La logique,
des tubes aux transistors
L'volution rciproque des
technologies et des concepts logiques
Franois ANCEAU
Prof CNAM mrite
Lip6/CIAN
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 1
Un apparition progressive....
Les montages logiques sont apparus progressivement au cours du XXme
sicle
D'abord (fin du XIX), avec des montages purement mcaniques pour la
ralisation des machines mcanographiques et des calculatrices sans
vraiment dvelopper de concepts logiques.
Ensuite les relais lectromagntiques furent utiliss pour la ralisation des
centraux tlphoniques automatiques avec le dveloppement de la logique
de niveaux et de la logique de conduction.
Les tubes ont t ensuite utiliss (WWII) pour acclrer les oprations pour
les RADAR et les calculatrices lectroniques avec l'introduction de la
logique vnementielle
L'apparition des transistors industriels (1958) a permis le dveloppement
rapide de Mcanos logiques et l'mergence de l'informatique.
Les circuits intgrs (1965) ont permis la portabilit de ces appareils, ainsi
que leur complexification exponentielle jusqu'aux Mcanos informatiques
puis systmes (SOC)
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diapo 2
Page 1
Une volution trs "branchue"
La logique mathmatique est une abstraction de
plusieurs phnomnes physiques
Nous allons revenir ses interprtations pour en
comprendre leurs limitations et les interfaces entre elles
Le dveloppement des circuits logiques lectroniques a
donn lieu de nombreuses branches avec des
ramifications complexes. Cet expos ne les citera pas
toutes.......
Ceux qui se sentiraient frustrs sont invits proposer
des exposs complmentaires......
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diapo 3
Les tubes lectroniques
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diapo 4
Page 2
Histoire des tubes lectroniques
Invents en 1906 par
Lee Deforest
Perfectionns en taille et en
performance jusqu'aux annes
195x
Audion 1906
Abandonns au dbut des
annes 196x avec l'arrive des
transistors industriels au
silicium.
Tube
crayon
1960
XFG1
Tube de puissance
194x 195x
12AU7
1950
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diapo 5
Anatomie simplifie d'un tube lectronique
La cathode est un tube
mtallique recouvert
d'oxydes de terres rares
mettrices d'lectrons
chaud.
isolant
(alumine)
anode / plaque
Elle est porte environ
500 par un filament
isol.
La cathode reoit un flux
d'ions positifs qui
l'altrent relativement
rapidement.
grille
filament
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cathode
diapo 6
Page 3
Anatomie et symbole d'une triode
anode
grille
cathode
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diapo 7
Emission d'lectrons par la cathode chauffe
La cathode est
recouverte d'oxydes de
terres rares librant
facilement leurs
lectrons.
nuage d'lectrons
Le chauffage de la
cathode vers 500
provoque l'extraction
de certains ce ses
lectrons.
Il se forme un nuage
d'lectrons autour
d'elle
cathode
(chauffe 500)
grille
(isole)
plaque
(isole)
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diapo 8
Page 4
Fonctionnement en diode
Si l'anode est porte un
potentiel positif, par rapport la
cathode, cette anode attire les
lectrons du nuage.
courant
d'lectrons
Elle les repousse si elle est
porte un potentiel ngatif
(effet de diode)
cathode
(ngative)
grille
(isole)
plaque
(positive)
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diapo 9
fonctionnement en triode
Si la grille est porte un
potentiel ngatif, chaque
brin cre un zone sans
lectron autour de lui, ce
qui freine le flux d'lectrons
courant
qui atteignent la plaque.
zones sans d'lectrons
La tension grille module le
courant d'lectrons entre la
cathode et la plaque.
lectron
cathode
(ngative)
rduit
grille
(lgrement
ngative)
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plaque
(positive)
diapo 10
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Tube bloqu
courant
d'lectrons
bloqu
Si le potentiel de la grille est
fortement ngatif (environ -12v)
le courant d'lectrons vers
l'anode est bloqu.
grille
cathode
(ngative) (trs ngative)
plaque
(positive)
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diapo 11
Amplificateur tubes
Val
Vs
Vgc
Courant grille
150v
Vs
0v
100v
-10v
Seuil de
conduction
Avantages :
Problmes :
La grille se comporte comme une
diode en entre pour les potentiels
positifs (courant grille)
La plage d'volution de la tension de
sortie est fortement dcale par
rapport celle d'entre
Le fonctionnement des tubes et
indpendant de la temprature
Le seuil de conduction n'est pas net
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diapo 12
Page 6
Logique de niveaux
Il faut imprativement distinguer
entre :
Les niveaux d'entre (par
rapport la cathode):
- 0v avec un effet de diode
(courant grille) pour > 0v
- -15v avec un effet de seuil
(mou) pour < -15v
Les niveaux de sortie :
- 150v (alimentation)
- 100v (saturation)
Val (150v)
Vs
Ve
{100v, 150v}
{0v, -15v}
Ces niveaux sont tellement spars
que les connexions directes
(rsistives) sont trs difficiles.
L'utilisation d'un pont rsistif fait
perdre le gain du tube
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diapo 13
Logique de niveau OU par couplage cathodique
Vs suit la valeur maximale des
tensions d'entre, avec un
dcalage correspondant la
tension grille-cathode, avec un
coefficient dpendant du pont
diviseur de sortie.
Val
Val
EA
EB
Vs = K [max (EA, EB ) 5]
LL
Ce montage ralise le "OU" de
deux niveaux de sortie (100150v) et peux ramener le
rsultat dans le domaine des
tensions d'entre.
Vs
Rg
Rg
L
La
Rk
Vpol
Vpol
Vpol
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diapo 14
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Logique de niveau NON-OU couplage cathodique
Au dpart, les tubes T1x sont
bloqus par une polarisation
Vpol1 adquate. Le tube T2
conduit saturation par une
polarisation (fixe) Vpol2 de sa
grille Vk.
LL
Le dblocage
d'un tube T1
produit une monte de Vk qui
bloque T2. La sortie remonte
Va.
Val
Val
E1
S
T11
Val
Vpol1
Vk
La
T2
En
Rg
T12
Rk
Vpol2
Vpol1
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diapo 15
Couplage capacitif
Val
La diffrence entre les niveau
d'entre et de sortie d'un tage
tube ncessitent l'usage d'un
moyen de couplage qui ne
transmet pas le continu.
Val
Vs
On utilise une capacit de
couplage Cc
Cc
Les signaux transmis doivent
possder un spectre centr sur
les hautes frquences
par
exemple des impulsions.
Le RC constitu par Rg et Cc
peut se comporter comme un
diffrentiateur vis vis d'un
signal amont bas sur des
niveaux.
Rg
Vpol
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diapo 16
Page 8
Impulsions positives et ngatives
Les impulsions positives et ngatives correspondent
deux formes possibles des mmes vnements et non
deux valeurs logiques diffrentes.
Les montages tubes transmettent les impulsions en les
changeant de sens.
Pour s'y retrouver, les montages impulsion taient
quelquefois diviss en couches dans lesquelles les
vnements taient successivement reprsents par des
impulsions positives et ngatives
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diapo 17
Transmission des impulsions
La transmission des impulsions
ngatives se fait par un tube dont
la grille est polarise 0v, ce qui
prsente l'avantage d'crter tous
les parasites positifs (rebonds).
La transmission des impulsions
positives se fait par un tube dont la
grille est polarise au del du point
de blocage, ce qui introduit un effet
de seuil qui masque les petits
parasites.
Val
Vs
Cc
Val
Rg
Vs
Cc
Rg
Vpol<Vseuil
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diapo 18
Page 9
Porte "OU" impulsions positives
Val
Vs
Cc
Cc
Rg
Rg
Vpol
Vpol
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diapo 19
Val
Drivateur
Vs
Cd
Capacit de
faible valeur
Rg
Vpol<Vseuil
La fabrication d'impulsions positives ou ngatives se fait l'aide
d'un RC de frquence leve.
Les impulsions positives ou ngatives sont slectionnes par le
choix de la polarisation du tube suivant. Une polarisation de la grille
0v slectionne les impulsions ngatives.
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diapo 20
Page 10
Condititionnement d'une impulsion par un niveau
Val
L'entre de conditionnement
doit pouvoir polariser le tube
une tension suffisamment
ngative pour empcher une
impulsion positive de le
dbloquer.
Cond
Vs
Imp
Cc
Rg
Vpol
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diapo 21
Les bascules tubes
Val
Premire bascule invente
par W. Eccles et F. W. Jordan
en 1918
Les sorties de cette bascule
sont des niveaux et ses
entres des impulsions
Les impulsions d'entre
peuvent avoir des effets
opposs suivant leur polarit
La conception d'une bascule
tube est trs difficile et son
fonctionnement est souvent
dlicat.
L'utilisation dissymtrique
d'une bascule provoque une
usure dissymtrique de ses
tubes qui finit par entraner
des dfauts de
fonctionnement.
Val
Ra
Ra
Rpg
Rpg
Vs
Cpg
Cpg
EA
EB
Ce
Ce
Rg
Vpol
Rg
Vpol
Le basculement est aid par des capacits Cpg
qui court-circuitent les rsistances de couplage
pour faciliter le passage des transitions.
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diapo 22
Page 11
Les bascules tubes (2)
Le couplage symtrique et
continu entre les deux cts
de la bascule ne peut se faire
qu'avec des ponts rsistifs
qui risquent de diviser
l'excursion de sortie au del
du gain du tube.
A cause de cette contrainte,
l'excursion des bascules
n'atteint gnralement pas,
la fois, le courant grille et le
blocage des tubes.
Val
Val
Ra
Ra
Rpg
Rpg
Vs
Cpg
Cpg
EA
EB
Ce
Ce
Rg
L'attaque commune des
cathodes, polarises par une
rsistance, peut provoquer
l'inversion du contenu de la
bascule, donc raliser un ouexclusif entre le contenu de
la bascule et l'impulsion
d'entre.
(peu fiable !)
Vpol
Rg
Rk
EC
Vpol
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diapo 23
Principe de la logique tubes
Entre
(niveau)
Niveau
Impulsion
Bascules
d'tat
Sortie
(niveau)
Cond.
Drivateur
Bascule
de sortie
Ampli
de sortie
Il s'agit de conditionner des impulsions pour attaquer des bascules
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diapo 24
Page 12
Val
Tubes gaz
E
Dispositifs lents.
Diodes gaz
deux points
de fonctionnement
points
mmoire + affichage du
contenu.
Ia
Aussi utilis comme
rfrence de tension
"1"
Amorc
"0"
Non amorc
Vak
Vref
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diapo 25
Evolution de la logique tube
Conception de nombreux types de porte souvent bases sur des
astuces de circuiterie.
Par exemple, logique diffrentielle
Mlange de plusieurs types de circuiterie
Utilisation de tubes complexes
Par exemple, portes NON-ET en utilisant les grilles suppresseuses
de penthodes
Utilisation de logiques porteuse (impulsionnelle ou harmonique)
Utilisation de dispositifs semiconducteurs
Utilisation de diodes semiconducteur (pb de leur tenue des
tensions inverses, fortes pour l'poque)
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diapo 26
Page 13
Conclusion sur la logique tubes
Complexe
Difficile rgler
Encore trs proche de l'analogique
Peu fiable (vieillissement rapide des tubes)
mais, bonne tenue en temprature
Forte dissipation d'nergie (chauffage des tubes)
ncessite un systme de refroidissement efficace
Gros volume (armoires ventiles !)
Rapidement abandonne ds qu'une solution de remplacement est
apparue
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diapo 27
Les relais lectromagntiques
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diapo 28
Page 14
Les relais
Assez fiables mais :
Usure et collages des contacts
Lent
Bruyant
Rebondissements des contacts
Volume minimal important
(quelques cm3) mais plus petit
qu'un tube.
Les relais ont t largement utiliss
depuis le dbut des annes 1920
jusqu' la fin des annes 1960 en
tlphonie, mcanographie. Ils sont
toujours utiliss en automatisme
industriel.
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diapo 29
Deux types de logique
contacts
(conductance)
Les niveaux (tensions lectriques) pour
alimenter les bobines.
valeurs : {aliment, (isol / non aliment)}
La conductance des contacts
valeurs : {conduit, isol}
La mcanique du relais produit une liaison
entre l'excitation de la bobine et la
conduction des contacts
Un relais peut avoir plusieurs contacts
L'interconnexion des contacts produit des
oprations logiques
(logique de contact)
ET par mise en srie
OU par mise en parallle
Constitution de rseaux de conduction
complexes
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entre
(niveau)
A ET B
A
B
A OU B
diapo 30
Page 15
Fonctions de conduction
Expressions mixtes :
Entres niveaux
d'excitation des bobines
Sortie
tat de conduction
du rseau de contacts
Niveaux
Conduction
C <= Fc( B, B )
C
Les oprandes des expressions
sont assimiles aux niveaux
d'excitation des bobines
Ngation d'une entre par
l'utilisation du contact de repos
C1
C1
C2
C2
Les diffrents contacts d'un
mme relais sont identifis par
des indices
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diapo 31
Liaison entre les deux types de logique
Une fonction de conduction
dtermine le passage conditionnel
d'un niveau qui peut tre :
Une constante (l'alimentation)
(Il est souvent inutile de
vhiculer la masse car
l'absence d'alimentation lui est
souvent quivalente)
Un niveau lectrique issus d'un
prcdent rseau
V/C
F(V) / F(C)
Fonction de conduction
Niveaux
d'entre
Niveaux de sortie
{{V/C}, isol}
La fonction de conduction ajoute
la valeur isole l'ensemble des
valeurs de son entre (passage en
3 tats)
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diapo 32
Page 16
Fonction de connexion complexe
Si un niveau est dfini par
plusieurs fonctions de
conduction, ceux-ci constituent un
rseau de conduction complexe :
Les sorties des fonctions de
conduction ne doivent pas
fournir de valeurs
contradictoires
Le rseau de conduction
complexe possde plusieurs
entres mais une seule sortie.
Attentions aux risques de courtcircuit en cas de panne !
V1
Vs
Fonction de conduction
Cn
Fonction de conduction
Fonction de conduction
complexe
12v
Suite du
rseau
0v
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diapo 33
Montages complexes
Un relais est excit lorsque la
tension entre les bornes de sa
bobine est suffisante, quelquesoit son sens.
(valeur "flottante")
Il est donc possible d'alimenter
une bobine par deux rseaux de
conductions complexes
fournissant chacun une tension
(12v) ou 0v.
Le relais utilisant cette bobine
sera donc excit par le OUEX
de ces deux rseaux.
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Fonction de conduction
A
C
Fonction de conduction
0v
0v
0v
12v
0v
12v
0v
12v
12v
12v
12v
0v
diapo 34
Page 17
Conclusions sur les relais
Les relais ont t utiliss avec satisfaction depuis le dbut des annes 1920
jusqu' la fin des annes 1970
Leur emploi est beaucoup plus simple que celui des tubes. Il permet des
optimisations
Des relais spciaux permettent d'optimiser les montages
- Relais de commutation tlphonique
- Relais contacts multiples
- Relais enclenchement (mmorisation mcanique)
- Relais retards
- .......
Ils permettent des montages complexes comme des centraux tlphoniques
Leur lenteur ne leur a pas permis de participer aux processeurs
informatiques
Ces techniques seront rutilises par les transistors MOS.....
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diapo 35
Les dispositifs semi-conducteurs
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diapo 36
Page 18
Matriaux semiconducteurs
Occupent la colonne centrale du tableau priodique
Possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique
(valence 4)
Isolants l'tat pur
Lgre conductance croissant avec la temprature
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diapo 37
Exemple : Silicium
Densit 2,33
Point de fusion 1410c
Cristallisation cubique
5 1022 atomes par cm3
Trs pur < 10-12
Constituant principal du sable
Isol en 1823 par
Jns Jacob Berzelius
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diapo 38
Page 19
Reprsentation planaire d'un cristal semiconducteur
--
--
+
-
--
--
--
--
--
+
--
--
--
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 39
Semiconducteur dop N
Adjonction d'une trs faible
quantit d'un matriau de
valence 5, (10-7 10-4) appel
dopant N (ex phosphore)
Introduit:
des charges ngatives
mobiles (les lectrons)
des charges positives
fixes (les atomes de
dopant ioniss)
Le matriau devient
conducteur
- +
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- -
+
-
lectron mobile
- -
- P
- +
- -
diapo 40
Page 20
Semiconducteur dop P
-
Adjonction d'une trs faible
quantit d'un matriau de
valence 3 (10-19 10-4) appel
dopant (ex : Bore)
Introduit:
des charges positives
mobiles (les absences
lectrons)
des charges ngatives fixes
(les atomes de dopant
ioniss)
Le matriau devient conducteur
(moins que dans le cas d'un
matriau N)
- -
- -
- -
- +
trou mobile
- -
- -
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diapo 41
Courant dans un semiconducteur
Deux types de porteurs de charge mobiles
lectrons
trous
absences d'lectron (positifs!)
Le dplacement d'un trou rsulte des dplacements
successifs d'lectrons. Les trous sont donc moins
rapides que les lectrons.
Mobilit
Vitesse moyenne, d'un porteur, atteinte sous
l'effet d'un champ lectrique
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diapo 42
Page 21
Jonction
Coexistence de deux
zones N et P contiges
dans un mme cristal de
semiconducteur
Porteurs mobiles
Electrons libres
Trous libres
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
type N
type P
Jonction
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diapo 43
Polarisation spontane
Polarisation spontane
Recombinaison
spontane (thermique)
des porteurs N et P au
niveau de la jonction.
Diminution du nombre de
charges mobiles de
chaque ct.
Polarisation spontane
de chaque zone:
apparition dune
diffrence de
potentiel spontane.
Recombinaison
thermique
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
type N
type P
Zone
dplte
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diapo 44
Page 22
Polarisation directe d'une jonction
Lorsque le potentiel
appliqu est
suprieur la
diffrence de
potentiel spontane:
Les porteurs sont
pousss se
recombiner au
niveau de la
jonction
--La tension
ncessaire pour
Injection
provoquer cette d'lectrons
recombinaison
libres
est appele la
tension de seuil
de la diode
+
i
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
--Extraction
d'lectrons
libres
recombinaisons
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diapo 45
Polarisation inverse d'une jonction
Les porteurs sont
repousss de la jonction.
Formation dune capacit
variable avec la tension.
Si la tension inverse est
trop forte, il y a claquage
de la jonction (effet
d'avalanche).
(peut tre matris
diodes Zener)
Cration d'une zone vide
de charges d'o isolante
(dite dplte).
i=0
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Pas de courant !
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
zone dplte
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diapo 46
Page 23
Effet de seuil
Caractristique d'une diode
(Fonction exponentielle)
Pratiquement assimile un
seuil dpendant du matriau
0,2v diode Schottky
seuil
0,6v diode Germanium
0,8v diode Silicium
Utilis comme un dcaleur de
tension
(Zener)
Il existe un autre seuil, de
tension beaucoup plus lev,
d l'effet d'avalanche (diode
Zener)
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diapo 47
Diode
Dispositif lectronique comportant
une jonction
A pointe (ex : dtecteur
galne) Le contact de la pointe
forme un dopage
jonction
dite de Schottky
A jonction
Largement utilis
Dtection (radio, radar....)
Logique
Redressement (alimentation,
puissance...)
Diodes spciales :
(optolectronique, capacits
variables, de protections,
dtecteurs nuclaires, clairage,
photo-voltaque, etc...)
Symbole
d'une diode
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diapo 48
Page 24
Logique diode
Va
Principe :
Calcul d'un min / max entre
plusieurs tensions
Vs
Fournit le ET des entres
Ncessite un organe
amplificateur (rgnrateur)
(tube, transistor)
Vs = min(Ei)+seuil
E1
E2
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En
diapo 49
Les transistors bipolaires
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diapo 50
Page 25
Les transistors pointes
Les premiers transistors bipolaires
taient des transistors pointes.
Ils ont t invents quasiment
simultanment par les amricains
(J. Bardeen et WH. Brattain ) et les
allemands (Herbert Matar et
Heinrich Welker) juste aprs la
WWII au cours de l'tude des
diodes pointes utilises par les
RADAR.
Les transistors pointes ont t
fabriques en petite srie en
Allemagne par H. Matar, mais pas
aux USA qui se sont rorients
vers les transistors jonctions.
Les noms des lectrodes des
transistors bipolaires, ainsi que
leur symbole viennent des
transistors pointes.
r
ur
teu
cte
t
e
e
l
l
Em
Co
Base
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Transistor bipolaire
Aussi appel BJT
(Bipolar Jonction
Transitor)
Constitu de deux
jonctions trs
rapproches
Emetteur / base
Base /
collecteur
diapo 51
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Emetteur
+
+
+
Base
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Collecteur
L'paisseur de la
base est infrieure
au micron.....
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diapo 52
Page 26
Fonctionnement du transistor bipolaire jonctions
La jonction base / collecteur
est bloque. La zone
dplte couvre toute la
base.
ic
- Vce +
La jonction base / metteur
est passante. Les porteurs
injects dans la base par
l'metteur sont pigs et
attirs vers le collecteur
plus de 99% (effet de pige).
- Vbe+
ib
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - e
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Le courant base commande
le courant collecteur avec un
coefficient d'amplification
>100.
Le transistor bipolaire
semble symtrique. Le
collecteur semble
permutable avec l'metteur,
mais la succession des
niveaux de dopage rendent
cette permutation ineffective.
Jonction
passante
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Jonction
bloque
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diapo 53
Caractristiques des transistors bipolaires
Ib
Ic
Ib = 0,5mA
Vce=3v
Saturation
Ib = 0,3mA
Vbe
Ic
Vce=3v
Ib = 0,1mA
2N2222
Blocage
Ib = 0,0mA
Ib
Vce
Vsat
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diapo 54
Page 27
Transistors bipolaires complmentaires
Les transistors bipolaires sont
typs par la succession des
types des dopants de ses 3
zones (ex NPN)
C
B
E
Il est possible de fabriquer des
transistors complmentaires
(PNP) qui fonctionnent avec
des tensions et des courants
inverses de ceux des NPN.
Symbole tr. NPN
Il est possible de raliser des
montages logiques duaux, mais
la commande en courant des
transistors rend dlicate la
conception de ces circuits.
B
E
Symbole tr. PNP
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diapo 55
"Tirage" des lingots de silicium
Traction
Rotation inverse
Flux dArgon
Cristal germe
Cristal de silicium
Interface solide /
liquide
Creuset en silice
Graphite
Solnode de
chauffage
Silicium liquide
Des "impurets" sont mises
dans le silicium fondu pour
produire des lingots P ou N
Rotation
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diapo 56
Page 28
Sciage des lingots en tranches
Les tranches font quelques
diximes de mm d'paisseur
Leur diamtre a volu de 25
500mm
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diapo 57
Insolation par groupes de transistors
Masque
Dplacements
de la tranche
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diapo 58
Page 29
Transistors sur une tranche
Les transistors sont raliss
collectivement sur la tranche
Le cot de fabrication d'un
transistor est celui de la tranche
divis par le nombre de transistors
bons
Le rendement du procd
technologique se mesure par:
= nb de tr. bons
nb de tr. potentiellement bons
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diapo 59
Ralisation des bases - masquage
Masque (ngatif)
Processus de
photogravure
Etalement de la
rsine
photosensible
Rsine photosensible
SiO2
Masquage et
insolation aux UV
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Image du masque
1mm env.
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diapo 60
Page 30
Ralisation des bases dveloppement de la
rsine
Suite processus de
photogravure
Dveloppement de
la rsine (avec un
solvant)
La rsine va servir
de masque la
gravure du SiO2
Solvant
Rsine insole
SiO2
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Rsine restante
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diapo 61
Ralisation des bases gravure du SiO2
Suite processus de
photogravure
FH FNH4
Gravure du SiO2
avec du FH FNH4
La rsine est
ensuite enleve
totalement
Rsine servant de masque
SiO2 grav
Silicium dop P
(collecteur)
La silice va servir
de masque pour
diffuser la base
Vue de dessus
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diapo 62
Page 31
Ralisation des bases diffusion de la base
Dpt de Phosphore sur
le silicium nu
dpt phosphore
La silice sert de masque
pour doper le silicium de
la base
SiO2 servant de masque
Diffusion thermique du
phosphore dans le
silicium (surdopage)
N+
Silicium dop N
(Base)
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Roxydation
Dans le cas de dopages
successifs, seul compte le dopant
majoritaire. Le taux de dopage
crot donc chaque surdopage.
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diapo 63
Ralisation des metteurs
Idem que la
fabrication des
bases
dpt bore
Dpt de bore
L'paisseur de la
base doit tre une
fraction de m
SiO2 (protection)
P+
N+
Base
Emetteur
Base du transistor
Collecteur
Vue de dessus
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diapo 64
Page 32
Finition
Connexion metteur
Dpt et gravure des plots
des connexions des
metteurs et des base
N+
Tests des transistors,
marquage des mauvais
P+
Connexion collecteur
(boitier)
Sciage des puces
Pour les bonnes :
Soudure sur l'embase
du boitier
Pose des fils de
connexion
Pose du capot
Test final
Connexion base
Connexion metteur
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diapo 65
Transistor fini
(ouvert !)
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 66
Page 33
Des transistors PLANAR aux circuits intgrs
La technologie Planar permet
d'interconnecter les transistors entre eux.
Cette interconnexion conduit aux Circuits
Intgrs, co-invents par Robert Noyce
(Fairchild) et Jack Kilby (Texas
Instruments) en 1965 (La paternit de
l'invention a t attribue Jack Kilby)
Le circuit de Jack Kilby (1965)
Apparition des circuits MSI qui ont permis
en 1965 la cration par TI d'un mcano
logique appel "Srie 54/74"
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diapo 67
Logique RTL
RTL (Resistors Transistors Logic)
Va
Consiste relier directement les
transistors d'une chaine logique
pour raliser des portes NON-OU
Rc
Vs
Les rsistances Rb sont
ncessaires pour quilibrer les
courants dans les bases des tr.
Le fonctionnement de ce type de
porte est dissymtrique :
Rb
Rb
Rb
Temps de descente faible
Temps de monte plus
important
E1
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E2
En
diapo 68
Page 34
Va
Va
Logique DTL
S
DTL (Diodes Transistors Logic)
Consiste associer un ET diodes
avec un transistor de rgnration
pour raliser une porte NON-ET
L'ensemble des diodes peut tre vu
comme un transistor multimetteurs
E1
E2
En
transistor
multi-metteurs
Il suffit que l'une des entres soit
porte une tension < seuil pour
provoquer le blocage du transistor.
Le fonctionnement de ce type de
porte est disymtrique :
Temps de descente faible
Temps de monte plus
important
Emetteurs
Base
P+
N+
Collecteur
P
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diapo 69
Va
Logique TTL
Va
Va
TTL (Totem-Pole)
transistor
multi-metteurs
Dveloppement d'une porte de
base
Le fonctionnement de ce type de
porte est presque symtrique.
Ce type de portes logiques est
l'origine de la srie de modules
74xxx devenue un standard de
fait.
La srie 74xxx d'origine est
entirement construite l'aide
de la porte TTL de base 7400
et de ses variantes.
Elle contient plusieurs
centaines de boitiers.
Cette srie a t ensuite
dcline avec d'autres
technologies.
S
E1 E2
En
Totem-Pole
SN7400N
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 70
Page 35
Va transistor
multi-collecteurs
Logique I2L
Sn
Ri
Par commutation de courant
Forme un ET de connexion en entre.
S1
Niveaux logiques :
0,2v
"0" absorption d'un courant
d'injection vers la masse
0,8v
"1" isol
E1
Utilisation "inverse" du transistor
multi-metteurs (qui devient multicollecteurs) et d'un transistor
complmentaire "latral"
(utilisation non rationnelle de la
technologie bipolaire !)
Ep
Surtout utilis pour raliser des
circuits intgrs
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diapo 71
Logique ECL
Va 5,2v
Va
Va
ECL (Emitter Coupled Logic)
Logique diffrentielle trs
rapide signaux de faible
amplitude.
Sorties directe et
complmente.
E1
En
SB
Ref.
1,15v
Ce montage ncessite
l'utilisation d'une tension de
rfrence de 1,15v situe entre
les niveaux 1 et 0.
Consommation importante,
indpendante du niveau
logique.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 72
Page 36
Logique asynchrone
Avant l'arrive de la TTL.... (et
mme aprs....)
Chargement
des entres
Gnration de signaux
d'acquisition, en parallle des
organes, par des retards ou
des multivibrateurs.
(chane de retards)
Retard
ajustable
Validation
du rsultat
Opration
prcdente
Pb : Difficult d'estimation du
pire cas de dure de
fonctionnement de l'organe,
surtout en prenant en compte
son vieillissement et de celui
de la chane de retards !
Opration
suivante
Temps de
fonctionnement
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diapo 73
Srie (54) 74
Introduite par Texas Instruments en
1964.
Base initialement sur la logique
TTL a ensuite volu avec la
technologie.
Tension d'alimentation : 5v
Niveaux logiques :
> 2,4v
"1"
< 0,8v
"0"
Mcano de plus d'une centaine de
boitiers permettant de raliser la
majorit des applications logiques.
Introduction de la logique
synchrone.
Devenue la base de la culture
logique.
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 74
Page 37
Logique synchrone
Deux "tres" logiques :
Les niveaux logiques
Les vnements (fronts d'horloge)
- Manipulables via les signaux dont ils sont les fronts
Idalement, utilisation d'un signal d'horloge unique,
porteur des vnements princeps du systme (rgle trs
souvent viole !)
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 75
Bascules synchrones
horloge
temps de prpositionnement
temps de maintient
Les bascules sont des dispositifs
complexes, raliss par les
fondeurs pour simuler le
comportement thorique des
bascules
entre
temps de basculement
A l'occurrence de l'horloge, les
bascules doivent toutes
simultanment :
Acqurir leurs nouvelles
valeurs d'entres
Afficher leurs nouvelles
valeurs de sortie
Plusieurs techniques sont
utilises
Automates asynchrones
(bascule 28 transistors !)
Bascule drivateur
(Partovi)
Matres-suiveur 20
transistors
sortie
Flip-flop
QB
CLK
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SN7474
diapo 76
Page 38
Contraintes de la logique synchrone
Contraintes sur les chaines
longues :
Le temps d'tablissement des
circuits combinatoires doit
toujours tre infrieur la
priode de l'horloge.
Contraintes sur les chanes
courtes :
Les bascules alimentes
directement par la sortie d'une
autre bascule (registre
dcalage) doivent toujours
disposer de cette valeur au
moment de l'occurrence de
l'vnement d'horloge. Il faut
donc faire trs attention aux
dcalages d'horloges.
Temps
d'tablissement
H
B2
B1
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diapo 77
Mtastabilit
info
Dans le cas d'asynchronisme
pur entre une variation de
l'entre et le signal de
chargement
Risque de concidence
pathogne entre la lecture et
l'criture dans une bascule
Concidence infrieure la
picoseconde (10-12 s)
bascule
chargement
info
chargement
Probabilit de l'ordre de 10-12
10-14
Les sorties sont mises dans un
tat intermdiaire
Dure d'autant plus longtemps
que la concidence est plus
prcise
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Q
QB
mtastabilit
t
diapo 78
Page 39
Mtastabilit (suite)
La mise en mtastabilit dpend de
la prcision de la concidence entre
la variation de l'entre et celle du
signal d'acquisition
La mtastabilit se propage dans le
systme car le retour un tat
logique produit une nouvelle
transition asynchrone
Il semble qu'il n'y ait aucun moyen
logique de supprimer le risque de
mtastabilit
Une faon de rduire ce risque
est d'augmenter l'nergie interne
des bascules dans l'tat
mtastable.
La mtastabilit est responsable
d'une partie des pannes
transitoires.
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Exemple: SN7474
diapo 79
Rgle gnrale (Loi d'volution de l'lectronique (?)
Abandon (progressif) des solutions opratoires physiques et analogiques au
profit de dispositifs de base "idaux" permettant de les construire logiquement
(rapides, petits, compatibilit entrs-sorties, dualit, seuils, environnement
"humain")
Remplacement du physique par du construit, de l'analogique par du numrique
exemples d'abandon de technologies :
- Mcanique (fragilit, usure, lenteur).
- Mmoires physiques (Hystrsis et rsistances ngatives) (signaux de
sortie trop faibles).
- Calcul optique ex : diffraction pour raliser des FFT (analogique, d'o des
convertisseurs).
- Supraconductivit (fonctionnement trs basses tempratures)
- Lumire pour des connexions internes aux CI (taille des dispositifs,
rgnration ncessaire).
Abandon de dispositifs
Effectifs : mmoires tores, afficheurs tube, tubes lectroniques.
Programms : disques magntiques.
Probables : machines optiques, dispositifs supraconducteurs, mmoires
magntiques.
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diapo 80
Page 40
