REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE LA RECHERCHE

SCIENTIFIQUE

UNIVERSITE M’HAMED BOUGARA-BOUMERDES

Faculté des hydrocarbures et de la chimie

Réalisé par :
MOUSSAOUI Douaa
TERCHA Wassila
GROUPE : MAEI18
Encadré par : Mr HAMADACHE

2021/2022
Introduction:
Un capteur est un dispositif qui transforme une grandeur physique ( mesurande) observée en une
grandeur électrique utilisable,telle que:une tension électrique,une hauteur de mercure,une intensité ou la
déviation d’une aiguille.on fait souvent(à tort) la confusion entre capteur et transducteur:le capteur est au
minimum constitué d’un transducteur.
Le capteur se distingue de l’instrument de mesure par le fait qu’il ne s’agit que d’une simple interface
entre un processus physique et une information manipulable.par opposition,l’instrument de mesure est
un appareil autonome se suffisant à lui-meme,disposant d’un affichage ou d’un système de mesure de
stockage des données. Le capteur lui est dépourvu.
Les capteurs sont les éléments de base des systèmes d’acquisation de données.Leur mise en oeuvre
est du domaine de l’instrumentation.

Qu’est-ce qu’une photorésistance LDR?

Comme son nom l’indique dans la langue de Shakespeare: LDR
pour Light Dependent Resistor, la photorésistance est un dipôle dont
la résistance varie en fonction de l’éclairement E qu’elle reçoit d’une
source de lumière.
La partie sensible du capteur est une piste de sulfure de
cadmium en forme de serpent : l’énergie lumineuse reçue déclenche
une augmentation de porteurs de charges libres dans ce matériau, de
sorte que sa résistance électrique évolue.

Fonctionnement:
Les photorésistances fonctionnent selon le principe de
la photoconductivité (photoconductivité est un
phénomène optique dans lequel la conductivité du
matériau augmente lorsque la lumière est absorbée
par le matériau).
Lorsque la lumière tombe,c’est à dire lorsque les
photons tombent sur le dispositif,les électrons dans la
bande de valence du marériau semi-conducteur sont
excités vers la bande de conduction.ces photons dans
la lumière incidente devraient avoir une énergie
suprérieure à la bande interdite du matériau semi-
conducteur pour faire sauter les électrons de la bonde
de valence à la bande de conduction.
Par conséquent,lorsque la lumière ayant suffisamment d’énergie frappe le dispositif,de plus en plus
d’électrons sont excités vers la bande de conduction,ce qui entraine un grand nombre de porteurs de
charge.le résultat de ce processus est que de plus en plus de courant commence à traverser le dispositif
lorsque le circuit est fermé et il est donc dit que la résistance du dispositif a été diminuée.
Caractéristiques des LDR:
Lorsqu’une LDR est laissée dans l’obscurité est trés élevée.cette résistance est appelée
résistance sombre(dark resistance).et si elle absorbe de la lumière,sa résistance diminuera
considérablement.
Si une tension constante lui est appliquée et que l’intensité de la lumière augmente, le courant
commence à augmenter.la figure ci-dessous montre la courbe résistance/éclairement pour une LDR
particulière.

 Les LDR sont des dispositifs non linéaires. Leur sensibilité varie avec la longueur d'onde de la
lumière incidente sur elles. Certaines photocellules peuvent ne pas répondre du tout à une
certaine plage de longueurs d'onde. En fonction du matériau utilisé, différentes cellules ont
différentes courbes de réponse spectrale.
 Lorsque la lumière est incidente sur une cellule photoélectrique, il faut généralement environ
8 à 12 ms pour que le changement de résistance se produise, tandis qu'il faut une ou plusieurs
secondes pour que la résistance retrouve sa valeur initiale après le retrait de la lumière. Ce
phénomène est appelé taux de récupération de la résistance.
 De plus, les LDR sont moins sensibles que les photodiodes et les phototransistors.
Une photodiode et une photocellule (LDR) ne sont pas identiques, une photodiode est un
dispositif semi-conducteur à jonction pn qui convertit la lumière en électricité, tandis qu'une
photocellule est un dispositif passif, il n'y a pas de jonction pn ni de « conversion » lumière à
l'électricité.
-Il existe plusieurs spécifications importantes pour les photorésistances comme il est montré au
tableau suivant:
paramètre détails
Dissipation de C'est la puissance maximale que l'appareil est capable de
puissance dissiper dans une plage de température donnée. Le
maximale : déclassement peut être applicable au-dessus d'une certaine
temperature.
Tension de En particulier, comme l'appareil est à base de semi-conducteurs,
fonctionnement la tension de fonctionnement maximale doit être respectée. Ceci
maximale : est généralement spécifié à O lux, c'est-à-dire l'obscurité.
Longueur d'onde Cette spécification de photorésistance détaille la longueur
crête d'onde de la sensibilité maximale. Des courbes peuvent être
(Peak Wavelenght) : fournies pour la réponse globale dans certains cas. La longueur
d'onde est spécifiée en nm
Résistance à Des résistances minimum et maximum sont données dans
l'allumage : certaines conditions d'éclairage, souvent 10lux.
Une condition 'complètement allumé' peut également être
donnée sous un éclairage extrême, par ex. 100lux.
Résistance à Des valeurs de résistance à l'obscurité seront données pour la
l'obscurité photorésistance. Elles peuvent être spécifiées après un temps
(Dark Resistance) : donné car il faut un certain temps pour que la résistance chute,
car les porteurs de charge se recombinent - les photorésistances
sont notées pour leurs temps de réponse lents.

- Types de photorésistance:
Les photoresistances se repartissent en deux types ou categories:

 Photorésistances intrinsèaues:
-Les photorésistances intrinsèques utilisent des matériaux semi-conducteurs non dopés,
notamment du Silicium ou du Germanium.
-Les photons qui tombent sur la surface de I'LDR excitent les électrons qui se déplacent de la
bande de valence à la bande de conduction. En conséquence, ces électrons sont libres de
conduire l'électricité.
-Plus la lumière tombe sur le composant, plus les électrons sont libérés et plus le niveau de
conductivité est élevé, ce qui se traduit par un niveau de résistance plus faible.
  Photorésistances extrinsèalles:
Les photorésistances extrinsèques sont fabriquées à partir de semi-conducteurs de matériaux
dopés avec des impuretés. Ces impuretés ou dopants créent une nouvelle bande d'énergie au-
dessus de la bande de valence existante.
En conséquence, les électrons ont besoin de moins d'énergie pour être transférés dans la bande
de conduction en raison de la plus petite distance énergétique.
Quel que soit le type de photorésistance, les deux types présentent une augmentation de la
conductivité ou une diminution de la résistance avec des niveaux croissants de lumière
incidente.

Avantages:
 Capteur sensible.
 Faible cout.
 Facile à mettre en oeuvre.

Inconvénients:
 Non-linéaire.
 La vitesse de variation de R avec l’éclairement est faible est faible et non symétrique.(Temps de
montrée de l’ordre de 35 ms et temps de descente de l’ordre de 10 ms).

Applications des photorésistances:

Les photorésistances ont une structure simple et peu coûteuse et sont souvent utilisées comme
capteurs de lumière. Les autres applications des photorésistances comprennent :
 Détection de présence/absence de lumière comme dans un photomètre.
 Eclairage public automatique.
 Circuits d'alarme antivol
 Mesure d'intensité lumineuse
 Elles sont aussi utilisées dans le cadre d'un système SCADA pour effectuer des fonctions
telles que le comptage du nombre de colis sur une bande transporteuse mobile.