1 屏蔽效能
屏蔽效能可以由屏蔽造成磁场和电场强度的减少量进行描述，以dB为单位表达屏蔽效能很方便，这样就可以允许不同的屏蔽产生的屏蔽效能相加获取总的屏蔽效能。
电场的屏蔽效能定义为：
磁场的屏蔽效能定义为：
式中，E0/H0表示入射场强，E1/H1表示穿过屏蔽后入射波的场强。
一个没有孔隙的完整材料的总屏蔽效能等于吸收损耗A、反射损耗R和屏蔽层的多重反射矫正因子B的总和，可以写为：
并且，经验表明，当吸收损耗A大于9dB，多重反射因子B可以被忽略。
2 吸收损耗
当电磁波穿过媒质时，它的幅度呈现指数衰减，这是由于屏蔽体中感应的电流产生了欧姆损耗和材料发热所导致的，并且与材料的趋肤深度紧密相关：
式中t指的是深入屏蔽体中的深度，δ指的是趋肤深度。
因此，穿过屏蔽体的吸收损耗可以写为：
将趋肤深度的关系式带入上式中，可改写为：
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