当行业还在热议3nm工艺量产进展时,台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛!据《经济日报》报道,台积电2nm芯片良品率已突破 90%,实现重大技术飞跃!
良率代表着硅晶圆中可用芯片的占比,更高的良率意味着芯片制造商无需承担制造次品的成本。高良率主要体现在存储产品方面,台积电2纳米制程的芯片tape - out数量达到了5纳米制程的四倍之多。分析师通过晶圆切割和抛光公司的营收及需求情况,来推断对台积电2纳米和3纳米制程的需求。
这次突破靠的是硬核技术革新。台积电抛弃FinFET架构,采用基于GAA技术的MBCFET结构,把电流通道从“单行道”升级成“立体立交桥”,完美解决漏电难题。再加上纳米片堆叠技术与极紫外光(EUV)设备助力,良率一路狂飙——去年7月风险试产时仅60%,如今半年时间直冲90%
产能布局也在火力全开。台积电新竹宝山区四座超大型晶圆厂(占地超90公顷)建设进入冲刺阶段,预计今年下半年启动量产准备,2025年全面量产。苹果、联发科、高通等科技行业的头部企业已瞄准台积电的2nm制程,台积电也已于4月1日开启订单接收。
日前,董事长暨总裁魏哲家在台积电股东常会上表示,2025年台积电将稳健成长,全年营收预计实现 “中段二位数百分比的增长”。
魏哲家表示:“随着AI技术不断演进,业界所需的模型日益复杂,也推动对更强大半导体硬件的需求。对此,台积电正处于有利位置,凭借该公司的差异化技术实力,可积极应对5G、AI等主要产业趋势所带来的增长机遇。”
此外,魏哲家还强调,台积电将持续在研发和技术发展上加大投入,以支持客户需求。当前3纳米制程已进入量产第二年,受智能手机与高性能计算(HPC)应用推动,去年贡献了公司整体晶圆销售金额的18%。而即将在2025年下半年量产的2纳米制程(N2),则被视为满足节能计算需求的重要突破,几乎所有主要芯片设计公司都已与台积电展开合作。
审核编辑 黄宇
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