2011 RF Oscillator
2011 RF Oscillator
L C
L
i
C
i
j
v
+
2
2
0
2
0
d v
v
dt
+ = 0
1
LC
=
( ) ( )
0
0 0 v v V
+
= =
Reenje diferencijalne jednaine
( ) ( )
0 0
sin v t V t = +
.
Poloaj polova
Amplituda oscilacija je odreena poetnim naponom na kondenzatoru, a poto u kolu nema gubitaka
amplituda oscilacija je konstantna
( ) ( )
0 0
sin v t V t = +
2 2
0 1,2 0
0 s s j + = =
1
0 0
R L C
v dv
i i i vdt C
R L dt
+ + = + + =
= +
Reenje diferencijalne jednaine - oscilacije se smanjuju sa vremenom
L C
C
i
v
+
R
Kolo osciluje jer je u poetnom trenutku u njemu postojala energija. Zbog
disipacije na otpornosti, oscilacije iezavaju sa vremenom. Da bi oscilovalo sa
konstantnom amplitudom, u kolo se mora dodati energija koja treba da
nadoknadi snagu izdisipiranu na otporniku
Odravanje oscilacija u kolu pomou negativne otpornosti
L C
v
i
v
+
R
i
1
V
1
V
0
Nelinearni otpornik u okolini koordinatnog poetka
ima negativnu inkrementalnu otpornost (provodnost )
di
0
t
V e
.
v
0
0
v
di
dv
<
( )
3
1 1
i f v a v b v = = +
3 1
1 1 1 1 1 1
1 0
, 0
v
a di
a a V bV V
dv b
= + = =
( )
1
0 0
L C R
dv
i i i i vdt C Gv f v
L dt
+ + + = + + + =
( )
( )
2 2
2
1 1
2 2
0 3 0
df v
d v dv d v dv
LC L G v LC L G a b v v
dv dt dt dt dt
| |
+ + + = + + + =
|
\
Van der Polov oscilator:
3 RF elektronika, 2011.
dv dt dt dt dt
\
Da li su zadovoljeni uslovi za oscilovanje?
Pri otpoinjanju oscilacija je , tako da je ( )
3
1 1 1
i f v a v b v a v = = +
( ) ( ) ( )
2
2
1 1 1
2
0 0
0 1 0,
d v dv s L s L
LC L G a v a G a G
dt C C dt
| | | |
+ + = + = =
| |
\ \
0
1
LC
=
Normalizovani polovi
2
1,2
1,2
0
1
2 2
s
p j
| |
= =
|
\
- Van der Polov parametar
Kada je polovi su u desnoj poluravni kompleksne uestanosti i oscilacije e otpoeti 0 2 < <
Koliko iznosi amplituda oscilacija?
U ustaljenom stanju je , gde je Gn provodnost nelinearne otpornosti
( )
0
0
n
G G + =
.
U ustaljenom stanju je , gde je Gn provodnost nelinearne otpornosti
( )
0
0
n
G G + =
( ) ( ) ( ) ( )
3 3
1 1
cos cos cos
m o m o m o
i V t a V t bV t = +
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
3
1
1 0 0
cos cos 3cos cos 3
4
m
m o m o
bV
i V t a V t t t = + +
Na uestanosti oscilovanja je
odakle se dobija
( ) ( ) ( ) ( )
3
3 1
1 1 0
3
cos cos cos 3
4 4
m
m o m m o
bV
i V t a V bV t t
| |
= + +
|
\
4 RF elektronika, 2011.
Amplituda oscilacija na uestanosti oscilovanja se dobija iz uslova
( )
( )
0 2
0 1 1
3
4
n m
m
I
G a bV
V
| |
= = +
|
\
( )
2 1
0 1 1
1
3 4
0 0
4 3
n m m
a G
G G G a bV V
b
+ = + = =
Zbog postojanja segmenta sa pozitivnom otpornou na karakteristici nelinearne otpornosti, mogu se
izjednaiti gubici na nelinearnoj otpornosti sa aktivnom snagom koja se dodaje u kolo i u sluaju
idealnog rezonatora (G=0). Amplituda oscilacija je tada
1
1
1
4
1.15
3
m
a
V V
b
= =
Realizacija negativne impedanse
+
t
I
t
in
t
V
Z
I
=
( )
1 2 1 t m t
I g V sC V V = + +
.
1
M
in
Z
1
C
2
C
1
C
2
C
1 m
g V
+
1
V
+
t
V
t
I
1
1
t
I
V
sC
=
2
1 2
1 2
1 1
m
in
g
Z
sC sC s C C
= + +
( )
2
1 2
1 2
1 1 1
m
in
g
Z j
j C C C C
| |
= +
|
\
Ekvivalentno kolo
1 2
1 2
C C
C C +
in
Z
2
1 2
m
g
C C
5 RF elektronika, 2011.
1 2
1 2
C C
\
1 2
C C +
Dodavanjem induktivnosti u kolo dobija se LC oscilator:
0
1 2
1 2
1
C C
L
C C
=
+
2
0 1 2
m
g
R
C C
1
M
1
C
2
C
1
M
1
C
2
C
L
L
1
M
1
C
2
C
L
R R
R
Polarizacija Colpittsovih oscilatora sa zajednikim sorsom, zajednikim drejnom i zajednikim gejtom:
1
M
1
C
2
C
1
M
1
C
2
C
L L
1
M
1
C
2
C
L B
I
DD
V
DD
V
+
GG
V
+
DD
V
GG
V
I
.
Parazitne kapacitivnosti MOS tranzistora Cgs, Cgb, Cgd i Cdb se lako ukljuuju u izraze za uestanost i
uslov za otpoinjanje oscilacija
1 1 gs gb
C C C C = + +
2 2 db
C C C = +
0
1 2
1 2
1
gd
C C
L C
C C
=
| |
+
|
+
\
2
C
1
C
GG
V
B
I
Na isti nain se polarizuju i Colpittsovi oscilatori sa bipolarnim tranzistorima
CC
V
V CC
V
6 RF elektronika, 2011.
1
C
2
C
1
Q
1
C
2
C
L L
1
C
2
C
L
0
I
CC
V
CC
V
+
BB
V
+
CC
V
BB
V
0
I
1
Q
1
Q
Izrazi za uslov oscilovanja i
uestanost oscilovanja su
isti kada je
0 1
1
r
C
<<
Barkhausenov kriterijum
( ) A s
( ) s
in
V
out
V
Pojaava sa povratnom spregom
( )
( )
( )
( )
( ) ( ) 1
out
r
in
V s A s
A s
V s s A s
= =
Kada je funkcija reakcije jednaka nuli , tada nije potreban pobudni generator da bi
se dobio napon na izlazu, a kolo se ponaa kao oscilator koji osciluje na uestanosti za koju je
( ) ( ) 1 0 s A s =
.
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
0 0 0 0 0 0
1 0 1, 0 j A j j A j j A j = = =
U LC oscilatorima je beta mrea selektivna i moe se aproksimirati filtrom
propusnikom opsega uestanosti
A
( )
( )
0
2 2
/
( )
/
Ks Q
s
s s Q
=
+ +
Za otpoinjanje oscilacija u kolu kruno pojaanje na uestanosti oscilovanja treba da bude jedan
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
0 0 0 0
1 1, 0 arg 2 , 0,1, 2... a j a j a j a j k k = = = = =
7 RF elektronika, 2011.
) (s
( )
2 2
0 0
/ s s Q + +
Uslov i uestanost oscilovanja
( ) ( ) ( )( )
2 2
0 0 0 0 0
1 / 1 1/ , a j A j j Q AK K A = = = = =
Ako je odstupanje fazne karakteristike pojaavaa , kolika je relativna promena uestanosti
oscilovanja?
( )
( )
( )
0
2 2
0 0
/
/
AK Q j
a j
j Q
=
+ +
( ) ( ) ( )
( )
0
2 2
0
/
arg
2
Q
a j arctg
= =
( )
( )
( )
( )
( )
2 2
0 0
2 2
0
0
2 2
2 2 2
2 2
0 0
0
2
/
d Q Q
d
Q
=
+
0
3 2
0
4
0 0
2 2
d Q Q
d Q
= =
Relativna promena uestanosti oscilovanja se dobija na osnovu zavisnosti fazne karakteristike krunog
pojaanja od uestanosti
.
0 0
0
0 0 0
0 0
2
2
d Q
d Q
= = =
j
j
j
G j Ge
Z Z e
j e
=
=
=
Amplituda oscilacija se odreuje iz uslova
( ) ( ) 1 GZ j j =
Transkonduktansa pojaavaa je nelinearna
funkcija ulaznog napona, pa je
( ) ( ) ( )
1 0 0
cos ... cos
OUT DC n
i t I I t I n t = + + +
( ) ( ) ( ) ( )
1 0 0
1
cos cos
OUT inm inm
I i V t t dt f V
= =
G
1
0
G
9 RF elektronika, 2011.
( ) ( )
0 0
1 GZ j j =
( ) ( )
0 0
1, 2 , 0,1, 2...
G Z
GZ j j k k = + + = =
in
V
1
Z
inm
V
Na uestanosti oscilovanja je
pa se amplituda oscilacija na ulazu odreuje na osnovu
transkonduktanse pojaavaa
( ) ( )
0 0
j Z j Z =
( )
1
inm
inm
V
ZG V
=
Amplituda oscilacija na izlazu oscilatora na uestanosti oscilovanja je
( )
0
/ /
outm inm inm
V V j V = =
Amplituda oscilacija u Colpittsovom oscilatoru u spoju sa zajednikim sorsom
B
I
DD
V
R
D
I
Koristiemo idealan model tranzistora
Tranzistor radi u klasi C, a ugao provoenja
struje drejna je c
D
i
I
.
1
M
1
C
2
C
L
GS
V
0
T
V
~
m
g
t =
0
/ 2
C
/ 2
C
2
dm
I
Struja drejna je razliita od nule kada je , pa je
GS T
v V >
( ),
2 2
C C
m GS T
g v V
i
=
10 RF elektronika, 2011.
2 2
0 ,
2 2
D
C C
i
Zbog selektivnosti oscilatornog kola se moe smatrati da je promenljiva komponenta napona na gejtu
sinusoidalna
( ) ( )
1 0 1 0 0
cos cos
GS G
v V t V V t V = + = +
1 0
cos
2
C
T
V V V
+ =
Posle smene se dobija da je struja drejna
1
cos cos ,
2 2 2
0 ,
2 2
C C C
m
D
C C
g V
i
| |
|
\
=
Struja drejna je periodina funkcija vremena, pa se pomou Fourierovih redova moe dobiti njena
srednja vrednost i amplituda fundamentala
.
srednja vrednost i amplituda fundamentala
2
1 1
0
2
cos cos 2sin cos
2 2 2 2 2
C
C
m C m C C
D C
g V g V
I d
| | | |
= =
| |
\ \
2 2
1 1
1
2
2
1 sin2
cos cos cos 2cos sin
2 2 2 2
C C
C
C
m C m C
D
g V g V
I d
| | | | | |
= = +
| | |
\ \ \
( )
1
1
sin
m
D C C
g V
I
=
11 RF elektronika, 2011.
( )
1
sin
2
D C C
I
=
Transkonduktansa tranzistora za veliki signal na uestanosti fundamentala iznosi
Tako da je normalizovana transkonduktansa
( )
1
1
sin
2
m D
m C C
g I
G
V
= =
sin
2
m C C
mn
m
G
G
g
= =
0
1
2arccos
T
C
V V
V
=
Na slici je prikazana zavisnost normalizovane
transkonduktanse na uestanosti oscilovanja u funkciji
amplitude napona na gejtu V1, kada je VT=0.5V i V0=1V.
Na osnovu prethodnih razmatranja je dobijena uestanost i
uslov oscilovanja
2
0 1 2
m
g
R
C C
0
1 2
1
C C
L
C C
=
+
.
1 2
L
C C +
Po otpoinjanju oscilacija je
2
0 1 2 m
g R C C
U ustaljenom stanju je
a budui da je
( )
2
0 1 2 1 2 m
R
G R C C C C
L
= = +
( )
m
g
=
12 RF elektronika, 2011.
smenom se dobija
Na osnovu jednosmerne vrednosti struje drejna
( ) sin
2
m
m C C
g
G
=
( ) ( )
1 2
sin
2
m
C C
g R
C C
L
= +
1
0
2sin cos
2 2 2
m C C
B D C
g V
I I
| |
= =
|
\
( )
1
1 2
sin
2sin cos
2 2
C C
B
C C
C
L
V I
C C R
=
+
= =
.
Maksimalna vrednost amplitude se ima kada 0
C
( )
1
0
1 2
2
C
B
L
V I
C C R
=
+
( )
1
2sin cos
2 2
n C
C C
C
V f
= =
| |
= = =
|
\
MOSFET sa dugim kanalom:
MOSFET sa kratkim kanalom:
1 1
2
2
m GS T OV B
mMOS SCH
GS T m
MOS SCH
G V V V I
g
V V g V V
| |
= = =
|
\
.
Amplituda oscilacija u Colpittsovom oscilatoru u spoju sa zajednikim gejtom
+
1
M
1
C
P
R
L
B
V
DD
V
P
v
Uslov i uestanost oscilovanja se dobija pomou krunog pojaanja u
okolini mirne radne take
1
C
P
R
L
1
+
m t
g V
/
r t
a V V =
Transformacija kapacitivnog razdelnika u ekvivalentni
transformator
R
P
jX
S
jX
Z Z
2
2 2
P P
S
P P
R X
R
R X
=
+
14 RF elektronika, 2011.
0
I
2
C 2
C
1
m
g
r
V
+
m t
g V
P
R
P
S
R
P
Z
S
Z
2
2 2
P P
S
P P
X R
X
R X
=
+
2
: / ,
P P S P P S P
P S R X R X R X X >>
2
: / ,
S S P S S P S
S P R X R X R X X <<
Korienjem prethodnih relacija kolo za odreivanje krunog pojaanja postaje
x
R
2
C
1
C
r
V
p
V
+
2
C
1
C
p
V
xs
R
2 1
1 2
C C
C C +
p
V
xp
R
p
V
2 1
1 2
C C
C C +
2
x
n R
: 1 n
r
V
0 2
1 1
x
m
R
g C
>>
2 2
1 2
0 2 0 1 2
1 1
xs
x
C C
R
C R C C
| | | | +
= <<
| |
\ \
( )
2 2 2
2
2 1 2 1 2 1 2
1 C C C C C C
R C R R n R
| | | | | | + + +
= = = =
| | |
2
1
C
n = +
.
( )
0
1
r
t
V
a a j
V
=
( )
2
0
0
0
( )
||
( )
r m
P
t m
V j g n
a j R
V j n g
| |
= =
|
\
1 2
0
1 2
1 1
eq
C C
L C C LC
+
= =
( )
2
2
1 2
1
m P
C C ng R n
g R
+
=
( )
2
2 1 2 1 2 1 2
0 2
0 1 2 0 1 2 1
1
xp x x x
xs
C C C C C C
R C R R n R
C C R C C C
| | | | | | + + +
= = = =
| | |
\ \ \
2
1
1
C
n
C
= +
Ekvivalentno kolo:
:1 n
P
R
2
x
n R
m t
g V
r
V
p r
V nV =
+
1 2
1 2
C C
C C +
L
15 RF elektronika, 2011.
( )
1 2
2
1 2
1
1
m P
m P
m P
C C ng R n
g R
n C C n g R
+
=
+
Oscilator radi u klasi C, struja drejna je periodina funkcija, pa je
( ) ( ) ( )
0 0 0
1
( ) cos sin
D D k k
k
i t I a k t b k t
=
= + +
0 0
1
( )
2
D D
I i d I
= =
D
i
t =
0
/ 2
C
/ 2
C
2
dm
I
( )
1
( )cos
k D
a i k d
=
( )
1
( )sin
k D
b i k d
=
Zbog simetrije je , a poto je ugao
provoenja struje drejna mali amplituda fundamentala je
2
0, 0
k k
b a = =
( )
1 1 0 0
1 1
( )cos ( ) 2 2
D D D
I a i d i d I I
= = = =
Ekvivalentno kolo oscilatora za odreivanje amplitude oscilacija
.
Ekvivalentno kolo oscilatora za odreivanje amplitude oscilacija
:1 n
P
R
2
m
n
G
0 0
2 cos I t
1 0
cos V t
0
cos
pm
V t
+
0 1
1 1
2
m
I I
G
V V
=
Transkonduktansa tranzistora na uestanosti fundamentala je
0 0
1
min
2 2
pm
m m
I I
V nV n n
G g
= = =
2
min
1
1
m
P
n
g
R n
=
1 2
0
1 2
1 1
eq
C C
L C C
LC
+
= =
Kada je ugao provoenja struje kolektora mali, amplituda oscilacija je ista
.
2
C
0
I
inf
C
Kada je ugao provoenja struje kolektora mali, amplituda oscilacija je ista
kao i kod oscilatora sa MOS tranzistorom
0
0
1 2
2 1
2 1
1 /
P
pm P
R I
V R I
n C C
| |
= =
|
+
\
Kolika je amplituda oscilacija u optem sluaju?
C
i
m
I
Vremenski dijagram struje kolektora je dat na slici. Napon izmeu baze
i emitora je
( ) ( )
1 0
cos
BE BE
v t V V t = +
17 RF elektronika, 2011.
0 2
( )
( ) ( ) ( )
1 0 0
/ cos / cos / /
BE t t BE t BE t
v t V V t V x t V V V V
C S S S
i t I e I e e I e e = = = 1
/
t
x V V =
( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
0
cos
0 1 0 2 0 3 0
2 cos 2 cos 2 2 cos 3 ...
x t
e I x I x t I x t I x t = + + + +
Modifikovane Besselove funkcije
( ) ( ) ( )
0 1
, ,...,
n
I x I x I x
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
/ 1 2 3
0 0 0 0
0 0 0
2 2 2
1 cos cos 2 cos 3 ...
BE t
V V
C S
I x I x I x
i t I e I x t t t
I x I x I x
| |
= + + + +
|
\
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
1 2 3
0 0 0 0
0 0 0
2 2 2
1 cos cos 2 cos 3 ...
C C
I x I x I x
i t i t t t
I x I x I x
| |
= + + + +
|
\
Transkonduktansa tranzistora za veliki signal na uestanosti fundamentala je
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1 0 1 0 1 0 0 1
0
2 / 2 / 2 /
C
m C m
I x I x I x I x I x I x i I
G i g = = = =
.
odakle se dobija odnos transkonduktanse za veliki signal i za mali signal pri otpoinjanju oscilacija
0 1
0
1 1 1 1
/ /
C
m C m
t t t
G i g
V V V V V V V
= = = =
( )
( )
1
0
2
m
m
I x G
g x I x
=
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
( ) /
m m
G x g
Kada moduo krunog pojaanja postane jednak
jedan, tada je
( )
( )
( ) ( )
0 2
1 ||
r
m
P X
V j
G
R n R
V j n
= =
18 RF elektronika, 2011.
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
1
/
t
x V V =
odakle se dobija
( )
( ) ( )
0
1 ||
P X
t
R n R
V j n
= =
( ) ( )
2 2
1 1
1 1
m
m mn
P m m P
G n n
G G
R n g g R n
= = =
Za odreenu vrednost Gmn sa grafika se oita vrednost x, odakle se dobija amplituda oscilacija
1 1 t pm t
V xV V nV nxV = = =
( )
( )
( )
1
1 1
r m
eq
t eq
V j g
a j jC
V j n jL R
| |
= = + +
|
|
\
( )
2
|| /
eq P m
R R n g =
( ) ( ) ( )
arg a j =
( )
0
0
2
d
Q
d
=
=
,
Q-faktor Colpittsovog oscilatora
Definicija:
Kruno pojaanje u kolu oscilatora je
odakle se dobija
1 2
1 2
eq
C C
C
C C
=
+
.
( )
2
m x
eq x eq
g jLR
a j
n R jL LR C
=
+
( )
( )
( ) ( )
( )
2 2 2
2
2 2 2
1 2
2
1
eq eq eq eq
eq eq
R LC L C R
d d
C R
d d
R LC L
=
+
= =
+
( ) ( ) ( )
( )
2
arg
2
1
eq eq
L
a j arctg
R LC
= =
odakle se dobija
Faza krunog pojaanja je
a posle nalaenja izvoda se dobija
1 2
C C +
19 RF elektronika, 2011.
( ) ( )
0
2 2 2
1
eq eq
d d
R LC L
=
+
.
.
( )
( )
0
2
0
0 0
0
|| /
,
2
P m
eq
eq eq eq
eq
R n g
C d L
Q R C R Z
d L Z C
=
= = = = =
Svoenjem se dobija Q-faktor Colpittsovog oscilatora
Hartleyev oscilator
Primena Hartleyevih oscilatora u GHz
podruju je povezana sa integrisanim
realizacijama induktivnosti. Dva su osnovna
razloga za porast primene Hartleyevih
oscilatora. Prvi je porast radnih uestanosti,
odnosno potreba za manjim induktivnostima, a
drugi je tehnoloki napredak u izradi
C
1
L
DD
V
1
M
inf
C
P
v
2
L
C
1
L
DD
V
I
1
M
inf
C
P
v
+
2
L
B
V
.
drugi je tehnoloki napredak u izradi
integrisanih induktivnosti.
Na slici su prikazane realizacije Hartleyevih
oscilatora u spoju sa zajednikim gejtom i u
spoju sa zajednikim drejnom.
0
I
1
M
+
B
V
0
I
1
L
C
m
g V
2
n
1
L
C
m
g V
nV
Oscilator u spoju sa zajednikim gejtom:
Transformacijom eme za
male signale se dobija kolo iz
koga se odreuje uestanost
20 RF elektronika, 2011.
1
m
g
V
+
C
2
L
m
g V
m
n
g
V
+
C
2
L
m
g V
koga se odreuje uestanost
i uslov oscilovanja
Uestanost oscilovanja je rezonantna uestanost oscilatornog kola
( )
0
1 2
1
L L C
=
+
1 2
0 2
2
1
,
m
L L
n L
L g
+
= >>
Kruno pojaanje na uestanosti oscilovanja je
( )
2
0
1
m
m
n
a j g n
g n
= =
Da bi kolo prooscilovalo po ukljuenju napajanja potrebno je da bude ispunjen uslov
Sigurnosti radi, prenosni odnos induktivnosti treba uzeti 2 do 3 puta vei od minimalno potrebnog
( )
0
1 1 a j n
1 2
3 2 n L L = =
.
Dobre osobine Hartleyevog oscilatora su:
lako podeavanje uestanosti oscilovanja promenom kapacitivnosti C
uslov oscilovanja zavisi od odnosa induktivnosti (broja zavojaka), a on se ne menja sa promenom
temperature i ne odstupa od uzorka do uzorka
Mane su mu vei sadraj viih harmonika u izlaznom naponu i vea povrina zauzea na silicijumskoj
ploici . Kondenzator za spregu treba da bude kratak spoj oko uestanosti oscilovanja, ali ne sme imati
veliku vrednost jer time poveava propusni opseg kola povratne sprege i dovodi do oscilovanja na
niskoj uestanosti koja je modulisana uestanou oscilovanja. Niska uestanost je posledica promene
mirne radne take oscilatora, zbog ega su povremeno zadovoljeni uslovi za oscilovanje na eljenoj
1 2
3 2 n L L = =
21 RF elektronika, 2011.
mirne radne take oscilatora, zbog ega su povremeno zadovoljeni uslovi za oscilovanje na eljenoj
uestanosti
U oscilatoru u spoju sa zajednikim drejnom vae iste relacije kao i kod oscilatora sa zajednikim
gejtom
Prednost oscilatora sa zajednikim gejtom je bolje baferisanje izlaza oscilatora, s obzirom da se izlaz
uzima sa sorsa koji ima malu impedansu
Kada se izlaz oscilatora uzima sa drejna, obino je potrebno dodatno baferisanje realizovano sa
razdvojnim pojaavaem sa zajednikim drejnom, pa se tako poveava potrebna povrina na ipu
Pseudo-diferencijalni Colpittsov oscilator
2
M
1
M
1
C
2L
1
C
GG
V
DD
V
2
M
1
M
1
C
2L
1
C
GG
V
DD
V
Colpittsov oscilator u spoju sa zajednikim gejtom i zajednikim drejnom
Uestanost i uslov
oscilovanja su ostali isti kao u
sluaju jednostrukih
konfiguracija
Oba tranzistora provode
struju u klasi C.
.
2
/ 2 C
0
I
0
I
1
C
2
/ 2 C
1
C
0
I
0
I
struju u klasi C.
Diferencijalni LC oscilatori
DD
V
L L C C R R
DD
V
/ 2 C
L L
Kada se parazitne
kapacitivnosti i induktivnosti
Realizacija sa NMOS tranzistorima
22 RF elektronika, 2011.
1
M
2
M
B
I
1
M
2
M
B
I
2R
kapacitivnosti i induktivnosti
tranzistora mogu zanemariti,
uestanost oscilovanja
oscilatora jednaka je
rezonantnoj uestanosti
paralelnog oscilatornog kola
0
1 1
2 / 2 LC LC
= =
Impedansa koju vidi oscilatorno kolo
Tranzistori su uparenih karakteristika u okolini koordinatnog poetka prenosne karakteristike
+ +
t
V
t
I
/ 2
t
V
/ 2
t
V
2
gd
C
t
V
t
I
/ 2
t
V
/ 2
t
V
.
Na osnovu impedanse koju vidi oscilatorno kolo formirano je
ekvivalentno kolo oscilatora
/ 2 C
2L
Uestanost oscilovanja oscilatora je
ds
g
1 m
g V
gs db
C C +
ds
g
2 m
g V
gs db
C C +
1
V
2
V
ds
r 1/
m
g
gs db gd
C C C + +
ds
r
gs db gd
C C C + +
1/
m
g
Impedansa koju vidi oscilatorno kolo je
( )
2 2
|| 2 ||
OSC ds
m
gs gd db
Z r
g
s C C C
| |
=
|
+ +
\
23 RF elektronika, 2011.
ds
r
1/
m
g
gs db gd
C C C + +
1/
m
g
gs db gd
C C C + +
ds
r
2R
Uestanost oscilovanja oscilatora je
Da bi kolo oscilovalo neprigueno, na uestanosti oscilovanja treba da
bude zadovoljen uslov
Za pouzdano startovanje oscilacija u praksi se uzima
( ) ( )
0
1 1
2 / 2
gs db gd gs db gd
L C C C C L C C C C
= =
+ + + + + +
( ) || 2
m ds
g R r
( ) || 1
m ds
g R r
Amplituda oscilacija
Amplituda oscilacija je odreena uslovom
( ) || 1
m ds m
G R r G R =
Kada je uestanost oscilacija takva da parazitni efekti
tranzistora nisu izraeni, struje drejna su priblino
pravougaonog oblika.
Razvojem u Fourierov red dobija se spektralni sadraj
=
2
1 D
i
B
I
.
Razvojem u Fourierov red dobija se spektralni sadraj
struja drejna
Budui da je oscilatorno kolo u drejnu selektivno, napon
na drejnu je priblino sinusoidalan
Amplituda napona na drejnu je
0
t = / 2 / 2
2
/ 2 / 2
2
2 D
i
B
I
1 D
v
DD
V
V V
( ) ( ) ( ) ( )
1 0 0 0
2 1 1
cos cos 3 cos 5 ...
2 3 5
B B
D
I I
i t t t t
| |
= + +
|
\
( ) ( )
1 0 1,2 0
2
cos cos
B
D DD DD im
I
v V R t V V t
= =
24 RF elektronika, 2011.
Amplituda napona na drejnu je
S obzirom da su naponi na drejnovima u protivfazi,
amplituda diferencijalnog napona je dva puta vea
/ 2 / 2
2
/ 2 / 2
2
1 D
v
DD
V
1,2 DD im
V V +
1,2 DD im
V V
1,2
2
B
im
RI
V
=
1,2
4
2
B
im im
RI
V V
= =
Strujno ogranienje amplitude oscilacija vai sve dok neki od tranzistora ne ode u triodnu oblast.
Maksimalna vrednost amplitude napona na drejnu pre nego to tranzistori odu u triodnu oblast se
odreuje iz uslova
tako da je maksimalna amplituda diferencijalnog napona
1 2 1,2max 1,2max 1,2max
2
T
D D T DD im DD im T im
V
v v V V V V V V V = + + = + =
max 1,2max
2
im im T
V V V = =
1 D
i
B
I
/ 2
B
I
Kada su struje drejna, zbog izraenih kapacitivnih i
.
0
t =
0
2
0
2
2 D
i
B
I
1 D
v
DD
V
/ 2
B
I
Kada su struje drejna, zbog izraenih kapacitivnih i
induktivnih efekata tranzistora, priblino sinusoidalne
amplituda napona na drejnu jednaka je
( ) ( ) ( )
1 0
1 cos
2
B
D
I
i t t = + ( ) ( ) ( )
2 0
1 cos
2
B
D
I
i t t =
( ) ( )
1 2 D D B
i t i t I + =
1,2
/ 2
im B
V RI =
25 RF elektronika, 2011.
0
2
0
2
1 D
v
DD
V
1,2 DD im
V V +
1,2 DD im
V V
to znai da je amplituda diferencijalnog napona
U oscilatorima sa strujnim ogranienjem amplitude
oscilacija, u praksi je amplituda napona u opsegu
1,2
2
im im B
V V RI = =
4
B
B im
I
RI V R
DD
V
B
I
/ 2 C
2R
L L
NMOS diferencijalni oscilator sa strujnim izvorom u drejnu
Kada se strujni izvor postavi kao na slici, napon na drejnovima ne prelazi
napon napajanja
Realizacija je jednostavnija jer je osnova povezana sa sorsom bez
posebnih intervencija
Poto tranzistori M1,2 praktino rade kao prekidai koji se naizmenino
ukljuuju/iskljuuju, parazitne kapacitivnosti strujnog izvora kada je u sorsu,
od sorsa M1,2 do mase, dovode do pojave drugog harmonika napona na
sorsevima.
.
1
M
2
M
sorsevima.
Zbog osobine negativne otpornosti u praksi se oscilatori sa ovakvom
ukrtenom spregom tranzistora zovu jo i Gm oscilatori
CMOS Gm diferencijalni oscilator
DD
V
L
3
M
4
M
R
Dodavanjem jo jednog para, ovaj put PMOS tranzistora, sa
ukrtenom spregom dobija se CMOS diferencijalni oscilator
Oba para tranzistora su kola sa negativnom otpornou, a pri tome
26 RF elektronika, 2011.
1
M
2
M
B
I
L
C
Oba para tranzistora su kola sa negativnom otpornou, a pri tome
koriste istu struju (current reused)
Po analogiji sa NMOS diferencijalnim oscilatorom, zakljuujemo da
je potreban uslov za oscilovanje
( )
|| || 1
2
mn mp dsn dsp
R
g g r r
| |
+
|
\
0
1
2 2
p
n
C
C
L C
=
| |
+ +
|
\
n gsn gdn dbn
C C C C = + +
p gsp gdp dbp
C C C C = + +
Uestanost oscilovanja je rezonantna uestanost paralelnog oscilatornog kola
Realno integrisano oscilatorno kolo ima reaktivne komponente koje nemaju velike Q-faktore. Kada se
u obzir uzmu Q-faktori kalema i kondenzatora, dobija se ekvivalentno oscilatorno kolo prikazano na slici
L
Q
=
1
Q =
.
L C
P
R
SL
R
SC
R
P
L
P
C
P
R
PL
R
PC
R
L
SL
L
Q
R
=
1
C
SC
Q
CR
=
( )
2
1
P L
L L Q
= +
( )
2
1
PL SL L
R R Q = +
( )
2
/ 1
P C
C C Q
= +
( )
2
1
PC SC C
R R Q = +
Admitansa oscilatornog kola je
( )
( )
2
2
1 1 1 1
1
1
P PL PC C
L
j C
Y
R R R
Q
j L Q
= + + + +
+
+
27 RF elektronika, 2011.
Odnosno
Ekvivalentni Q-faktor oscilatornog kola sa gubicima je
( )
( ) ( )
2 2
2 2
1 1 1 1 1
1 1
1 1
C L
P P L C C C
L L
CQ Q j C C
Y j C
R R LQ Q j L Q Q
L Q j L Q
= + + + + + + + +
+ +
+ +
0
Peq
R
R
Q
Z
= || ||
Peq P PL PC
R R R R =
0 0
0
1
P
P
P P
L L
Z L
C C C
= = =
-Gm diferencijalni LC oscilator sa bipolarnim tranzistorima
DD
V
1
Q
2
Q
L
C
V
R R
inf
C
inf
C
DD
V
1
Q
2
Q
P
L
C
S
L
Zbog vee amplitude napona na
kolektorima unakrsna sprega bipolarnih
tranzistora se retko izvodi direktno
Na slici su prikazana dva naina, prvi sa
kapacitivnom spregom i drugi sa
transformatorskom spregom
Otpornici za polarizaciju baze unose
.
0
I
BB
V
B
R
B
R
0
I
BB
V
Otpornici za polarizaciju baze unose
dodatni um, pa je druga konfiguracija bolja
po pitanju uma, ali zauzima veu povrinu
na ipu
28 RF elektronika, 2011.
Fazni um u oscilatorima
Idealni oscilator osciluje samo na jednoj uestanosti
dok se kod realnih oscilatora amplituda i faza menjaju sa vremenom
Promena amplitude je posledica tzv. amplitudskog uma, dok sluajna promena faze u vremenu
predstavlja fazni um. Usled promene faze menja se i frekvencija oscilovanja
( ) ( )
0 0
cos V t A t =
( ) ( ) ( ) ( )
0 0
cos V t A t t t = +
( ) ( ) ( )
( ) ( ) d t d t
t t t t
= + = = +
.
( ) ( ) ( )
( ) ( )
0 0
d t d t
t t t t
dt dt
= + = = +
0
0
0
( ) A
0
0
( ) A
29 RF elektronika, 2011.
Efekti fluktuacije amplitude se lako otklanjaju pomou limitera, ili kola za automatsku regulaciju
amplitude
Zbog promene uestanosti, uticaj faznog uma u komunikacionim sistemima je veliki. To je zato to
su sve modulacije i demodulacije povezane sa promenom uestanosti referentnog oscilatora
Sluajna promena faze oscilatora u spektralnom domenu izaziva promenu uestanosti, a u
vremenskom domenu se to manifestuje preko jittera
Idealni oscilator Realni oscilator
Uticaj faznog uma lokalnog oscilatora u radio-prijemniku
RF
0 0 RF IF
= +
0 RF
+
Signal na Ulazu prijemnika Lokalni oscilator
IF
0 IF
+
Medufrekventni signal
BPF
Interferer
.
Zbog faznog uma lokalnog oscilatora degradira se odnos signal-um primljenog signala
Signal na Ulazu prijemnika Lokalni oscilator Medufrekventni signal
( )
( )
( )
( ) 1
Y s H s
X s H s
=
( ) ( )
0
dH
H j H j
d
+
dH dH
Interni um u idealizovanom oscilatoru
( ) H s ( ) X s ( ) Y s
Noise
0
: = +
Funkcija prenosa:
Razvoj u Taylorov red
30 RF elektronika, 2011.
( ) ( ) ( ) ( )
( )
2
0 0
2
2
1 1
1 1
1 1
dH dH
Y Y
d d
j j
dH dH dH X X
dH
d d d
d
+ +
+ = = +
| |
+
|
\
( )
j j
d H
dH d
H j H e j H e
d d d
| |
= = +
|
\
2 2
2 2 2
2
d H d H
dH d d
H
d d d d d
= + = +
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
2 2
2 2
0 0 0
0
2 2 2
2
2 2
0
/ 2 / 2
1 1
4
Y
j
X Q
Q d d
| |
+ = = =
|
\
(
2 2
dH d
d d
U okolini uestanosti oscilovanja mnogo je manja promena modula funkcije prenosa u funkciji
uestanosti, nego promena faze, te je
Smenom prethodnog izraza se dobija
.
( ) ( )
( ) 2 2
0
4
2
X Q
Q d d
d d
\
(
(
Q-faktor oscilatora
0
2
d
Q
d
=
( ) ( )
2 2
2 2
0 0
2 2
f Y Y
j jf
X Q X Q f
| | | |
| |
\ \
Funkcija prenosa pokazuje kako se um na ekvivalentnom ulazu oscilatora odraava na njegovom
izlazu
- Termiki um na ulazu se preslikava u um
- Flicker um na ulazu se preslikava u
2
1/ f
3
1/ f
31 RF elektronika, 2011.
- Flicker um na ulazu se preslikava u
3
1/ f
U praksi je uvek potrebno znati kakav je odnos snage nosioca (carrier) i snage uma
a izraava se u jedinicama (npr. -100dBc/Hz na 600kHz od uestanosti nosioca)
( )
( ) ,1Hz
10log
sideband
carier
P
L
P
+ (
=
(
dBc/Hz
0
f
0
f f + f
dBc
Power
1Hz f =
Snaga uma na izlazu oscilatora je
tako da je
2
0
2
sideband in
P P
Q
| |
=
|
\
( )
2
0
10log
2
in
carier
P
L
P Q
(
| |
( =
|
( \
.
Leesonov model ukljuuje sve efekte u uma u linearnim vremenski invarijantnim sistemima
( )
3
2
1/
0
2
10log 1 1
2
f
carier
kTF
L
P Q
( | | | |
| |
( | = + + |
|
|
|
(
\
\
\
30 / dB dec
20 / dB dec
( ) L
2
10log
kTF | |
|
U odnosu na prethodno izvedenu jednakost za
funkciju prenosa oscilatora, u model je dodat
empirijski faktor F
Takoe je dodat i empirijski odreen parametar
3
1/ f
32 RF elektronika, 2011.
0
/ 2Q 3
1/ f
2
10log
carier
kTF
P
|
\
Takoe je dodat i empirijski odreen parametar
koji razdvaja oblast u kojoj je uticaj 1/f uma
dominantan u odnosu na termiki um
3
1/ f
Oba modela, model idealnog LTI (Linear Time Invariant) oscilatora i Leesonov model, daju istu
zavisnost faktora faznog uma L() u funkciji Q-faktora oscilatora. Sa poveanjem Q-faktora fazni
um se smanjuje.
Active Resonator
out
V
+
active
Z
res
Z
1
m
G
2
nR
n
i
out
V
+
P
R
2
nR
P
i
C
L
active
Z
res
Z
um u idealnom LC oscilatoru
Izvori uma su potroa Rp i aktivno kolo ekvivalentirano sa negativnom provodnou Gm
.
Resonator Negative Resistance
2
nR
n
i
out
V
+
2
nR
P
i C L
Tank Noise
T
Z
( )
( )
2 2
0
1
||
1
1 /
T
j L j L
Z j j L
j C LC
= = =
Na uestanosti oscilovanja se ponitavaju uticaji otpornosti, ali ne i uticaji umova
Impedansa oscilatornog kola (Tank) na uestanosti
oscilovanja je
dok je na uestanosti = +
33 RF elektronika, 2011.
Tank Noise
( ) ( )
( ) ( )
0 0
0 0
0
2 2
0
0
0
0 0
2
1 1 2
1 1 1
T
j L j L
j L j L
Z j
+ +
+ = = =
| |
| | | | +
+
| +
| |
\
\ \
( )
0 0
0
0
2
2
P P
T
j L R R
Q Z j j
L Q
= =
dok je na uestanosti
0
= +
Poto je Q-faktor oscilatornog kola
( )
2
2
0
2
P
T
R
Z j
Q
| |
\
( ) ( )
2 2 2 2
2
2 2
2
/
1
/
n n P P
P
nR nR nR nR
out
nout T T
nR
i i f i i
v
S Z j Z j
f f f f
i f
| | | |
| |
= = + = +
| |
\ \
Smenom se dobija
Spektralna gustina snage termikog uma na izlazu oscilatora je
ili drugaije zapisano
.
Termiki um na otpornosti Rp je
a smenom se dobija spektralna gustina snage uma na izlazu oscilatora
( ) ( )
2 2
0 0
4 1
4
2 2
P
nout P
f R kT
S F kTR F f
R Q Q f
| | | |
= =
| |
\ \
( ) ( )
2
2
P
nR
nout T
i
S Z jf F f
f
=
= +
2
4
P
nR
P
i
kT
f R
=
34 RF elektronika, 2011.
( ) ( ) 4
2 2
nout P
P
S F kTR F f
R Q Q f
= =
| |
\ \
Ekviparticiona teorema kae da se snaga uma deli podjednako na amplitudski i fazni um, pa je
odakle se dobija Leesonov faktor faznog uma
( )
2
0
1
2
2
nout P
Phase
f
S kTR F f
Q f
| |
=
|
\
( ) ( )
2
0
2 1
10log 10log
2
nout
phase
P
carier carier
S
f kTR
L f F f
P P Q f
| |
= =
|
\
( )
2
2
/
1 2
/
P
nR
i f
F f
i f
= + =
Faktor uma oscilatora se definie kao ukupni um na izlazu oscilatora normalizovan na um koji unosi
paralelna otpornost oscilatornog kola (potroaa)
Kada je oscilator linearan Rn=-Rp, faktor uma oscilatora jednak je
( )
2
2
/
1
/
n
P
nR
nR
i f
F f
i f
= +
.
( )
2
/
n
nR
i f
um u NMOS diferencijalnom LC oscilatoru
um diferencijalnog para tranzistora se prenosi do izlaza samo
kada su oba tranzistora provodna. Kada je jedan od tranzistora
provodan, a drugi zakoen do izlaza se ne prenosi um. To je zato
to je tranzistor koji je provodan polarisan izvorom konstantne
struje, dok je drugi tranzistor u diferencijalnom paru zakoen
Faktor uma oscilatora se dobija na slian nain kao i kod
jednostruko balansiranog miksera
/ 2 C
P
R
/ 2 L / 2 L
35 RF elektronika, 2011.
jednostruko balansiranog miksera
gde je Vo amplituda napona na izlazu oscilatora
3
0
4
1 4
9
B P
m P
I R
F g R
V
= + +
1
M
2
M
B
I
3
M
# J.J. Raeland, A. A. Abidi, Physical Processes of Phase Noise in Differential
LC Oscillators, Custom Integrated Circuits Conference, 2000, pp 569-572.
Dominantan lan (~75%) u izrazu za fakto uma oscilatora ini um koji potie od tranzistora u
strujnom izvoru.
Strujni izvor definie amplitudu oscilacija i ini veliku impedansu u sorsevima diferencijalnog para.
Struja neparnih harmonika se zatvara kroz tranzistore u diferencijalnom paru, dok se struja parnih
harmonika zatvara kroz tranzistor M3.
Stoga je potrebno obezbediti dobar strujni izvor na uestanosti parnih harmonika, naroito na
uestanosti drugog harmonika, ija je amplituda i najvea.
Na slici su prikazani filtri kada se oscilator polarie sa i bez strujnog izvora i fazni um u jednom
oscilatoru sa strujnim izvorom f0=1.2GHz
.
oscilatoru sa strujnim izvorom f0=1.2GHz
M M
/ 2 C
P
R
/ 2 L / 2 L
DD
V
M M
/ 2 C
P
R
/ 2 L / 2 L
DD
V
36 RF elektronika, 2011.
1
M
2
M
0
2
L
3
M
0
2
C
1
M
2
M
0
2
L
0
2
C
Amplitudu oscilacija treba postaviti na granicu strujnog i naponskog
ogranienja jer se tako dobija najvei odnos signal/um
Fazni um u Colpittsovom oscilatoru
( ) ( )
1 1
2 2 1 2
1
sin
C
m
C C
C C L
F g
C C C C R
= + +
+
U Colpittsovom oscilatoru izvori termikog uma su otpornik R, strujni
izvor, tranzistor M2, i tranzistor M1, iji je ugao provoenja struje c
Faktor uma Colpittsovog oscilatora je
Iako je Colpittsov oscilator sa jednim tranzistorom, zbog konfiguracije i
1
M
C
2
C
L
B
I
DD
V
R
2
M
.
Iako je Colpittsov oscilator sa jednim tranzistorom, zbog konfiguracije i
provoenja struje u klasi C, njegov faktor uma je vei nego kod NMOS
diferencijalnog oscilatora
1
C
Modifikacija Colpittsovog oscilatora u cilju smanjenja faznog uma (Noise-Shifting)
Faktor uma Colpittsovog oscilatora se smanjuje jer
kondenzator C2 predstavlja filtarski kondenzator za vie
harmonike.
Ugao provoenja tranzistora je povean na priblino /2
37 RF elektronika, 2011.
Ugao provoenja tranzistora je povean na priblino /2
Da bi se minimizirao faktor uma i maksimizirala amplituda
oscilacija na drejnu potrebno je da odnos kondenzatora
bude
2 1
/ 4 C C =
Naponski kontrolisani oscilatori
Oscilator
cont
V
out
V
Frekvencija veine oscilatora treba da je promenljiva. Zato
postoje prikljuci u oscilatoru na koje se dovodi napon, ija
promena izaziva promenu uestanosti
( )
0
cos
t
FR VCO cont out FR VCO cont
K V V A t K V t dt
| |
= + = +
|
\
Osnovni parametri naponski kontrolisanih integrisanih oscilatora (VCO) su:
amplituda oscilacija
0
.
amplituda oscilacija
fazni um
opseg regulacije uestanosti
linearnost i pojaanje prenosne karakteristike
snaga disipacije
povrina koju zauzima na ipu
Uticaj uma na kontrolnom prikljuku
( )
0 cont
f V =
0
FR
max
cont
V
1
V
2
V
~
VCO
K
( ) ( ) ( ) ( )
0
cos sin
t
VCO m
cont m m FR VCO cont FR m
K V
V t V t t K V t t t
= = + = +
38 RF elektronika, 2011.
( ) ( ) ( ) ( )
0 cont m m FR VCO cont FR m
m
( ) ( ) cos sin
VCO m
out FR m
m
K V
V t A t t
| |
= +
|
\
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) cos cos sin sin sin sin
VCO m VCO m
out FR m FR m
m m
K V K V
V t A t t t t
| | | |
=
| |
\ \
( ) ( ) ( ) ( ) 1 cos sin sin
VCO m VCO m
out FR FR m
m m
K V K V
V t A t t t
<< =
( ) ( ) ( ) ( ) cos cos cos
2
VCO m
out FR FR m FR m
m
K V
V t A t t t
( = + +
umom na uestanosti kontrolnog signala modulie se uestanost
FR
i zato je potrebno obezbediti
da konstanta ispred kosinusnih lanova bude to manja. Najgori sluaj se ima pri maksimalnom K
VCO
i
na niskim radnim uestanostima
Promena uestanosti oscilovanja LC oscilatora pomou promenljivog kondenzatora
Uestanost oscilovanja se obino podeava pomou jednog fiksnog i
.
fix
C
var
C L
Uestanost oscilovanja se obino podeava pomou jednog fiksnog i
jednog promenljivog kondenzatora
Opseg podeavanja uestanosti (Tuning Range)
( ) % 100
center
f
TR
f
=
( )
max min max min
max min
max min
, % 200
2
center
f f f f
f f f f TR
f f
+
= = =
+
Maksimalna i minimalna vrednost kapacitivnosti su
( )
var
1
2
fix
f
L C C
=
+
39 RF elektronika, 2011.
Maksimalna i minimalna vrednost kapacitivnosti su
tako da je
max var max min var min
,
fix fix
C C C C C C
= + = +
( )
var max max
var min var min var min min
max
var max
min
var min var min var min
1 1
% 200 200
1
1
fix fix
fix fix
C C
C C
C C C C
TR
C C C
C
C
C C C
+ +
= =
+
+ + +
Na slici je prikazana zavisnost
TR u funkciji odnosa Cmax/Cmin
kada je Cfix/Cvarmin parametar
U idealnom sluaju promenljiva
kapacitivnost ne unosi nikakav
um u kolo oscilatora.
Realno se, u zavisnosti od
realizacije promenljive
.
realizacije promenljive
kapacitivnosti, na izlaz oscilatora
superponira flicker um, termiki
um, ili um same, koji utiu na
fazni um oscilatora
Integrisana varikap dioda u VCO
Kapacitivnost inverzno polarisane diode
40 RF elektronika, 2011.
0
var
1 1
, ,
2 3
1
m
R
B
C
C m
V
= =
| |
+
|
\
0.7 V
B
=
VR-inverzni napon na diodi
Kapacitivnost inverzno polarisane diode
DD
V
1
M
2
M
3
M
fix
C
4
M
B
I
Naponski kontrolisani oscilator sa varikap diodom
0
var
1
R cont
m
cont
B
C
V V C
V
= =
| |
+
|
\
Tuning range zavisi od strmine pn spoja. Kod tzv. Hyper-Abrupt
spojeva opseg podeavanja uestanosti ide i do TR=2.2
Q-faktor integrisanih varikap dioda je vei od 20, a glavni
.
L
+
var
C
var
C
cont
V
Q-faktor integrisanih varikap dioda je vei od 20, a glavni
nedostatak im je mogunost direktne polarizacije pri veim
amplitudama napona na izlazu oscilatora, odnosno prestanak
oscilovanja
Integrisane MOS kapacitivnosti u VCO
Naponski kontrolisane kapacitivnosti u MOS tranzistoru sainjavaju redna veza nelinearnih
kapacitivnosti gejt-kanal i kanal-osnova.
41 RF elektronika, 2011.
kapacitivnosti gejt-kanal i kanal-osnova.
U zavisnosti od toga u kojoj je oblasti MOS tranzistor (akumulacija, slaba inverzija, umerena
inverzija), imamo razliite zavisnosti kapacitivnosti u funkciji primenjenog napona izmeu gejta i
osnove. Na primer, kapacitivnost gejt-osnova u oblasti slabe inverzije je
p
+
p
+
n
+
D=S=B
GS
V +
Zavisnost kapacitivnosti izmeu gejta i osnove PMOS
tranzistora kada su sve elektrode, osim gejta,
kratkospojene
.
n-well
GS
V +
DD
V
Zavisnost kapacitivnosti izmeu gejta i osnove kada
je PMOS tranzistor u oblasti inverzije
42 RF elektronika, 2011.
p
+
p
+
n
+
n-well
D=S
Zavisnost kapacitivnosti izmeu gejta i osnove u
oblasti akumulacije
n
+
n
+
n-well
D=S
GS
V +
.
n-well
Naponski kontrolisani oscilator sa MOS varaktorom u oblasti
akumulacije
DD
V
L
3
M
4
M
cont
V
7
M
8
M U oblasti akumulacije serijska otpornost kondenzatora je
gde je N-gate fingers
, , , ,
1
,
12
s ch poly ch poly
L W
R R R R R
N W L
| |
= + >>
|
\
43 RF elektronika, 2011.
1
M
2
M
5
M
fix
C
6
M
B
I
gde je N-gate fingers
Da bi se dobio veliki Q faktor, MOSFET treba da ima veliki
broj paralelno povezanih gejtova (npr. sa 40 gejtova u 0.35um
tehnologiji se dobija Q-faktor u opsegu od 20 do 40)
Dominantni gubici su u malom Q-faktoru kalema, koji se kod
spiralnih induktivnosti kree od 5-15
Model MOS varaktora:
( )
min
1 tanh
b gs b
b
S
C C C V V
C
(
= + +
`
(
)
max min
2
b
C C
C
=
S je nagib prenosne karakteristike, zavisnost kapacitivnosti C(Vgs), kada je Vgs=Vb
Pomou funkcije tanh se mogu modelovati obe kapacitivnosti (Inversion-mode, Accumulation-mode)
Realizacija integrisane induktivnosti Povezivanje Inversion-mode varaktora u kolo
.
44 RF elektronika, 2011.
Digitalno podeavanje uestanosti oscilovanja
Kod VCO sa varaktorima, ili varikap diodama, sa velikim pojaanjem konverzije napona u frekvenciju
moe doi i do generisanja velikog faznog uma, pa i do nestabilnosti uestanosti oscilovanja
Pomou diskretnih prekidaa se grubo podeava uestanost oscilovanja, a pomou varaktora se
obavlja fino podeavanje
a
C 2
a
C
1
2
n
a
C
.
Zbog velikog Q-faktora, prekidai treba da imaju to manje otpornosti, ali to istovremeno znai i da
su parazitne kapacitivnosti u drejnu vee, odnosno da se smanjuje Tuning Range
Odnos maksimalne i minimalne uestanosti oscilatora je
( )
( )
1
1 2 1
1
n C
K
f K
C C
d
C 2
d
C
1
2
n
d
C
/ W L
( )
1
2 /
n
W L
var
C
L
LSB
( ) 2 / W L
MSB
45 RF elektronika, 2011.
( )
( )
( )
max
1
min
1 2 1
1
1
2 1
1
C
n
C
f K
f
K
var max
var min
C
C
K
C
= 1
a
d
C
C
= +
Kod diferencijalnih LC oscilatora je potrebno od svakog izlaza do mase po jedno prikazano kolo
Podeavanje uestanosti oscilovanja u multiband sistemima
U praksi je esto potreban VCO za vie
opsega uestanosti (multiband)
Pomou prekidaa M3,M4 se, u kolu
sa slike a), uestanost oscilovanja grubo
podeava, a onda pomou varaktora
fino
Na slici b) se pomou prekidaa M4-
.
Na slici b) se pomou prekidaa M4-
M6 grubo podeava opseg uestanosti,
a onda se, kao i u prvom sluaju,
pomou varaktora fino podeava.
Prednost druge konfiguracije je u
korienju digitalnog podeavanja
uestanosti u vie koraka. Stoga se u toj
konfiguraciji lako mogu podesiti
uestanosti u opsegu 2.40-2.44 GHz,
2.47-2.52GHz, 4.65-4.80 GHz i 4.92-5.12
GHz
a) b)
46 RF elektronika, 2011.
GHz
VCO se napaja sa 1V, realizovan je u 0.18u tehnologiji, fazni um se kree u opsegu -134dBc/Hz do
-124dBc/Hz sa offsetovanom uestanou od 1MHz (zavisno od opsega), a potronja je 4.5-6mW.
Z. Li and K. K. O, A Low-Phase-Noise and Low-Power Multiband CMOS Voltage-Controlled Oscillator, IEEE J. Solid-
State Circuits, SC-40, 12961302 (2005).
a) b)
Kvadraturni naponski kontrolisani oscilatori (QVCO)
U modernim radio-prijemnicima je esto potrebno imati signale iste uestanosti fazno pomerene za
eljeni ugao, npr. 90 ili 270 stepeni.
Tri najee koriena naina za generisanje kvadraturnih VCO signala su:
- pomou VCO, polifaznih filtara i bafera
-deljenje uestanosti VCO koji radi na dva puta vioj uestanosti i faznim pomeranjem dobijenih
signala
- spregom dva unakrsno spregnuta, diferencijalna oscilatora
.
- spregom dva unakrsno spregnuta, diferencijalna oscilatora
Prvi nain zahteva dodatnu disipaciju u kolu, drugi nain oscilator na dva puta vioj uestanosti,
posredno i veu disipaciju, a trei nain pogodnu spregu izmeu dva oscilatora
R
C
C
R
0 V
o
1
0 V
o
1
90 V
o
Polifazni filtri
R
C
C
R
0 V
o
1
0 V
o
1
90 V
o
C
C
R
2
0 V
o R
2
90 V
o
47 RF elektronika, 2011.
C
R
0 V
180 V
o
1
180 V
o
1
270 V
o
C
R
C
R
R
C
0 V
180 V
o
1
180 V
o
1
270 V
o
C
R
R
C
2
180 V
o
2
270 V
o
I red II red
Na izlazima filtara se dobijaju fazno pomereni signali ija fazna razlika ne zavisi od uestanosti
S obzirom da je kolo simetrino, na ulaz se mogu dovesti dva diferencijalna signala u kvadraturi
to je potrebno kod kvadraturne modulacije/demodulacije
( )
0
cos I t A t = ( )
0
sin Q t A t =
R
C
R
0
in
I
o
C
R
R
0
out
I
o
0 Q
o
Jednostavna realizacija je ono to
namee upotrebu polifaznih filtara u
.
C
C
R
R
R
C
C
C
R
R
R
C
180
in
I
o
0
in
Q
o
180
in
Q
o
180
out
I
o
0
out
Q
o
180
out
Q
o
namee upotrebu polifaznih filtara u
kvadraturnim oscilatorima
Na ulazu filtra je potreban bafer, isto
kao i na njegovom izlazu, to unosi
dodatni um, poveava kapacitivno
optereenje oscilatora i disipaciju u kolu
Pored toga postoji i dodatna disipacija
u samom filtru i slabljenje signala
48 RF elektronika, 2011.
VCO-deljenje uestanosti
Pravljanje signala u kvadraturi se ostvaruje pomou 2 D-Latch
kola. Prvi Latch se okida na uzlaznu,a drugi na silaznu ivicu (MS
D Flip-Flop)
D
Q
D
Q
0
2 f
I
Q
D
Q
D
Q
Realizacija D-Latch kola
Latch kolo se dobija pomou regenerativnog
komparatora M3-M4 i diferencijalnog pojaavaa M1-M2
Na ulazu je potreban signal takta dvostruko vee
uestanosti. To znai da su elementi integrisanih LC
oscilatora manjih gabarita, ali i da oscilator treba
paljivije projektovati (zbog parazitnih efekata)
Ppotrebno je obezbediti baferisanje signala sa izlaza
.
CLK
CLK
Ppotrebno je obezbediti baferisanje signala sa izlaza
Latch kola
Potrebno je obezbediti dovoljno veliku amplitudu
oscilacija za pobudu Latch kola (CLK)
QVCO-sprega dva naponski kontrolisana oscilatora
I
+
Q
+
0
o
90
o
Kombinacijom izlaza i ulaza dva
diferencijaln spregnuta oscilatora, moe
se postii sinhronizacija oscilovanja i
dobijanje fazno pomerenih signala
49 RF elektronika, 2011.
VCO_I VCO_II
I
Q
Q
0
180
o
270
o
90
dobijanje fazno pomerenih signala
Za spregu slue dodatni tranzistori koji
se mogu povezivati redno, ili paralelno sa
prekidakim tranzistorima u oscilatoru
Glavni faktori koji odluuju na koji nain e biti realizovana sprega izmeu oscilatora su fazni um i
fazna greka, odnosno odstupanje fazne razlike od idealnih 90 stepeni
Na slici je prikazana konfiguracija dva spregnuta oscilatora sa paralelno spregnutim sprenim i
diferencijalnim tranzistorima
.
Parametar QVCO je odnos irina kanala sprenog i prekidakog tranzistora u oscilatoru (pri istim
duinama kanala)
Simulacije pokazuju da se sa poveanjem smanjuje fazna greka, ali i da se poveava fazni um
/
CP SW
W W =
50 RF elektronika, 2011.
Simulacije pokazuju da se sa poveanjem smanjuje fazna greka, ali i da se poveava fazni um
oscilatora
Kod paralelnih QVCO se mora initi kompromis izmeu protivurenih zahteva za malim umom i
malom faznom grekom (=1/3)
Kada se spreni tranzistor povee na red sa prekidakim tranzistorom, fazna greka je praktino
nezavisna od . Kada je =1/2 fazna greka je ista u oba sluaja, ali je fazni um nii za oko 10dB kod
serijskog QVCO
Top-series QVCO
.
Bottom-series QVCO
51 RF elektronika, 2011. Pri istim uslovima, fazni um je za 6dB manji kod Bottom-Series QVCO
Ekvivalentni model sprege dva VCO
1 2 2 out m C out
RZ
V G V
Z R
2 1 1 out m C out
RZ
V G V
Z R
=
2 2
1 2 1 2 1 2 m C m C out out out out
G G V V V jV = = =
1 1 m C out
G V
2 2 m C out
G V
R R Z Z
2 out
V
+
1 out
V
+
.
Paralelni CMOS QVCO
52 RF elektronika, 2011.
CMOS QVCO unosi manji fazni um od prethodnih realizacija QVCO
QVCO - transformatorski sprega
Pogodna u oscilatorima sa malim naponom napajanja i na visokim uestanostima, npr. u mmW
opsegu
.
53 RF elektronika, 2011.
Integrisana transformatorska sprega unosi manje parazitne kapacitivnosti u kolo i smanjuje uticaj
Flicker uma
Transformator je zahtevao veu povrinu na silicijumskoj ploici u xGHz aplikacijama, meutim kada
se potrebna induktivnost transformatora svela na 70-80pH, kao to je sluaj u 60GHz opsegu,
transformator se sve ee primenjuje
60GHZ QVCO sa transformatorskom spregom
.
# K. Kwok, H.C. Luong, Ultra-low-Voltage high-performance CMOS VCOs using transformer feedback. IEEE J. Solid-
State Circuits 40(3), 652660 (2005)
300GHZ integrisani oscilator sa transformatorskom spregom
54 RF elektronika, 2011.
# B. Razavi, A 300-GHz Fundamental Oscillator in 65-nm CMOS Technology, Symp. on VLSI Circuits, pp. 113-114,
June 2010.