𝑝 = 13.55𝑝𝑝𝑝𝑝
𝑅𝑅𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 = 10𝑘𝑘 ∥ 1𝑀𝑀 = 9.9𝑘𝑘
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟗𝟗. 𝟗𝟗𝟗𝟗)𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓𝟓
= 𝟏𝟏. 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑯𝑯𝑯𝑯
Para frecuencia critica de salida:
𝐶𝐶𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠(𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀𝑀) = 𝐶𝐶𝑔𝑔𝑔𝑔 �
𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉 + 1
𝐴𝐴𝑉𝑉𝑉𝑉
� = 3𝑝𝑝𝑝𝑝 �
1.85 + 1
1.85
� = 4.62𝑝𝑝𝑝𝑝
𝑅𝑅𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 1𝑘𝑘 ∥ 3.3𝑘𝑘 ∥ 𝑟𝑟𝑑𝑑 = 0.77𝑘𝑘
𝟏𝟏
𝟐𝟐𝟐𝟐(𝟎𝟎. 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕)𝟒𝟒. 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔
= 𝟒𝟒𝟒𝟒. 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯𝑯𝑯
Para la frecuencia critica de salida se tomará la frecuencia más baja:
𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏. 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑯𝑯𝑯𝑯
II. EXPERIENCIA (SIMULACION+CALCULOS TEORICOS)
1. SIMULACION BJT:
Frecuencia Vin(RMS) Vo(RMS) Av Av(dB)
1 0,707 0,001 0,0 -57,0
10 0,707 0,01 0,0 -37,0
100 0,707 3,61 5,1 14,2
1k 0,707 30,3 42,9 32,6
10k 0,707 39,4 55,7 34,9
50k 0,707 39,6 56,0 35,0
100k 0,707 39,6 56,0 35,0
1M 0,707 39,4 55,7 34,9
2M 0,707 38,9 55,0 34,8
5M 0,707 36 50,9 34,1
10M 0,707 29,1 41,2 32,3
100M 0,707 4,17 5,9 15,4
Para la frecuencia de corte:
𝑽𝑽𝟎𝟎 = 𝟐𝟐𝟐𝟐. 𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗
Midiendo las frecuencias de corte interior y superior:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟐𝟐. 𝟒𝟒𝟒𝟒 𝑯𝑯𝑯𝑯 => 𝑩𝑩 = 𝟐𝟐. 𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑

2. SIMULACION FET:
Para la frecuencia de corte:
𝑽𝑽𝟎𝟎 = 𝟎𝟎. 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔
Midiendo las frecuencias de corte interior y superior:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟗𝟗𝟗𝟗 𝑯𝑯𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑯𝑯𝑯𝑯 => 𝑩𝑩 = 𝟎𝟎. 𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗𝟗 𝑴𝑴𝑴𝑴𝑴𝑴
III. INFORME FINAL
1. Dibujar la ganancia en función de la frecuencia de los circuitos de la figura 1 y 2
Para el BJT: Se utilizó el simulador Multisim.
Para el JFET: Se utilizó el simulador Multisim.
Frecuencia Vin(RMS) Vo(RMS) Av Av(dB)
1 0,707 0,001 0,0 -57,0
10 0,707 0,31 0,4 -7,2
100 0,707 0,768 1,1 0,7
1k 0,707 0,972 1,4 2,8
10k 0,707 0,975 1,4 2,8
50k 0,707 0,973 1,4 2,8
100k 0,707 0,965 1,4 2,7
1M 0,707 0,7 1,0 -0,1
2M 0,707 0,447 0,6 -4,0
5M 0,707 0,197 0,3 -11,1
10M 0,707 0,101 0,1 -16,9
100M 0,707 0,039 0,1 -25,2

2. Haga un análisis de resultados
BJT:
Teórico:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔𝟔. 𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏. 𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖𝟖 𝑯𝑯𝑯𝑯
Simulado:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕𝟕 𝑯𝑯𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟐𝟐. 𝟒𝟒𝟒𝟒 𝑯𝑯𝑯𝑯
Como se observó la frecuencia críticas de BJT son muy cercanas debido a
que el cálculo teórico y experimental se desarrolló de la manera correcta, lo
que demuestra nuestros resultados hechos en el laboratorio.
JFET:
Teórico:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟔𝟔𝟔𝟔 𝑯𝑯𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏. 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑯𝑯𝑯𝑯
Simulado:
𝒇𝒇𝑳𝑳 = 𝟗𝟗𝟗𝟗 𝑯𝑯𝑯𝑯 𝒚𝒚 𝒇𝒇𝑯𝑯 = 𝟏𝟏𝟏𝟏 𝑯𝑯𝑯𝑯
Como se observó la frecuencia crítica JFET son muy cercanas debido a que
el cálculo teórico y experimental se desarrolló de la manera correcta, lo que
demuestra nuestros resultados hechos en el laboratorio.
CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES
• Es bueno hacer un análisis teórico, para comprobar y guiarnos al momento de
la experimenta de laboratorio, ya que momento de comparar van diferir un
poco esto es debido a muchos factores como tolerancia de las resistencias,
mala precisión de medir, considerar modelos completos del transistor, ruido
eléctrico, etc.
• EL condensador es un dispositivo capaz de almacenar energía a través de
campos eléctricos (uno positivo y uno negativo). Este se clasifica dentro de
los componentes pasivos ya que no tiene la capacidad de amplificar o cortar
el flujo eléctrico.
• Frecuencias bajas: El voltaje disminuye, debido al efecto de lo condensadores
de acoplo y desacoplo.
• Frecuencias medias: Los condensadores (acoplo y desacoplo) presentan una
impedancia nula, los cuales pueden ser sustituidos por un cortocircuito.
• Frecuencias altas: Disminuye el voltaje de salida debido a los capacitores del
transistor y las capacitancias parasitas de las conexiones.
• El teorema de Miller nos ayuda a resolver con mayor facilidad en altas
frecuencias los circuitos.

Comentario:
Está experiencia 6, me gustó mucho, ya que investigué a profundo el tema de
respuesta en frecuencia de un amplificador con la ayuda del simulador Multisim
pude comprobar los circuitos planteados en esta experiencia, lo cual me dejo
satisfecho y muy feliz.
BIBLIOGRAFIA
• Huircan, J. & Carrillo, R. (2011). El Transistor de juntura bipolar (BJT). Temuco:
Universidad de la Frontera
• SAVANT, C.J.; RODEN, Martín; CARPENTER, Gordon. “Diseño Electrónico”. 3ra.
Edición. Edit. Pearson Educación. México. 2000
• MALIK, Norbet. “Circuitos Electrónicos”. 5ta. Edición. Edit. Prentice Hall
Hispanoamericana S.A. España. 1996
• HORENSTEIN, Mark. “Microelectrónica: Circuitos y dispositivos”. 2da. Edición. Edit.
Prentice Hall Hispanoamericana S.A. México. 1997

Informe previo y experimento nª6 del Lab. Circuitos Electronicos II UNSAAC(watner ocho nuñez 171174)

Más contenido relacionado

La actualidad más candente (20)

Similar a Informe previo y experimento nª6 del Lab. Circuitos Electronicos II UNSAAC(watner ocho nuñez 171174) (20)

Más de Watner Ochoa Núñez (6)

Último (20)

Informe previo y experimento nª6 del Lab. Circuitos Electronicos II UNSAAC(watner ocho nuñez 171174)