安森美荣膺2025人工智能行业优秀创新力产品奖

近日，在深圳福田会展中心举行的维科杯.OFweek 2025 (第十届)人工智能行业年度评选活动圆满落幕。安森美（onsemi）的SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借颠覆性技术突破，斩获维科杯·OFweek 2025人工智能行业优秀创新力产品奖。这款产品以其创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性，成功解决了AI应用领域大电流、高功率场景的核心痛点。

AI PSU向高功率密度、高效率方向发展

PSU（Power Supply Unit, 电源供应单元）是AI数据中心电源转换环节的关键基础设施，主要用于将电网提供的电能转换为服务器、网络设备、存储设备所需的电能，主要有电能转换、稳定电流、过载保护三大功能。

AI服务器功率骤增带动PSU向高功率密度、高效率方向发展。PSU的功率从早期的3kW，发展到目前的8kW/12kW，并计划向18kW-22kW甚至25-30kW演进。

针对这这些挑战，安森美通过优化拓扑结构和提供高性能功率器件破局。宽禁带（WBG）半导体能够在更高的开关频率下，实现最佳效率，使转换器在不影响转换效率的前提下，实现更高的功率密度，因此，成为AI PSU的理想选择。

SiC Combo JFET四大核心优势，成就AI PSU好搭子

SiC Combo JFET UG4SC075005L8S专为满足高功率密度、高效率的AI PSU而设计，为AI算力扩展提供底层硬件支撑。

该产品具有四大优势：

独特设计：Combo JFET的设计旨在让用户能够分别独立控制MOSFET和SiC JFET的栅极。

超低导通电阻RDS(ON)：采用SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm，能显著降低导通损耗，提高能效。

更高的峰值电流(IDM)：峰值电流对于电路保护应用至关重要，而高IDM的UG4SC075005L8S正是实现这一目的的理想选择。电路保护应用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越能力。

低热阻RθJC：该产品采用银烧结裸片贴装技术，与大多数焊接材料相比，界面导热性能提高了六倍，从而在更小的裸片尺寸下实现相同甚至更低的结至外壳热阻RθJC。低RθJC有助于保持较低的结温，并确保更高的可靠性。

此外，SiC Combo JFET UG4SC075005L8S还有更多优势，在速度可控性方面，它是电路保护和多路并联应用的理想选择。通过降低关断速度来减少电压过冲，可加强电路保护，尤其是短路保护，且易于并联，能出色地平衡开关损耗和动态电流之间的性能。同时，其结构简单，使用寿命长，无参数漂移。栅极驱动兼容性优秀，支持使用成熟的硅基晶体管驱动器，无需专用驱动电路，既能简化系统设计，又能加快开发速度。

安森美提供从电网到 GPU 的一整套电源解决方案

依托业界领先的硅和碳化硅技术，安森美为数据中心提供从电网到 GPU 的一整套电源解决方案，覆盖3kW 到 25-30kW HVDC。

在提升AI PSU功率方面，SiC技术发挥着关键作用。安森美的12kW电源单元（PSU）参考设计通过集成先进的 M3S MOSFET + SiC JFET 器件，确保了卓越的性能，具备更高的开关频率和更强的热管理能力。其转换效率高达 98%，显著降低了能源成本和冷却需求。该产品在AI数据中心市场上极具竞争力，12kW PSU的功率输出比同类产品高出 50%，能够有效满足AI和云计算环境的严苛要求。

安森美聚焦于应对AI驱动运算带来的电力需求激增，通过优化能源利用效率和提升功率密度，在实现结构紧凑的同时，既保障了更高的效率和更低的总拥有成本（TCO），又为可持续生态系统提供了有力支撑。