Transistors bipolaires : corrigés

Exercice 1

1. E = IB RB + VBE  IB = (E - VBE)/ RB = (12V – 0,7V)/10k = 1,13mA

IC =  IB = 100 x 1,13mA = 113mA

E = VCE + RC IC  VCE = E - RC IC = 12V - 100Ω x 113mA = 0,7V

2. ICsat = E/ RC (VCEsat = 0V)  ICsat = 12V/100Ω = 120mA

ICsat =  IBmin  IBmin = ICsat /  = 1,2mA

E = IBmin RB + VBE  RB = (E - VBE)/ IBmin = (12V – 0,7V)/1,2mA = 9,4k

3.

4. VBE = - 0,7V

5. IB = (E - VBE)/ RB = (-12V + 0,7V)/10k = - 1,13mA

IC =  IB = 100 x (-1,13mA) = - 113mA

VCE = E - RC IC = -12V + 100Ω x 113mA = - 0,7V

6. ICsat = E/ RC (VCEsat = 0V)  ICsat = - 12V/100Ω = - 120mA

ICsat =  IBmin  IBmin = ICsat /  = - 1,2mA

E = IBmin RB + VBE  RB = (E - VBE)/ IBmin = (-12V + 0,7V)/(- 1,2mA) = 9,4k

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Exercice 2

 = 100 VD = 0,6V VBE = 0,7V VD4 = 1,4V VCEsat = 0V

1. Vcc = IB R2 + VD3 + VBE  IB = (Vcc - VD3 - VBE)/R2 = (12V - 0,6V - 0,7V) / 1k = 10,7mA

2. ICsat = Vcc / R1 = 12V / 470Ω = 25,53mA

 IB = 100 x 10,7mA = 1,07A > ICsat  le transistor est saturé.

3. VCE = IR3 + VD4 = VCEsat = 0V (transistor est saturé)  I = 0 et VD4 = 0  la LED est éteinte.

4. VPC = VD3 + VBE = 0,6V + 0,7V = 1,3V

5. VPC = VD2 = 0,6V < VD3 + VBE  la diode D3 est bloquée et IB = 0  le transistor est
bloqué.

6. IC = 0, le courant I qui circule dans R1, circule aussi dans R3 et la LED D4.

Vcc = I (R1+ R3) + VD4  I = (Vcc - VD4)/(R1+ R3) = (12V – 1,4V)/(470Ω + 220Ω) = 15,36mA

7. VCE = IR3 + VD4 = Vcc – IR1 = 4,78V

8.
Interrupteur B Interrupteur A Etat du transistor Etat de la LED
ouvert ouvert saturé éteinte
ouvert fermé bloqué allumée
fermé ouvert bloqué allumée
fermé fermé bloqué allumée
9. La fonction réalisée est le OU logique

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Exercice 3

1. Montage stabilisateur de tension

2. Vs = Vz - VBE = 6V - 0,7V = 5,3V

3. IB = IE = Vs / RC = 5,3V / 500Ω = 10,6mA  IB = 10,6mA / 40 = 265µA

4. E = RI + Vz  I = (E – Vz) / R = 4V / 200Ω = 20mA

I = Iz + IB  Iz = 20mA – 0,265mA = 19,735mA ≈ 20mA

5. Is = IEmax = IBmax et I = Iz + IB  I = Izmin + IBmax = 40mA (Izmin = 0)

Is = 40 x 20mA = 800mA
RCmin = Vs / Is = 5,3V / 800mA = 6,665Ω

6. Pmax = VCE x IC ≈ VCE x Is = (E - Vs ) x Is = (10V – 5,3) x 0,8A = 3,76W

Exercice 4
1. Miroir de courant
2. La jonction base-collecteur est court-circuitée, le transistor se comporte comme une diode.
3.

4. On utilise 2 transistors identiques afin que leurs dérives en température soient les mêmes; et les
deux VBE soient identiques.
5. VBE1 + IE1RE1 = VBE2 + IE2RE2 et VBE1 = VBE2 = VBE  IE1RE1 = IE2RE2
6. Si RE1 = RE2, IE1 = IE2  IRC = IRU (IRC = IE1 et IRU ≈ IE2)
Le courant IRU est l’image du courant IRC, d’où l’appellation miroir de courant.

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Exercice 5

 = 100 VZ = 5,6V VBE = 0,6V RE = 1kΩ VCEsat = 0,1V

1. VZ = VBE + IE RE  IE = (VZ - VBE) / RE = (5,6V – 0,6V)/1000Ω = 5mA

2. Ce montage est un générateur de courant puisque IE est constant. Donc le courant (IC ≈ IE) qui circule
dans RC est indépendant de la valeur de celle-ci.

3. E = VCE + IC (RC + RE)  IC = (E -VCE) / (RC + RE) d’où : ICsat = (E -VCEsat) / (RC + RE)

4. VCE = E – IC (RC + RE)  RC = (E -VCE) / IC - RE

5. Pour RC = RCmax on a IC = ICsat ≈ IE = 5mA et VCE = VCEsat

RCmax = (E - VCEsat) / IC - RE  RCmax = (15V - 0,1V)/5mA – 1kΩ = 1,98 kΩ

6. si RC > RCmax  le transistor est saturé  IE ≈ ICsat = (E -VCEsat) / (RC + RE) < 5mA

La régulation du courant ne fonctionne plus. Le montage ne fonctionne plus comme générateur de

courant.

Exemple : RC = 3 kΩ

VCE = E – IC (RC + RE)  IC = (E -VCEsat) / (RC + RE) = 14,9V / 4kΩ = 3,725mA < 5mA.

Donc IE ≈ ICsat = 3,725mA < 5mA et VZ = VBE + IE RE = 0,6V + 3,725mA x 1kΩ = 4,325V < 5,6V

La diode zener est bloquée et IE n’est plus constant et dépend de RC.

7. IE = IB  IB = 5mA/100 = 50µA

8. E = VZ + (IB + Iz)RB  RB = (E - VZ) / (IB + Iz) = 9,4V/(20mA + 0,05mA) = 470Ω

9. P = VCE x IC pour RC = 0, VCE = VC - VE VC = E=15V et VE = VZ - VBE = 5V

P = (15V – 5V) x 5mA = 50 mW

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Exercice 6

1 = 100 2 = 20 VZ = 12V VBE1 = VBE2 = VBE = 0,7V

1. Us = VZ - VBE1 - VBE2 = 12V – 2 x 0,7V = 10,6V
2. Is = IE2 = 2 IB2 et IE1 = IB2 = 1 IB1 d’où: Is = 2 1 IB1 =  IB1
avec  = 2 1 = 2000 (montage Darlington) IB1 = Is /  = 5A / 2000 = 2,5 mA
3. I = Iz + IB1 = 22,5mA
4. E = VZ + RI  R = (E - VZ) / I = (20V -10,6V) / 22,5mA = 418Ω
5. IC1 ≈ IE1 = IB2 = Is / 2 = 5A / 20 = 0,25A VCE1 = VC1 - VE1 = VC1 – (VZ - VBE1) = 7,3V
P1 = VCE1 x IC1 = 7,3V x 0,25A = 1,825W

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