TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3

VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  600  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 75°C, Tvj max = 175°C IC nom 20 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 25 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  40  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  71,5  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,20  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,10  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,034  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,015 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,015  µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,015 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,013 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,016  µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,017 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,12 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,14  µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,15 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,095  µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,32 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon  0,44  mJ
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,49 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,44 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff  0,56  mJ
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,59 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 140 A
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 100 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC  1,90 2,10 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,85 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  600  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  20  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  40  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 49,0 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 45,0 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,05 V
Forwardvoltage IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 30,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM  32,0  A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 34,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,00 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr  1,75  µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,20 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,21 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec  0,37  mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 0,47 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  2,70 3,00 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,00 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al2O3  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 5,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 3,2
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 3,2
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 225  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
 LsCE  25  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'  9,50  mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
 F 30 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
 G  10  g
Weight

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

40 40
Tvj = 25°C VGE = 19 V
36 Tvj = 125°C 36 VGE = 17 V
Tvj = 150°C VGE = 15 V
VGE = 13 V
32 32 VGE = 11 V
VGE = 9 V
28 28

24 24
IC [A]

IC [A]
20 20

16 16

12 12

8 8

4 4

0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V

40 1,4
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
36 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C 1,2 Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
32

28 1,0

24
0,8
E [mJ]
IC [A]

20

0,6
16

12 0,4

8
0,2
4

0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40
VGE [V] IC [A]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V

2,0 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH: IGBT
1,8 Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,6

1,4

1,2

ZthJH [K/W]
E [mJ]

1,0 1

0,8

0,6

0,4
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,213 0,437 1,11 0,989
0,2 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0 0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C
44 40
IC, Modul Tvj = 25°C
40 IC, Chip 36 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
36
32

32
28
28
24
24
IC [A]

IF [A]

20
20
16
16
12
12

8
8

4 4

0 0
0 200 400 600 800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]

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4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=18Ω,VCE=300V IF=20A,VCE=300V

0,8 0,7
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
0,6

0,6
0,5

0,4
E [mJ]

E [mJ]
0,4

0,3

0,2
0,2

0,1

0,0 0,0
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)

10
ZthJH : Diode
ZthJH [K/W]

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,333 0,755 1,277 1,336
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

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6
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IGBT-Module
IGBT-modules FS20R06VE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
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DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

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