虽然当地媒体关注华为减少中国 HBM 对人工智能推理的依赖,但这家科技巨头在 8 月 12 日发布了 UCM(统一计算内存)——据我的驾驶和证券时报报道,这是一种人工智能推理突破,可大幅降低延迟和成本,同时提高效率。值得注意的是,报道表明华为将在 2025 年 9 月开源 UCM,首先在 MagicEngine 社区推出,然后贡献给主流推理引擎,并与 Share Everything 存储供应商和生态系统合作伙伴分享。UCM 的变革性功能《证券时报》援引华为数字金融 CEO 曹健的话指出,高延迟和高成本仍
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华为 HBM.人工智能 UCM
全球领先的自动测试设备和机器人供应商泰瑞达近日宣布推出新一代内存测试平台Magnum 7H,旨在满足高性能生成式AI服务器中GPU和加速器所集成的高带宽内存(HBM)芯片测试的严苛要求。Magnum 7H专为大规模HBM堆叠裸片测试而设计,具备高同测数、高速和高精度三大特性。行业领先的HBM制造商已开始使用泰瑞达Magnum 7H平台进行HBM芯片的量产测试并出货,产能得到大幅提升。泰瑞达内存测试事业部总裁Young Kim表示:“我们隆重推出Magnum 7H,这是一款革新性的内存测试平台,它重新定义了
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泰瑞达 高带宽内存 HBM 内存测试平台
在漫威电影宇宙中,钢铁侠的 AI 管家贾维斯,能理解复杂指令、实时提供各类信息、辅助战甲高效运行,为观众描绘出强大的 AI 应用场景。如今,随着移动 HBM 技术的发展,我们的手机也在迈向具备类似强大 AI 能力的设备。那么,从移动 HBM 到「贾维斯」般的智能体验,我们还有多少距离?移动HBM,到底是什么?在深入探讨移动 HBM 之前,先来了解一下传统内存技术在移动设备中的局限性。以智能手机为例,随着 AI 摄影、AI 语音助手等功能的普及,手机需要在短时间内处理大量的数据。在拍摄一张 AI
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HBM
据全球咨询公司麦肯锡7月20日发布的报告显示,包括英伟达、台积电、博通等在内的半导体行业前5%(按年销售额计算)的公司,包揽了2024年该行业创造的全部利润。前5%的半导体公司获得的经济利润高达1590亿美元,而中间90%的公司利润仅为50亿美元,排名后5%的公司实际亏损370亿美元。实际上,前5%的半导体公司获得的成绩单超过整个半导体市场创造的经济利润(1470亿美元)。这一市场转变仅用了2~3年时间。在新冠疫情期间(2021-2022年),中间90%的企业每年获得的经济利润超过300亿美元。换算成每家
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半导体 英伟达 台积电 博通 AI 三星 HBM
根据 ZDNet 在 25 日的报道,引用行业消息人士称,全球领先的半导体后端设备制造商预计将在 2025 年下半年扩大其 HBM 混合键合业务。BESI 预计 2025 年下半年混合键合订单将增长7 月 24 日,荷兰设备制造商 BESI 在其 2025 年第二季度财报中表示,预计第三季度将表现强劲,先进封装设备订单(包括混合键合系统)将增加。该公司指出,混合键合工具的需求预计在 2025 年下半年将显著增长——与上半年相比,也与 2024 年同期相比——因为客户
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HBM 三星 存储
随着英伟达以及 Meta、谷歌等云巨头加大 AI 投入,推动 HBM 需求增长,分析师警告明年可能面临价格下跌。据高盛称,经济日报报道,竞争加剧和供过于求可能导致 2026 年首次出现 HBM 价格下跌——这对市场领导者 SK hynix 构成挑战。值得注意的是,据高盛称,2026 年 HBM 价格可能下跌两位数。此外,竞争加剧以及定价权向主要客户转移(SK hynix 受影响严重)可能挤压该公司的利润空间,高盛警告称。根据高盛的预测,HBM 价格下降的趋势可能归因于主要参与者 HBM 比特供应的显著增加
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HBM 内存 海力士
随着主要内存制造商将产能转向 DDR5 和 HBM,他们的 DDR4 淘汰时间表逐渐清晰。根据商业时报的报道,三星、SK 海力士和美光计划在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出货。TrendForce 的最新调查也显示,三大 DRAM 供应商正在将产能转向高端产品,并已开始宣布 PC 和服务器级 DDR4 以及移动 LPDDR4X 的停产计划。因此,预计 2025 年第三季度的传统 DRAM 合同价格将上涨 10%至 15%。包括 HBM 在内,整体 DRAM 价格预计将上涨 15%至 2
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存储 DDR4 HBM
Samsung Electronics 第二季度盈利大幅下滑主要源于其半导体业务表现不佳,该业务占整体利润的 50-60%。由于持续的技术问题,高带宽内存(HBM)和其他高容量、高附加值内存产品未能从蓬勃发展的人工智能(AI)领域获益。代工(合同芯片制造)和系统 LSI 业务也因未能争取到主要客户而继续亏损。然而,随着 Nvidia 的 HBM 大规模生产批准的可能性在第三季度增加,以及上半年积累的内存库存得到清理,人们对业绩反弹的预期正在增长。根据行业消息,7 月 8 日三星电子的设备解决方案(DS)部
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三星电子 HBM.半导体产业
三星电子在今年第二季度录得的营业利润明显低于市场预期,引发了对其高带宽内存 (HBM) 业务失败的担忧,这被视为这一缺口背后的最大原因,以及代工业务的潜在复苏。尽管存储半导体需求低迷,但 SK 海力士和美光在 HBM 和高性能 DRAM 的引领下取得了不错的成绩,而三星电子却在性能不佳的泥潭中苦苦挣扎。特别是,三星电子自第四代 HBM (HBM3) 以来,所有代 HBM 产品都未能取得显著成果,导致 SK 海力士和美光占据市场领先地位。根据国内证券公司的分析,三星电子的内存部门录得约 3 万亿韩元的营业利
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三星电子 半导体 HBM
美光在 2025 财年第三季度的创纪录收入是由 HBM 销售额激增近 50%推动的——而且势头仍在继续。这家美国内存巨头现在目标是到年底占据约 25%的 HBM 市场份额,正如 ZDNet 所报道的那样。虽然其乐观的展望吸引了市场关注,但焦点也集中在其全球产能扩张能否跟上。以下是美光最新制造动向的简要回顾,包括国内和海外。美国生产时间表指向2027年开始2022 年 9 月,美光公司公布了一项 150 亿美元的扩张计划,计划在其爱达荷州博伊西总部建设一个尖端研发和半导体制造设施——这是
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美光 HBM 内存
在 2025 财年第三季度 HBM 销售额增长近 50% 的推动下,美光公布了创纪录的收入,现在正着眼于另一个里程碑。据 ZDNet 称,这家美国内存巨头的目标是到 2025 年底将其 HBM 市场份额提高到 23-24%。值得注意的是,美光在其新闻稿中表示,它现在正在向 GPU 和 ASIC 平台上的四个客户交付大批量 HBM。因此,该公司预计到 2025 年下半年,其 HBM 市场份额将达到与其整体 DRAM 份额持平。据路透社报道,美光的强劲业绩反映了 NVIDIA 和 AMD
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Micron HBM GPU ASIC
美光在 2025 财年第三季度创纪录的收入是由 HBM 销售额增长近 50% 推动的,而且这种势头并没有放缓。正如 ZDNet 所指出的那样,这家美国存储器巨头现在的目标是到年底在 HBM 市场占据大约 25% 的份额。虽然其乐观的前景吸引了市场的关注,但人们也关注其全球产能扩张能否跟上步伐。以下是美光在国内外的最新制造举措。美国生产时间表指向 2027 年开始根据其新闻稿,2022 年 9 月,美光公布了一项价值 150 亿美元的计划,以扩建其位于爱达荷州博伊西的总部,该总部将拥有尖
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晶圆厂 美光 HBM
随着将 HBM4 时代的希望寄托在其 1c DRAM 的进展上,据报道三星在良率方面取得了重大突破。据 sedaily 报道,该公司最近在其第六代 10nm 级 DRAM(1c DRAM)晶圆测试中实现了 50-70%的良率——这一数字较去年的 30%以下水平有了显著提升。值得注意的是,与 SK 海力士和美光等坚持使用更成熟的 1b DRAM 生产 HBM4 不同,三星正大胆押注下一代 1c DRAM。随着良率稳步提高,该公司计划在其华城和平泽工厂加大 1c DRAM 的生产规模,根据
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三星 HBM 存储
据台媒《经济日报》报道,由于DDR4供应减少,再加上市场神秘买家大举出手扫货,最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM现货价等规格单日都暴涨近8%。本季以来报价已翻涨一倍以上,不仅跨过DRAM厂损益平衡点,更达到让厂商暴赚的水平。如今DDR4不仅报价大涨,甚至比更高规格的DDR5报价更高,呈现“价格倒挂”,业界直言:“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”根据DRAM专业报价网站DRAMeXchange最新报价显示,6月13日晚间DDR4现货价全面暴涨,DDR4 8Gb(1G×8)3200大涨7.8%,
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