Physics Of Silicon Image Sensors Stefanov

download

https://ebookbell.com/product/physics-of-silicon-image-sensors-
stefanov-47229712

Explore and download more ebooks at ebookbell.com

Here are some recommended products that we believe you will be
interested in. You can click the link to download.

Evolution Of Silicon Sensor Technology In Particle Physics 1st Edition

Frank Hartmann Auth

https://ebookbell.com/product/evolution-of-silicon-sensor-technology-
in-particle-physics-1st-edition-frank-hartmann-auth-4208334

Evolution Of Silicon Sensor Technology In Particle Physics 2nd Edition

Frank Hartmann Auth

https://ebookbell.com/product/evolution-of-silicon-sensor-technology-
in-particle-physics-2nd-edition-frank-hartmann-auth-6789892

Physics And Technology Of Amorphouscrystalline Heterostructure Silicon

Solar Cells 1st Edition Wilfried Van Sark

https://ebookbell.com/product/physics-and-technology-of-
amorphouscrystalline-heterostructure-silicon-solar-cells-1st-edition-
wilfried-van-sark-2455344

Physics Of Molecular And Cellular Processes Krastan B Blagoev

https://ebookbell.com/product/physics-of-molecular-and-cellular-
processes-krastan-b-blagoev-46081122
Physics Of Cancer Volume 1 Interplay Between Tumor Biology
Inflammation And Cell Mechanics 2nd Edition Claudia Mierke

https://ebookbell.com/product/physics-of-cancer-volume-1-interplay-
between-tumor-biology-inflammation-and-cell-mechanics-2nd-edition-
claudia-mierke-46123770

Physics Of Cancer Volume 2 Cellular And Microenvironmental Efects 2nd

Edition Claudia Mierke

https://ebookbell.com/product/physics-of-cancer-volume-2-cellular-and-
microenvironmental-efects-2nd-edition-claudia-mierke-46123772

Physics Of Flow In Porous Media Jens Feder Eirik Grude Flekky

https://ebookbell.com/product/physics-of-flow-in-porous-media-jens-
feder-eirik-grude-flekky-46196878

Physics Of And Science With Xray Freeelectron Lasers J Hastings

https://ebookbell.com/product/physics-of-and-science-with-xray-
freeelectron-lasers-j-hastings-46655456

Physics Of The Atmosphere Climatology And Environmental Monitoring

Modern Problems Of Atmospheric Physics Climatology And Environmental
Monitoring 1st Edition Robert Zakinyan

https://ebookbell.com/product/physics-of-the-atmosphere-climatology-
and-environmental-monitoring-modern-problems-of-atmospheric-physics-
climatology-and-environmental-monitoring-1st-edition-robert-
zakinyan-47383436
 CMOS Image Sensors

Online at: https://doi.org/10.1088/978-0-7503-3235-4

 CMOS Image Sensors
Konstantin D Stefanov
Centre for Electronic Imaging, The Open University, Milton Keynes, UK

IOP Publishing, Bristol, UK

ª IOP Publishing Ltd 2022

All rights reserved. No part of this publication may be reproduced, stored in a retrieval system
or transmitted in any form or by any means, electronic, mechanical, photocopying, recording
or otherwise, without the prior permission of the publisher, or as expressly permitted by law or
under terms agreed with the appropriate rights organization. Multiple copying is permitted in
accordance with the terms of licences issued by the Copyright Licensing Agency, the Copyright
Clearance Centre and other reproduction rights organizations.

Permission to make use of IOP Publishing content other than as set out above may be sought
at [email protected].

Konstantin D Stefanov has asserted their right to be identified as the author of this work in
accordance with sections 77 and 78 of the Copyright, Designs and Patents Act 1988.

ISBN 978-0-7503-3235-4 (ebook)

ISBN 978-0-7503-3233-0 (print)
ISBN 978-0-7503-3236-1 (myPrint)
ISBN 978-0-7503-3234-7 (mobi)

DOI 10.1088/978-0-7503-3235-4

Version: 20221101

IOP ebooks

British Library Cataloguing-in-Publication Data: A catalogue record for this book is available
from the British Library.

Published by IOP Publishing, wholly owned by The Institute of Physics, London

IOP Publishing, No.2 The Distillery, Glassfields, Avon Street, Bristol, BS2 0GR, UK

US Office: IOP Publishing, Inc., 190 North Independence Mall West, Suite 601, Philadelphia,
PA 19106, USA
To David Burt, from whom I have learnt many of the things in this book,
and to my family, for their support and encouragement.
 Contents

Preface xi
Acknowledgement xiii
Author biography xiv
List of frequently used abbreviations xv
Table of common symbols and units xvi

1 The fundamentals 1-1

1.1 Introduction—what is an image sensor and what does it do? 1-1
1.2 Charge generation 1-2
1.2.1 Photoeffect 1-2
1.2.2 Ionisation 1-7
1.3 Charge collection 1-9
1.3.1 Carrier lifetime 1-10
1.3.2 Recombination 1-12
1.3.3 Drift 1-14
1.3.4 Diffusion 1-17
1.4 Charge transfer 1-19
1.5 Charge conversion 1-20
1.6 pn junction 1-22
1.6.1 pn junction in equilibrium 1-22
1.6.2 pn junction under reverse bias 1-26
1.6.3 Charge collection 1-29
1.6.4 Junction capacitance 1-32
1.7 MOS capacitor 1-33
1.7.1 Depletion 1-33
1.7.2 Gate capacitance 1-37
1.8 MOS transistor 1-38
1.8.1 Structure 1-38
1.8.2 MOSFET characteristics 1-40
1.8.3 Output resistance and body effect 1-44
1.8.4 Transistor threshold 1-47
1.8.5 Analogue switch 1-51
1.8.6 MOSFET capacitor 1-53
1.9 Source follower 1-54
1.9.1 Gain 1-54

vii
 CMOS Image Sensors

1.9.2 Input capacitance 1-58

Chapter summary 1-60
References 1-61

2 CMOS pixel architectures 2-1

2.1 History and technology 2-1
2.2 Photodiode APS 2-2
2.2.1 Structure 2-2
2.2.2 Operation 2-5
2.2.3 Performance 2-9
2.3 Pinned photodiode (4T) 2-11
2.3.1 Structure 2-11
2.3.2 Operation 2-15
2.3.3 Charge storage and full well capacity 2-17
2.3.4 Charge transfer 2-22
2.3.5 Image lag 2-27
2.3.6 Transistor sharing 2-33
2.4 Other PPD-based pixels 2-33
2.4.1 Global reset (5T) 2-33
2.4.2 In-pixel signal storage 2-35
2.4.3 High dynamic range 2-37
2.5 Hybrid and 3D image sensors 2-41
Chapter summary 2-43
References 2-44

3 Advanced image sensor topics 3-1

3.1 Photocurrent 3-1
3.2 Dark current 3-6
3.2.1 Sources of dark current 3-6
3.2.2 Depletion dark current 3-9
3.2.3 Diffusion dark current 3-12
3.2.4 Surface dark current 3-15
3.2.5 Dark current suppression by pinning 3-16
3.2.6 Temperature for dark current doubling 3-17
3.3 Reflective barrier 3-18
3.4 Back-side illumination 3-21
3.4.1 Front and back-side illumination 3-21
3.4.2 Back-side interface 3-24

viii
 CMOS Image Sensors

3.4.3 BSI technologies 3-28

3.5 Depletion depth and potential gradients 3-29
3.5.1 Depletion depth as a 3D effect 3-29
3.5.2 Potential gradients in PPDs 3-31
3.6 Punch-through 3-31
3.7 Field-induced junctions 3-35
Chapter summary 3-36
References 3-37

4 Noise and readout techniques 4-1

4.1 Noise in image sensors 4-1
4.1.1 Thermal and reset noise 4-1
4.1.2 Shot noise 4-6
4.1.3 1/f and random telegraph noise 4-8
4.1.4 MOSFET noise 4-10
4.1.5 Source follower noise 4-12
4.2 Correlated double sampling 4-14
4.2.1 Reset noise suppression 4-14
4.2.2 Double sampling 4-15
4.2.3 Dual slope integrator 4-19
4.2.4 Optimal signal processing 4-22
4.2.5 Digital CDS and multiple sampling 4-24
4.2.6 Column-level noise 4-28
4.2.7 MOSFET optimisation 4-32
Chapter summary 4-33
References 4-34

5 Characterisation 5-1
5.1 Introduction 5-1
5.2 Readout modes 5-2
5.3 Principles of EO characterisation 5-4
5.4 Photoresponse, non-uniformity and nonlinearity 5-7
5.5 Photon transfer curve 5-17
5.5.1 Principles 5-17
5.5.2 Frame differencing 5-21
5.5.3 System gain, CVF and noise 5-24
5.5.4 Nonlinear PTC 5-27
5.5.5 PTC from dark current 5-30

ix
 CMOS Image Sensors

5.5.6 Practical tips for the PTC 5-31

5.5.7 The PTC as a diagnostic tool 5-34
5.6 X-ray calibration 5-36
5.7 Full well capacity and dynamic range 5-39
5.8 Dark current and DSNU 5-41
5.9 Noise measurement 5-44
5.10 Image lag 5-48
5.11 Quantum efficiency 5-50
5.11.1 Principles 5-50
5.11.2 Pain–Hancock method 5-54
5.11.3 Modulation transfer function 5-57
5.12 Electrical transfer function 5-62
Chapter summary 5-65
References 5-66

6 Electronics 6-1
6.1 On-chip electronics 6-1
6.1.1 Architecture 6-1
6.1.2 Column buffers 6-2
6.1.3 Column amplifiers 6-3
6.1.4 CDS circuits 6-7
6.1.5 Row drivers 6-12
6.1.6 Pixel addressing 6-14
6.1.7 Analogue switches and multiplexers 6-17
6.1.8 Output amplifier 6-19
6.2 Off-chip electronics 6-21
6.2.1 General requirements 6-21
6.2.2 Signal amplifiers 6-23
6.2.3 Power supplies 6-29
6.2.4 Bias circuits 6-30
6.2.5 Noise measurements 6-32
Chapter summary 6-34
References 6-35

x
 Preface

Image sensors are fascinating devices that straddle the boundary between semi-
conductor physics and electronic engineering. Nowadays, they are used in almost
everything, come in bewildering varieties, and are mostly made with complementary
metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, like the billions of other integrated
circuits (IC) manufactured every year. And they look good! They are among the
handful of IC types which can be easily seen through their transparent glass cover.
To understand how they work, we need to know a fair bit of semiconductor
physics, especially when dealing with high performance imagers designed for science
applications. However, this is not always enough; there are a lot of electronic circuits
inside a CMOS image sensor (CIS), and even the simple ones can show subtle
behaviour and throw up surprises. Without claiming to cover everything, this book
strives to cover both the semiconductor physics and the essential electronics found
inside a CMOS image sensor.
A relatively small number of concepts from semiconductor physics form the
backbone of image sensors’ operation—depletion, drift, diffusion, recombination,
charge conversion, to name a few. Knowing them well provides the foundations to
understand practically all image sensors and helps with the more complex structures
that exist or are yet to be invented.
It is impossible to imagine doing any serious work into image sensors without
semiconductor technology CAD (TCAD). Very often it is the only way to ‘see’ what
is happening inside, and this book offers many examples of device simulations. A
successful TCAD simulation is a good result, but does not guarantee that something
will work. However, if something doesn’t work in TCAD, it’s probably not going to
work in silicon either.
To make full use of this book, some basic knowledge of electronics is essential.
Knowing what an amplifier is, being familiar with gain, bandwidth, and noise, can
be very advantageous. Freely available electronic simulation tools, such as SPICE,
are great for designing and verifying the performance of various circuits.
Throughout my career, my hobby in electronics has helped me enormously when
working with image sensors. Building my first electronic circuit at around 14 years of
age, I was fascinated but I only had a faint understanding of how it worked. In a few
years, electronics gradually started to make more sense, and after learning semi-
conductor physics at university it was clear to me that this is what I wanted to do.
I have often found that many important ‘bread and butter’ topics in image sensors
and their operation are difficult to find in books and papers, and sometimes are not
there at all. Some of those I have only been able to find out in discussions with more
experienced colleagues who have been longer in the field. This book is an attempt to
put some of this ‘unofficial knowledge’, some of which could be simply due to my
ignorance, in one place.
This book is intended to be used as a tutorial and has many examples, taken
mostly from practice. Solved examples are essential for proper understanding of the
theory and bring ‘life’ to the formulas. They also help with appreciating the

xi
 CMOS Image Sensors

parameters in real-world applications. Very often, a good enough grasp of the

phenomena can be obtained from relatively simple formulas. They may not be
super-accurate, but can give a decent approximate answer and can serve as a ‘sanity
check’ for more detailed results derived from TCAD and SPICE.
Some of the contents of this book are derived from a practical course on CMOS
image sensor operation and characterisation techniques that we deliver at the Open
University to students and staff.
Chapter 1 covers the fundamentals of image sensors, starting with the photoeffect
and charge generation, and including charge collection and transfer, drift and
diffusion, recombination, and carrier lifetime. The chapter also describes the
fundamental building blocks of CIS—diodes, MOS capacitors and transistors,
and the basic MOSFET circuits—source followers and analogue switches.
Chapter 2 deals with 3T, 4T and other CMOS pixel architectures. Most of the
material in this chapter is dedicated to the pinned photodiode (PPD) because of its
importance for image sensor technology. This includes the operating principles of
the PPD, doping profiles, charge transfer, full well capacity and image lag. Other
PPD-based designs, such as the 5T, pixels with charge domain signal storage, and
several high dynamic range pixels are also covered, as well as hybrid and 3D-
intgerated sensors.
In chapter 3, some of the more specialised subjects in CIS performance are
discussed, such as the collection of photogenerated signal in pn junctions, the sources
of dark current, reflective barriers, the backside interface and its effect on the
quantum efficiency in backside-illuminated sensors, potential gradients and punch-
through.
Chapter 4 is dedicated to the different sources of noise in electronics components
and MOSFETs, the readout techniques used for CIS and their noise performance.
The two main correlated double sampling (CDS) methods, based on the double
sampling and the dual slope integrator are discussed in detail and their noise
performance is compared. In addition, the chapter deals with digital CDS, noise in
the column readout in CIS, and MOSET noise optimisation.
Chapter 5 begins with the principles of electro-optical characterisation and
readout modes in CIS. It describes the measurement methods for obtaining the
most important sensor parameters: photoresponse, linearity, system gain, readout
noise, dynamic range, full well capacity, dark current, image lag, quantum efficiency
and modulation transfer function. Special attention is paid to the photon transfer
curve (PTC) because of the wealth of information it provides, and many exper-
imental tips are given.
Chapter 6 covers the on-chip and off-chip electronics used to control and readout
the pixels and the sensor. On-chip amplifiers, correlated double sampling circuits,
buffers, switches, drivers and logic are some of the circuits described here. Off-chip
electronics providing power, bias and amplification is shown with practical examples
and performance calculations.
I hope that this book will be useful to all who are using, characterising, or
designing CMOS image sensors, beginners and experts alike.

xii
 Acknowledgement

The stimulating research environment at the Centre for Electronic Imaging (CEI) at
the Open University is one of the main reasons for the existence of this book. Many
of the topics and ideas presented here came up from discussions with my colleagues,
students, industrial collaborators, and external partners, and by the challenges and
the difficult questions they often had.
I am grateful for the inspiration and the knowledge I have gained thanks to David
Burt, Andrew Holland, Chris Damerell, Ray Bell, Jérôme Pratlong, Paul Jerram,
Doug Jordan, Neil Murray, Pete Turner, Dave Barry, David Hall, Matthew Soman,
Julian Heymes, Martin Prest, James Ivory, Chiaki Crews, Nathan Bush, Steve
Bowring and Giulio Villani.
Finally, I would like to thank IOP Publishing, and in particular John Navas for
overseeing the production and for making this book possible.

Konstantin Stefanov
August 2022

xiii
 Author biography

Konstantin D Stefanov
Konstantin D Stefanov was born in Rousse, Bulgaria, and has
received his MSc in applied physics from Sofia University
‘St. Kliment Ohridski’. He received his PhD degree in physics
from Saga University, Japan, in 2001. As a research scientist at the
Rutherford Appleton Laboratory in Oxfordshire, UK, Dr Stefanov
has worked on the development of CCD and CMOS sensors for
particle physics. Since 2012 he has been working at the Centre for
Electronic Imaging at the Open University, Milton Keynes, UK,
where he is developing CMOS image sensors for scientific and space applications. His
research interests are in the areas of physics, technology, and design of CMOS image
sensors for science applications, semiconductor device simulations, device character-
isation, radiation damage effects, detector electronics and data acquisition systems. He
has published over 80 research papers, has co-written two book chapters and holds
several patents on CMOS image sensors.

xiv
 List of frequently used
abbreviations

AC Alternating current
ADC Analogue-to-digital converter
ADU Analogue-to-digital unit
APS Active pixel sensor
BSI Back-side illumination
CCD Charge coupled device
CDS Correlated double sampling
CG Conversion gain
CIS CMOS image sensor
CMOS Complementary metal-oxide-semiconductor
CVF Charge-to-voltage conversion factor
DC Direct current
DN Digital number
DR Dynamic range
DSNU Dark signal non-uniformity
DUT Device under test
EO Electro-optical
ENC Equivalent noise charge
ETF Electrical transfer function
FPN Fixed pattern noise
FSI Front-side illumination
FWC Full well capacity
HDR High dynamic range
IR Infrared
LED Light emitting diode
MOS Metal-oxide-semiconductor
MOSFET Metal-oxide-semiconductor field effect transistor
MTF Modulation transfer function
MVC Mean-variance curve
NIR Near infrared
NMOS N-channel MOSFET
PD Photodiode
PMOS P-channel MOSFET
PPD Pinned photodiode
PRNU Photo response non-uniformity
PTC Photon transfer curve
RMS Root mean square
RTN Random telegraph noise
RTS Random telegraph signal
SF Source follower
SNR Signal-to-noise ratio
QE Quantum efficiency
UV Ultraviolet

xv
 Table of common symbols
and units

Symbol Description Value/units

−1
α Photon absorption coefficient cm
B Signal bandwidth Hz (Hertz)
Bn Noise power bandwidth Hz
C Capacitance F (Farad)
Cox Area oxide capacitance F cm−2
CGS MOSFET gate-source capacitance F
Dn , Dp Diffusion coefficient for electrons or holes cm2 s−1
en Voltage noise density V/ Hz
enw Voltage white noise density V/ Hz
enf Voltage 1/f noise density V (Volts)
E Electric field V cm−1
Ea Activation energy eV
Ec Conduction band energy eV
Eg Bandgap energy eV
Ev Valence band energy eV
Ei Intrinsic Fermi level eV
EF Fermi level eV
Et Trap energy eV
Ee Irradiance W cm−2
Eph Photon energy eV
Ew Ionisation energy eV
ε0 Dielectric permittivity of vacuum 8.85 × 10−14 F cm−1
εSi Relative dielectric permittivity of silicon 11.9
f Frequency Hz
fnc 1/f noise corner frequency Hz
fc Cut-off frequency Hz
Φ Photon flux cm−2 s−1
φT Thermal potential, kT /q V (Volts)
G Carrier generation rate cm−3 s−1
Gc Conversion gain μV/e−
G SF Source follower gain −
gm MOSFET gate transconductance A V−1
h Planck’s constant 6.62 × 10−34 J s
I Current A (Amperes)
in Current noise density A/ Hz
J Current density A cm−2

xvi
 CMOS Image Sensors

k Boltzmann constant 1.38 × 10−23 J K−1

K System gain e−/ADU
L n, Lp Diffusion length for electrons or holes cm
λ Photon wavelength nm
μn , μp Mobility for electrons or holes cm2V−1s−1
n Electron concentration cm−3
np Electron concentration in p-type semiconductor cm−3
np0 Electron concentration in p-type semiconductor in equilibrium cm−3
NA Acceptor concentration cm−3
ND Donor concentration cm−3
Nss Surface trap energy density cm−2eV−1
Nst Surface trap density cm−2
Nt Trap concentration cm−3
p Hole concentration cm−3
pn Hole concentration in n-type semiconductor cm−3
pn0 Hole concentration in n-type semiconductor in equilibrium cm−3
Pph Optical power W (Watts)
Q Charge C (Coulomb)
q Elementary charge 1.6 × 10−19 C
R Resistance Ω (Ohm)
σ , σn, σp Trap capture cross section for electrons or holes cm−2
Sph Photosensitivity A W−1
Sn Surface recombination velocity for electrons cm s−1
t Time s (seconds)
τn Electron lifetime s
T Temperature K, °C
U Recombination rate cm−3 s−1
Us Surface recombination rate cm−2 s−1
vth Electron or hole thermal velocity cm s−1
vd Drift velocity cm s−1
VGS MOSFET gate-source voltage V
VT MOSFET threshold voltage V

xvii
 IOP Publishing

CMOS Image Sensors

Konstantin D Stefanov

Chapter 1
The fundamentals

1.1 Introduction—what is an image sensor and what does it do?

An image sensor has the job to convert an image, consisting of photons emitted or
reflected by an object, into an electronic signal. To register a photon, it must be
absorbed by the sensor and converted to an electric signal. For most sensors, this
happens using the internal photoelectric effect. Once the electric signal is registered
and processed, we obtain an electronic image, a representation of the incoming
photons. The photon energy can span from the far-infrared up to x-rays.
Image sensors come in a bewildering variety of types, shapes and sizes. Most
commonly, image sensors are segmented into individual sensitive elements, called
pixels. Each pixel is intended to register photons independently of its neighbours,
however, in most real-world sensors there is some electrical and optical crosstalk. An
array of pixels forms a 2-D image sensor, which is by far the dominant type, and a
line of pixels is a linear array, or 1-D image sensor. A simple photodiode has no pixel
structure and can therefore be called a 0-D image sensor.
Typically, we expose the image sensor to photons for a certain time, called
integration time. During that time, each pixel absorbs photons and registers an
electric signal. The job of the image sensor, broadly speaking, is to determine how
many photons have been received in each pixel during the integration time. Ideally,
every photon should be registered separately, and some image sensors can do exactly
that. More often, however, the pure photon-induced signal is mixed with the
intrinsic noise of the sensor, and we can find out only the average number of
registered photons. A linear photoresponse is often desired in an image sensor, so
that the electrical output signal is proportional to the number of registered photons.
Most sensors have small nonlinearity in their response not exceeding a few percent,
but some types have intentionally much stronger nonlinearity, for example with
logarithmic response, helping to achieve wide dynamic range.
The output signal from a sensor can be a continuous current proportional to the
illumination, and this is the way the photodiodes are normally operated. However,

doi:10.1088/978-0-7503-3235-4ch1 1-1 ª IOP Publishing Ltd 2022

 CMOS Image Sensors

in low light conditions the photogenerated currents can be extremely small and be
counted in few electrons per second. Such currents are impossible to measure directly,
therefore the method we use is to integrate the charge over a certain time on a collection
element because this creates a signal that is much easier to measure. Most image
sensors, including the ones described in this book, are of the integrating type.

1.2 Charge generation

1.2.1 Photoeffect
For a semiconductor image sensor to detect light, the photons impinging on it must
interact with the sensitive regions of the sensor and be converted to an electric
charge, which is then collected and recorded.
The dominant process of photon conversion in image sensors is the internal
photoeffect. An incident photon with sufficient energy can liberate a valence electron
from an atom, which becomes a free electron in the conduction band and can move
about in the crystal lattice. At the same time, the missing valence electron becomes a
hole, which is also mobile, as shown in figure 1.1. In this way, electrons and holes are
created in pairs, and the photon is absorbed and disappears. The minimum photon
energy for the photoeffect to occur is the bandgap of the semiconductor Eg. The
excess photon energy above this threshold is dissipated as crystal vibrations or by
generating secondary electron–hole pairs as the primary pair dissipates its kinetic
energy.
Photons with energy lower than the bandgap Eg are not able to create electron–
hole pairs, and since there is no other mechanism for photons to lose energy, silicon
appears transparent at their wavelength. The photon energy Eph is given by:
hc
E ph = (1.1)
λ
where h is Planck’s constant, c is the velocity of light and λ is the photon’s
wavelength. Equation (1.1) can be more conveniently written as (1.2) where the
photon energy E ph is in electron-volts (1 eV = 1.6 × 10−19 J) and the wavelength λ is
in nanometres:

Figure 1.1. Photoeffect in semiconductors.

1-2
 CMOS Image Sensors

1240
E ph = (1.2)
λ
Using (1.2) we can calculate that a photon with energy equal to the bandgap of
silicon (E ph = Eg = 1.12 eV at 300 K) has a wavelength of 1107 nm, and this is
commonly referred to as the cut-off wavelength. The bandgap increases slightly at
lower temperatures [2] leading to shorter cut-off wavelength and weaker absorption
in the near-IR band.
In silicon, as an indirect bandgap semiconductor, the excitation of a valence
electron into the conduction band requires that lattice vibrations (phonons) are
involved to obey both energy and momentum conservation laws [2]. As the photon
energy increases, the amount of momentum transfer must increase too, and the
energy required to generate one electron–hole pair gradually increases. Because of
this, a photon with energy equal to double the silicon bandgap (2.24 eV, or 554 nm)
still generates one electron–hole pair, and not two.
The band structure of silicon has a direct bandgap of 3.1 eV [3] (400 nm) as well,
allowing an electron–hole pair to be created directly, without the assistance of a
phonon. However, it is thanks to its indirect bandgap that silicon is sensitive to
visible light; if it only had the 3.1 eV direct bandgap it would have been sensitive
only to wavelengths shorter than 400 nm and unusable for mainstream imaging.
A single electron–hole pair, corresponding to internal quantum yield of unity, is
created up to a photon energy equal to three times the bandgap (3.36 eV, or 369 nm) [4].
Above this energy two e–h pairs begin to be created, but at a very low rate. Multiple
e–h pair creation becomes significant only when the photon energy exceeds 4 eV
(310 nm) [5, 6].
As the photon energy increases further, the ionisation energy E w needed for the
creation of one e–h pair reaches a peak of approximately 4.5 eV [4, 5]. For E ph > 10 eV
the pair creation energy E w levels off to around 3.65 eV, as shown in figure 1.2.
An incoming beam of photons with flux Φ0 (number of photons per unit area per
second) and energy higher than the bandgap is gradually absorbed in the

Figure 1.2. Electron–hole pair creation energy in silicon at 140 and 300 K (data from [1]). The dashed line
marks E w = E ph .

1-3
 CMOS Image Sensors

Figure 1.3. Photon absorption in silicon for low energy photons from near-UV to near-IR at 300 K. The data
is from [7].

semiconductor. Ignoring any reflections, the flux Φ(x ) at a distance x away from the
illuminated surface is given by the Beer–Lambert law:
Φ(x ) = Φ0e−αx (1.3)
where α is the absorption coefficient, typically measured in units of cm–1. At distance
x0 = 1/α the incoming photon flux is attenuated by 1/e , which means that 63% of the
light has been absorbed. The distance x0 is called absorption length and is often
more practical to use than the absorption coefficient because it allows straightfor-
ward comparison with the dimensions used in image sensors.
The absorption length depends strongly on the wavelength of light and changes
by a factor of 50 between the lower end (400 nm) and the top end (700 nm) of the
visible light range1, as shown in figure 1.3 and table 1.1. As the bandgap increases at
low temperatures the absorption length increases too, especially at near-IR wave-
lengths [7]. It is worth noting that photon absorption does not depend on the doping
concentration or the free carrier concentration (either electrons or holes) in silicon
for most practical cases.
Very often we would like to know what the silicon thickness should be to achieve
certain level of photon absorption.

Example 1.1. Calculate the silicon thickness for 95% photon absorption for light
with 400, 700 and 900 nm wavelength.
Solution: 95% absorption means that only 5% of the light is left. From formula (1.3)
we have e−αx = 0.05 and therefore x = −ln (0.05)/α = 3.0/α . From table 1.1 we get
1/α = x0 = 0.105 μm for 400 nm wavelength, therefore the thickness is x = 0.31 μm.
For 700 nm we have 1/α = 5.263 and 15.8 μm silicon thickness; and for 900 nm
x = 97.9 μm.

1
In the CIE (The International Commission on Illumination) luminous efficiency functions [8] the wavelength
range of visibility is 380–700 nm.

1-4
 CMOS Image Sensors

Table 1.1. Absorption length in silicon for light wavelengths from

300 to 1100 nm at 300 K. Data from [7].

Wavelength (nm) Absorption length (μm)

300 0.006
350 0.010
400 0.105
450 0.392
500 0.901
550 1.565
600 2.415
650 3.559
700 5.263
750 7.692
800 11.77
850 18.69
900 32.68
950 63.69
1000 156.3
1050 613.5
1100 2857

The light attenuation with distance for the wavelengths used in example 1.1 is
plotted in figure 1.4 and illustrates the huge differences in silicon thickness required
for the same absorption. This example shows the extremes of the visible range; in
practice silicon thickness of 5 μm is often sufficient for visible light imagers because it
allows acceptable absorption in the red end of the spectrum around 600–650 nm.
The fact that in the visible wavelength range each photon creates one electron–
hole pair can be used to calculate the total light-generated charge in a volume of
silicon. This charge, if collected, is the electrical output of the image sensor.
Knowing the incident optical power Pph (measured in watts) and the photon energy
we can calculate the number of e–h pairs ∆Ne−h generated per unit time Δt based on
the energy conservation law, simply as this:
ΔNe−h Pph
= (1.4)
Δt E ph

As we can see the number of generated e–h pairs is inversely proportional to the
photon energy, therefore lower energy photons, corresponding to near-IR and red
light generate more carriers at the same optical power. While this is true, e–h pair
generation requires that the photons are absorbed; for those long wavelengths the
silicon must be very thick to ensure full absorption as figure 1.4 tells us.

1-5
 CMOS Image Sensors

Figure 1.4. Photon absorption in silicon for violet (λ = 400 nm), red (λ = 700 nm) and for 900 nm light in the
near-infrared.

Example 1.2. Calculate the number of e–h pairs generated per second by red light
(λ = 650 nm) with an irradiance (power per unit area) of Ee = 1 W m−2 in a square
pixel with a size a = 10 μm. Assume that the light is fully absorbed in the pixel’s
volume.
Solution: From equation (1.2) we find that for λ = 650 nm the photon energy is
E ph = 1.91 eV. The energy deposited in the pixel per second is the irradiance multiplied
by the pixel area a 2 . The number of generated e–h pairs per second is the energy
deposited in the pixel per second, divided by the energy to create one e–h pair:
ΔNe−h E a2 1 × 10 × 10−6 × 10 × 10−6
= e = = 3.27 × 108 s−1
Δt qE ph 1.6 × 10−19 × 1.91
Here we have multiplied E ph by the elementary charge q to convert the photon
energy from eV to Joules. Irradiance of 1 W m−2 at 650 nm corresponds to
approximately 68.3 lux, or a dimly lit room. This example shows that even meagre
illumination manages to create a third of a billion e–h pairs every second in a tiny
10 μm pixel.

If all the e–h pairs were collected, a steady state photocurrent Iph will flow; it is
given by multiplying formula (1.4) by the elementary charge to convert the number
or e–h pairs per second to coulombs per second, which is current:
qΔNe−h
Iph = (1.5)
Δt

1-6
 CMOS Image Sensors

Example 1.3. Calculate the photocurrent flowing in the pixel in example 1.2.
Solution: Multiplying the answer by the elementary charge gives:
qΔNe−h
Iph = = 1.6 × 10−19 × 3.27 × 108 = 5.235 × 10−11A = 52.4 pA
Δt

Very often the sensitivity of a semiconductor material is given as the photocurrent

per watt of incident light energy. To compare devices irrespective of their structure
or pixel size the current can be expressed as current density Jph , i.e. amperes per unit
area. If we use the optical power per unit area Ee (irradiance), equation (1.5) can be
rewritten by dividing both sides by the device (or pixel) area, and using (1.4) we get
qEe
Jph = . (1.6)
E ph
From (1.6) we arrive at the astonishingly simple expression (1.7) for the sensitivity
Sph in terms of detector current density per unit of optical irradiance. Sph is measured
in units of ampere per watt (A W−1) because the area cancels from both Jph and Ee .
Jph q
Sph = = (1.7)
Ee E ph
Equation (1.7) gives the theoretical maximum photosensitivity of an ideal image
sensor having perfect light absorption, without any light losses due to reflection, and
of course with complete charge collection. The ratio E ph /q gives the photon energy in
units of eV. From here we can calculate that the theoretical maximum photo-
sensitivity for λ = 650 nm (as in example 1.2) is Sph = 1/1.91 = 0.52 A W−1. Using
(1.2), expression (1.7) can also be written as Sph = λ /1240, where λ is in nanometres.

1.2.2 Ionisation
Silicon makes an excellent sensor material not just for the near-IR, visible and UV
light, but also for much more energetic photons, such as x-rays. The absorption
length covering photon energies from 1.2 eV to 10 keV in figure 1.5 shows what
happens at the higher end of silicon’s usable range: similarly to the near-IR end,
silicon becomes transparent beyond photon energy of about 10 keV. The absorption
above 100 eV shows discontinuous absorption edges at the energy levels of the L-
shell (≈100 eV) and the K-shell (1839 eV) of the silicon atom. As the photon energy
exceeds the binding energy of a shell, the electrons occupying it can be excited and
the photon absorption sharply goes up. This corresponds to a stepwise decrease in
the absorption length, most clearly seen at the K-edge.
For photons with E ph > ≈50 eV the ionisation energy is E w = 3.65 eV at 300 K
[11] and is nearly constant. This allows us to calculate the number of electron–hole
pairs Ne−h generated by x-rays and gamma-rays using this simple expression:
E ph
Ne−h = (1.8)
Ew

1-7
 CMOS Image Sensors

Figure 1.5. Photon absorption due to photoeffect in silicon for a wider energy range. Data for <5 eV from [7],
5 – 20000 eV from [9], and >30 eV from [10].

The ionisation energy is temperature dependant; this is due to the reduction of the
bandgap as the temperature increases [1, 12]. X-rays in the range 1–10 keV, emitted
by radioactive sources and x-ray fluorescence from various materials are particularly
useful for sensor characterisation. They are widely used for calibration due to the
well-known x-ray energies and the amount of charge created in silicon by them.
Also, the initial charge cloud created by low energy x-rays is very compact [13, 14]
and this allows the charge to be considered a point source.
One very popular calibration source is the 55Fe isotope which decays via electron
capture to manganese (55Mn) with a half-life of 2.737 years. 55Mn emits character-
istic K-shell x-rays with energies 5.89 keV (Mn-Kα) and 6.49 keV (Mn-Kβ), with
probabilities of 24.4% and 2.9%, correspondingly [15]. Figure 1.6 shows an example
of a 55Fe spectrum obtained by a CMOS image sensor.
The absorption length for 5.9 keV photons in silicon is approximately 28 μm [10].
This length is much larger than the depth of the active silicon in the typical optical
sensor, therefore only a small fraction of the incoming x-rays is absorbed and
converted to charge.

Example 1.4. Calculate the number of electron–hole pairs generated by the

dominant Mn-Kα x-ray, and the current in a pixel receiving one hundred Mn-Kα
x-rays per second, assuming that all the charge is collected.
Solution: Using formula (1.8) the number of generated electron–hole pairs per x-ray is
E 5890
Ne−h = Kα = = 1614.
Ew 3.65
The current for 100 x-rays per second is calculated using (1.5):
qNe−h 1.6 × 10−19 × 1614
Iph = × 100 = × 100 = 25.8 fA
t 1

1-8
 CMOS Image Sensors

Figure 1.6. 55Fe spectrum obtained by a CMOS image sensor. The peak at 0 ADU is due to pixels without x-ray
signal, and the continuum leading to the x-ray peaks is caused by charge collected by more than one pixel.

At much higher photon energies two other mechanisms overtake the photoeffect
and begin to play an increasing role—Compton effect and electron–positron pair
creation [16]. Besides the detection of optical and x-ray photons, silicon is widely
used for the detection of high energy, ionising particles. Traversing the material,
charged particles lose energy due to several mechanisms, and most of that energy
loss is due to ionisation. The ionisation loss is very high at low particle energies but
decreases and flattens off at higher energies in a logarithmic dependence [16].
Particles with energies at and above the plateau, which usually lies at hundreds of
MeV, are called minimum ionising particles (MIP).
The average number of the created electron–hole pairs is calculated by the most
probable energy loss divided by the ionisation energy as in (1.8). The energy loss due to
ionisation has large statistical fluctuations. For particles which lose only a small part of
their energy in the material (i.e. the material is ‘thin’) the energy loss is described by the
Landau distribution [17]. In a couple of microns of silicon there is a significant
probability that a traversing high energy particle will cause no ionisation at all [18].
At the same time, the probability that the energy loss can far exceed the most probable
value is also significant, due to the long tail in the Landau distribution.
The most probable number of e–h pairs increases with the thickness, as shown in
figure 1.7, and above 10 μm the energy loss begins to approach the Landau distribution.

1.3 Charge collection

In the previous section we looked at how photons generate free charge, consisting of
electrons and holes, and how the amount of charge depends on the photon energy.
The question now is how to collect this charge and measure it.
1-9
 CMOS Image Sensors

Figure 1.7. Most probable number of electron–hole pairs per micrometre of track for high energy charged
particles, data from [17].

Left on its own, the charge will simply diffuse out, never to be seen again.
Diffusion is fundamental in nature and always occurs when there is a difference in
carrier concentration. The charge generated in pixels receiving more illumination
will diffuse towards pixels receiving less illumination, until we get nearly uniform
charge ‘blob’ everywhere. Obviously, this is not what we want to happen in an image
sensor.
We need a charge collecting element—something that is electrically attractive to
either electrons or holes (but obviously cannot be attractive to both). To make the
charge move in a particular direction for collection we need to create an electric field;
within it the charge experiences an electrostatic force and begins to accelerate in a
direction opposite to the field (for electrons) and along the field (for holes). This
charge movement in the presence of electric field is called drift and is the primary
mechanism for charge collection. During drift the charge continues to diffuse due to
its concentration gradient, regardless of the presence of any electric field; this is
unavoidable but not always undesirable.

1.3.1 Carrier lifetime

An important point in image sensor operation, which often goes without much
mention, is that the generated e–h pairs must survive, i.e. not recombine or get
trapped, for sufficiently long time so that they can be collected. The characteristic
describing the ‘life duration’ of electrons and holes is called carrier lifetime [19] and is
widely used in semiconductor physics. What ‘sufficiently long’ means in practice will
be explored in the next two sections. As a rough indicator the charge collection time
rarely exceeds a few hundreds of nanoseconds, and this is how long the carriers must
survive. Carrier lifetime can be many orders of magnitude longer, especially in high
quality epitaxial silicon.

1-10
 CMOS Image Sensors

Whenever electrons and holes are created, for example by illumination with light,
the excess carrier concentration will decay back to equilibrium after the source of e–
h pair generation is turned off. In silicon the dominant physical mechanism for the
decay is trap-assisted recombination. Direct e–h recombination occurs too, but at a
much smaller rate. The rate of decay towards the equilibrium concentration,
expressed as the change of carrier concentration per unit time U = Δn /Δt , is called
recombination rate. The simplest possible mathematical description of this process is
to assume that the recombination rate U is proportional to the excess carrier
concentration. For example, if the electron concentration in p-type silicon is np and
the equilibrium concentration is np0 , the recombination rate can be written as
U ∝ (np − np0 ). Since proportionality is assumed, we need a proportionality constant
in units of seconds, so that the recombination rate is measured in units of carrier
concentration over time (cm−3 s−1 in semiconductor physics). This constant is called
the carrier lifetime (τn for electrons, τp for holes) and can be thought of as the
characteristic time over which the carrier concentration decreases. Now, the
recombination rate can be written in its familiar form:
dnp n p − n p0
U=− = (1.9)
dt τn
We have added a negative sign in (1.9) because due to recombination the carrier
concentration decreases (dnp /dt < 0) when np − np0 > 0, and U > 0. Because np0 is
constant, we can write that
d (n p − n p 0 ) n p − n p0
=− (1.10)
dt τn
and after separating the variables we can integrate both sides:
d (n p − n p 0 ) 1
∫ n p − n p0
=−
τn
∫ dt (1.11)

t
ln(np − np0) + const = − (1.12)
τn
The final equation can be written by using the initial conditions: at t = 0 the
excess electron concentration is np(0) − np0 and at t → ∞ naturally np − np0 = 0,
with only the equilibrium concentration np0 left. Therefore, the constant in equation
(1.12) must equal −ln(np(0) − np0 ) and we arrive at the time dependence of np:
t
np(t ) = np0 + (np(0) − np0)e− τn (1.13)

Equation (1.13) tells us that the electron lifetime τn is the characteristic time over
which the excess carrier concentration decreases by 1/e , i.e. only 37% of the excess
carriers remain. After three times the lifetime only 5% of the initial charge will be
left.

1-11
 CMOS Image Sensors

1.3.2 Recombination
This is a good place to answer an important question: why don’t the electrons and
the holes recombine immediately after they are generated? After all, they are created
together and close to each other, and it would be reasonable to expect that they
should recombine at high rate. Fortunately, such direct (band-to-band) recombina-
tion in silicon is very rare because it is an indirect bandgap semiconductor. Carrier
lifetime controlled by band-to-band recombination is very long; in high purity
silicon the electron and hole lifetimes can be many milliseconds. This long lifetime
allows the charge to diffuse out a long distance from the place it was generated
without recombining, unless it is quickly collected with the help of an electric field.
Figure 1.8 shows two direct, and very rare band-to-band recombination mech-
anisms: radiative with the emission of a photon, and Auger recombination where the
excess energy is transferred to another carrier, such as a hole in highly doped p-type
silicon.
The third one, trap-assisted recombination via a mid-band trap, is by far the
dominant mechanism in silicon, described by the Shockley–Read–Hall (SRH)
theory [20]. Traps are produced by imperfections or impurities in the crystal lattice,
which introduce energy levels deep in the bandgap. Traps take part in both capture
and emission of carriers and are also called generation-recombination centres.
The recombination rate from a trap with concentration Nt and energy level Et
above the valence band is given by
σnσpvth(pn − n i2 )Nt
U= (1.14)
σn⎡n + ni exp
⎣ ( Et − Ei
kT )⎤⎦ + σ ⎡⎣p + n exp(−
p i
Et − Ei
kT )⎤⎦
Here Ei is the intrinsic Fermi level (approximately the mid-band energy level);
k is the Boltzmann’s constant;
T is the absolute temperature;
vth is the carrier thermal velocity;
ni is the intrinsic carrier concentration;
n and p are the electron and hole concentrations, respectively;
σn and σp are the electron and hole capture cross-sections, respectively.

Figure 1.8. Recombination mechanisms.

1-12
 CMOS Image Sensors

The maximum recombination rate occurs when the denominator is at its

minimum, achieved when Et = Ei . This indicates that mid-band traps are the
most effective in limiting the carrier lifetime.
In a p-type semiconductor we have p ≫ ni and p ≫ n, and if the two capture
cross-sections are similar (σn ≅ σp), the second term in the denominator of (1.14)
becomes much larger than the first. Therefore, we can write that
σnvth(pn − n i2 )Nt
U≈ (1.15)
p
Introducing a small excess concentration of electron–hole pairs does not change
significantly the equilibrium hole concentration pp0 in p-type silicon. Using that
p ≈ pp0 and ni2 = pp0 nn0 [21], equation (1.15) can be written as

σnvth(pp0 np − pp0 n n0)Nt

U≈ = σnvthNt(np − n n0) (1.16)
pp0

Comparing with (1.9) we see that the term multiplying the concentration differ-
ence is the inverse of the electron lifetime (also called recombination lifetime)
1
τn = (1.17)
σnvthNt
Typical capture cross-sections are in the range 10−16 to 10−14 cm2.

Example 1.5. Calculate the electron lifetime due to a mid-band trap (Et = Ei ) with
σn = 10−15 cm2 and concentration 1012 cm−3, using that the electron thermal velocity
is vth = 1.4 × 107 cm s−1.
Solution: Using (1.17) we get
1
τn = −15
= 71.4 μs
10 × 1.4 × 107 × 1012
To put this into perspective, trap concentration of 1012 cm−3 corresponds to an
average of one trap per cubic micrometre, or one trap per 50 billion Si atoms.

Measurements show that in high quality, lightly doped (<1015 cm−3) silicon the
minority carrier lifetime can be tens of milliseconds [22]. Considering the calculation
in example 1.5, this implies that the trap density responsible in the SRH model must
be less than 1010 cm−3, or one trap per 5 trillion atoms. As the dopant concentration
increases above 1016 cm−3 the lifetime begins to decrease and this is taken into
account as concentration-dependent SRH lifetime [23].
At high carrier density, such as along a dense ionisation track or in solar cells,
Auger and band-to-band radiative recombination can begin to limit the lifetime even
in low-doped silicon. Auger recombination involves a direct recombination between

1-13
 CMOS Image Sensors

an electron and a hole, with the excess energy transferred to another electron or hole.
The Auger lifetime for high excess carrier concentration in a lightly doped semi-
conductor is [22]:
1
τAuger = (1.18)
CaΔn 2
Here Ca is the ambipolar Auger coefficient (1.66 × 10−30 cm6 s−1 in silicon [24])
and ∆n = np − nn0 or ∆n = pn − pp0 is the excess carrier concentration.
The lifetime due to band-to-band radiative recombination is given by
1
τrad = (1.19)
BΔn
where B = 4.7 × 10−15 cm3 s−1 is the radiative coefficient in silicon at 300 K [25]. It is
easy to see that the Auger and radiative lifetimes are much larger than τSRH and can
become comparable to the SRH lifetime only at excess concentration above
1016–1017 cm−3. In a typical image sensor, the excess carrier concentration due to
illumination rarely exceeds 108–1010 cm−3, therefore the direct recombination
mechanisms have negligible influence.
The total lifetime τtot can be calculated from Matthiessen’s rule for the three
recombination processes as in [19]
1 1 1 1
= + + (1.20)
τtot τSRH τAuger τrad

Equation (1.20) is analogous to the one used to calculate the resistance of parallel
resistors; physically it means that the different recombination mechanisms work
independently and in parallel.

1.3.3 Drift
We are going to consider a hypothetical collection element without specifying what
it is and how it is made; then in the following section we will talk about two real
charge collection elements—the pn junction and the MOS capacitor.
Figure 1.9 shows our hypothetical collection element. From the surface down to
depth d there is a constant electric field E , and below d the field is zero. This may
look artificial but is not far off from reality.
In this structure only the electrons are collected, and the holes are discarded never
to be seen again, as is typical for most image sensors. Electrons are preferred because
they move much faster than the holes, resulting in shorter collection times. Holes are
allowed to diffuse until they reach the backside substrate electrode, or they
recombine after travelling a long distance away from the charge collection element.
Within a region having an electric field E electrons experience a force F = −qE
and begin to accelerate. Holes experience the same force but with the opposite sign
and move in the other direction. As mentioned previosly, this movement under the
influence of an electric field is called drift. In semiconductors it is experimentally

1-14
 CMOS Image Sensors

Figure 1.9. Charge collection of electrons created by a light beam and experiencing drift and diffusion.

observed that at low electric fields (<∼10 4 Vcm−1) the charge carriers acquire drift
velocity vd proportional to the electric field E :
vd = μE (1.21)
The proportionality factor μ is called mobility and is not a constant—it decreases
as the temperature and the doping concentration increase [26]. The electron mobility
μn at low fields is about three times higher than the hole mobility μp ; the values in
low-doped silicon at 300 K are μn = 1400 cm2 V−1 s−1 and μp = 470 cm2 V−1 s−1 [26].
The higher electron mobility and velocity is one of the main reasons why we prefer
collecting and transferring electrons, rather than holes.
The drift velocity decreases below the value calculated by (1.21) at higher electric
fields (above 10 4 V cm−1), and stops increasing altogether (i.e. saturates) at
E > 105 V cm−1. The saturation drift velocity vdsat for both electrons and holes is
approximately 107 cm s−1.
Drift velocity is directional and determined by the applied electric field; it is also
superimposed on the thermal carrier velocity caused by their random movement in
the crystal lattice. The thermal velocity for electrons is given by
3kT
vth = (1.22)
m 0*
where k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature and m 0* = 0.26m 0
is the effective electron mass [2]. At 300 K formula (1.22) gives vth = 2.3 × 107 cm s−1.
This is similar to the experimentally observed saturation velocity vdsat , and is an
indication that the simple proportionality in formula (1.21) is valid only when
vd ≪ vth .

1-15
 CMOS Image Sensors

Example 1.6. Calculate the electron drift velocity for E = 1000 V cm−1 and electron
mobility μn = 1400 cm2 V−1 s−1 (value for Si at 300 K and for low doping
concentration), and compare it to the thermal velocity vth .
Solution: From formula (1.21) we get
vd = μnE = 1400 × 1000 = 1.4 × 106 s−1
This velocity is about 20 times lower than the random thermal electron velocity.

Knowing the drift velocity allows us to calculate the time it takes to collect the
charge. For simplicity we can consider that vd is much smaller than the saturation
velocity. The travel distance x is simply the velocity multiplied by the time:
x = vdt = μnEt (1.23)
The charge collection time t is the device thickness divided by the drift velocity,
and substituting the drift velocity from (1.21) we arrive at:
d d d2
t= ≅ = (1.24)
vd μnE μnV

Here we have used that the electric field is the applied voltage V divided by the
thickness d . This is an approximate and simple, but very useful formula; we will
refine it further in the following sections.

Example 1.7. Calculate the charge collection time in silicon with thickness d = 5 μm
and applied voltage across itV = 1 V. The electron mobility is μn = 1400 cm2 V−1 s−1.
Compare with the charge collection time under velocity saturation (vdsat ≅ 107 s−1).
Solution: First, we need to see how the electron drift velocity compares to the
saturation velocity. Using (1.21)
V 1
vd = μnE = μn = 1400 × = 2.8 × 106 s−1
d 5 × 10−4
we see that it is about a factor of 3 lower than vdsat , therefore formula (1.24) can be
used and gives:
(5 × 10−4)2
t= = 0.18 ns
1400 × 1
The collection time under velocity saturation is calculated as
d 5 × 10−4
t= sat = = 0.05 ns
vd 107

1-16
 CMOS Image Sensors

This example shows that for the typical sensor thicknesses the charge collection
time by drift is very short and may become an issue only if very fast operation is
required. However, in a much thicker sensor, made so that it can have higher
absorption at near-IR wavelengths, the charge collection time could be substantially
longer due to the quadratic dependence on the device thickness.

1.3.4 Diffusion
Charge generated in a field-free semiconductor diffuses out from the point at which
it is created and can travel large distances. It can reach a region with an electric field,
where it is swept away, or it can recombine with the assistance of bulk or surface
traps.
If we generate a point-like sphere of electron–hole pairs, they will expand
stochastically in a cloud described by the Gaussian distribution. After time t , the
RMS cloud radius rn for electrons and rp for holes in one dimension is given by:

rn = 2Dnt (1.25)

rp = 2Dpt (1.26)

where Dn is the diffusion coefficient for electrons and Dp for holes, measured in cm2 s−1.
The diffusion coefficients are connected to the mobility via the Einstein relationship:
kT
Dn = μn (1.27)
q

kT
Dp = μp (1.28)
q
The diffusion radii are the standard deviations of the charge density spread; from
the properties of the Gaussian distribution, we know that 95% of the charge is
contained within radius 2rn for electrons and 2rp for holes.
Figure 1.10 shows the diffusion spread with time of a point-like charge generated
at t = 0 without any recombination. The electron density is described by a Gaussian
with standard deviation given by (1.25), with the peak moving by a distance x
determined by (1.23) when the electric field is not zero.
Electrons spread 3 times faster than holes due to their diffusion coefficient being
three times higher; the values can be calculated from (1.29) and (1.30) and are
Dn = 36 cm2 s–1, Dp = 12 cm2 s–1 at 300 K.
During diffusion the charge carrier concentration decreases because they spread
out; at the same time their concentration decreases also because they are subjected to
various recombination processes, with their combined influence reflected in the
carrier lifetime. The longest distance the carriers can travel is naturally limited by
their lifetime and is called diffusion length. It is an important parameter in
semiconductors and enters numerous formulas describing image sensor operation.
The diffusion length L n for electrons is defined by:

1-17
 CMOS Image Sensors

Figure 1.10. Electron spread only due to diffusion (at zero electric field) and due to drift and diffusion with
electric field = 500 V cm−1 (after [2], p 55).

Ln = Dnτn (1.29)

and a similar expression can be written for hole diffusion length Lp. The diffusion
length is usually much larger than the typical pixel sizes due to the long carrier lifetime.

Example 1.8. Calculate the diffusion length for electrons in silicon with electron
lifetime τn = 1 ms (fairly typical for low-doped, high quality epitaxial silicon). The
diffusion coefficient is Dn = 36 cm2 s−1.
Solution:
Ln = 36 × 10−3 = 1897 μm
This is a really long distance; some image sensors are physically smaller than this!

1-18
 CMOS Image Sensors

Since charge travels so well on its own, can we collect it using only diffusion? The
short answer is ‘No’—collection entirely by diffusion can lead to significant losses
because the charge is not going to stay in the confines of the pixel where it was
generated. Diffusion is isotropic, and charge moves in all directions. To capture it,
we need the collection element to surround the charge on all sides, or a special
structure that forces the charge to go in one predominant direction.
Drift is a far better choice for charge collection because it is directional towards
the source of electric field. It is also much faster and minimises the chance of charge
loss. The distance travelled under drift (1.23) is proportional to time, while the
diffusion radius (1.25) increases much slower as a square root. Also, electrons move
three times faster than holes in electric field and not only 3 times faster as in
diffusion.

Example 1.9. Calculate the electron collection time if the charge moves only by
diffusion for the values in example 1.7, assuming that the charge is forced to travel in
one direction, and there is no charge loss.
Solution: Using equation (1.25) we can calculate the time it takes the electrons to
travel the longest distance, equal to the depth of the sensor rn = d = 5 μ m :
rn2 (5 × 10−4)2
t= = = 3.5 ns
2Dn 2 × 36
Because of the stochastic nature of the diffusion this time can be considered as a
time constant; three time constants would suffice for 95% charge collection, and
equals to 10.5 ns. This time is two orders of magnitude longer than in charge
collection by drift.

1.4 Charge transfer

After the charge is collected it needs to be converted to a voltage or a current that
can be measured using electronic circuits. This could happen at the collection
element itself, but very often the tasks of collection and conversion are physically
separated for good reasons. The charge needs to travel to a dedicated place where it
is converted to an electrical signal; therefore, the task is to perform an efficient
charge transfer.
Figure 1.11 shows schematically three cases of charge transfer. Figure 1.11(a)
corresponds to CMOS image sensors using pinned photodiode as a collection
element and is probably the most widely used. Here the photogenerated electrons are
directed to the collection element by an electric field. The conversion element is
shielded from direct charge collection and receives only the charge transferred to it.
This is usually accomplished by either an optical shield over the conversion element,
or electrically—by steering the electrons away from it.

1-19
 CMOS Image Sensors

Figure 1.11. Charge transfer in image sensors: (a) single transfer; (b) multiple transfers with charge collection
elements capable of charge transfer; (c) multiple transfer with dedicated transfer elements which do not collect
charge.

Figures 1.11(b) and 1.11(c) show examples where the charge travels larger
distances, and the transfer is done is many steps. The transfer elements can either
be the same as the charge collection elements, as in full frame CCDs, or they can be
dedicated to charge transport only, as in interline transfer CCDs.

1.5 Charge conversion

Charge conversion is a crucial step that occurs at a sense node, where the charge is
converted to an electrical signal—most frequently a voltage. This can happen
destructively—meaning that after the conversion the charge cannot be recovered or
returned to its original state. This is the typical conversion in image sensors.
The conversion can also occur non-destructively, which is when the charge
remains unaltered and intact, and the same charge can be converted multiple times.

1-20
 CMOS Image Sensors

A circuit allowing non-destructive conversion would normally couple capacitively to

the charge without getting in physical contact with it.
Why is destructive conversion preferred? Because it is more sensitive and a larger
electrical signal can be obtained for the same charge, it is usually sufficient to convert
the signal into voltage only once. Multiple signal measurements requiring non-
destructive conversions are used only in some specialised sensors where they offer
some advantages, such as charge measurement during collection, or for noise
reduction.
Figure 1.12 shows four methods of charge conversion: (a)–(c) are destructive
because there is an electrode attached to the collection element; once the electrons
reach it, they exit the device through that external connection and there no easy way
of reversing this process.
In figure 1.12(a) the photogenerated current is continuously flowing out of the
device through a resistor; the voltage drop across it (i.e. the difference between the
bias voltage and the output) is the measure of the photocurrent.
Figure 1.12(b) shows the typical charge conversion circuit in the vast majority of
image sensors. A transistor act as an electronic switch to momentarily connect the
output to a stable bias voltage, and after that it is disconnected. The output terminal
has an equivalent capacitance C to ground, and when the charge Q reaches the
output a voltage step is produced:
Q
∆V = (1.30)
C
This voltage step is proportional to the photogenerated charge and is the output
signal. Figure 1.12(c) shows a more sophisticated version which uses a Charge

Figure 1.12. Charge conversion types: (a) continuous current on a resistor; (b) on the effective capacitance of
the charge collection element; (c) using a charge-sensitive amplifier; (d) non-destructive by electrostatic
induction.

1-21
 CMOS Image Sensors

Sensitive Amplifier (CSA). Due to the negative feedback the CSA ‘moves’ the
incoming charge to the feedback capacitor and the voltage step (1.30) appears across
it, while the input stays at nearly constant voltage. The output signal can be large
because the feedback capacitor can be made very small.
Figure 1.12(d) illustrates the fourth method of charge conversion discussed here,
where the charge is sensed non-destructively by capacitive coupling. The output is
the top electrode of a floating capacitor, separated by an insulator from the structure
underneath. The collection element has capacitance to both the output and to
ground, so the equivalent circuit has two capacitors connected in series. After the
switch is disconnected, the collected charge couples by electrostatic induction to the
output electrode and produces a voltage change across the effective capacitance.
This method does not interfere with the collected charge because there is no
connection to it.
The common feature between the charge conversion methods in figures 1.12(b)
and (c) is that the charge is converted to voltage on a capacitance. This may not be a
physical capacitor as the feedback capacitor in figure 1.12(c), but an effective
capacitance to ground formed by the structure of the charge collection element.
The conversion to voltage is characterised by the conversion gain Gc , expressed as
the voltage change at the output per one collected electron. Using (1.30), the
conversion gain is written as:
q
Gc = (1.31)
C
where q is the elementary charge and C is the conversion capacitance. The term
charge to voltage factor (CVF) is also frequently used as a synonym for the
conversion gain.

1.6 pn junction
The pn junction is arguably the most important element in image sensor technology.
It can be used for both charge collection and charge-to-voltage conversion and is
used in practically all image sensors. Many excellent books describing the pn
junction have been written (for example, [2] and [21]) and we are going to spend a
great deal on it too, due to its importance to image sensors.

1.6.1 pn junction in equilibrium

The pn junction is one of the types of charge collection elements with internal electric
field, discussed in the previous section. To form a pn junction a donor dopant is
implanted into p-type silicon (or the other way around), and then the device is
annealed to activate the implant2. The free electrons from the n-side start diffusing
into the p-type silicon and the free holes from the p-side into the n-type silicon; this
occurs naturally because of the concentration differences. Donor and acceptor
atoms on both sides of the junction are left without their electrons and holes to keep

2
Nobody is forming junctions by bringing p- and n-type silicon bars together.

1-22
 CMOS Image Sensors

them neutral, and this creates a region of fixed space charge—positively charged
donor atoms on the n-side and negatively charged acceptor atoms on the p-side. This
fixed charge creates a built-in electric field which counteracts the diffusion of both
majority carriers. The same field, however, is accelerating the minority holes in the
n-side and the minority electrons in the p-side towards the opposite sides of the
junction. As the space charge region grows, the electric field increases, slowing down
the diffusion until an equilibrium is reached. The two opposing currents balance
each other for both electrons and holes, the net flow becomes zero and the width of
the space charge region settles to xn on the n-side to xp on the p-side as shown in
figure 1.13.
The concentration of majority electrons and holes in the space charge region is
nearly zero due to the electric field which forces them away. The space charge region
is depleted from majority carriers and this is why it is more often called the depletion
region. The depletion behaves essentially as an insulator, separating the electrically
neutral (and conducting due to the large carrier concentration) n and p regions on
both sides.

Figure 1.13. Structure, electric field and potential in a pn junction in equilibrium.

1-23
 CMOS Image Sensors

It is this electric field that makes the pn junction so useful in image sensors.
Electrons and holes generated by the photoeffect get separated upon entering the
depletion region and create current, which can be measured. Also, only a negligible
current will flow in the absence of light due to the depletion behaving as an insulator.
This is what was described in the previous sections when we discussed the idealised
charge collection.
In equilibrium the whole of the pn junction must remain electrically neutral
regardless of the fixed space charge. If we consider an abrupt junction, where the
doping concentrations ND (in the n-side) and NA (in the p-side) are uniform and
change in a stepwise fashion at the junction at x = 0, the condition of electrical
neutrality can be written as
NDxn = NAxp (1.32)

Equation (1.32) mathematically means that in the space charge region the number
of donor and acceptor atoms per unit area is equal. Despite its idealistic appearance,
the abrupt junction is a very good approximation to real pn junctions found in image
sensors.
From the condition of thermal equilibrium, it follows that the Fermi level
through the device is constant. Therefore, the valence and the conduction bands
must bend so that the Fermi level stays flat, creating the built-in potential Vbi in
figure 1.13. Because the electric field is the gradient of the potential distribution, this
is just another way to describe the presence of electric field in the space charge
region. The built-in voltage can be calculated from the uniformity of the Fermi level
and is [2]

kT ⎛ NAND ⎞
Vbi = ln⎜ ⎟ (1.33)
q ⎝ n i2 ⎠

where ni is the intrinsic carrier concentration.

Integrating the Poisson equation for both sides [2], we can calculate the electric
field on the n-side ( −xn ⩽ x ⩽ 0)
qND
E (x ) = ( x + xn ) (1.34)
ε0εSi
and on the p-side (0 ⩽ x ⩽ xp )
qNA
E (x ) = (xp − x ) (1.35)
ε0εSi
Here ε0 is the dielectric permittivity of vacuum and εSi is the dielectric constant of
silicon. The electric field has a linear dependence on distance because of the constant
doping concentrations in the abrupt junction approximation. We can see in
figure 1.13 that the electric field has a characteristic triangular shape and decreases
linearly from its maximum Emax at x = 0, where the formulas (1.34) and (1.35)
join up.

1-24
 CMOS Image Sensors

qNAxp qNDxn
E max = = (1.36)
ε0εSi ε0εSi
The field becomes zero in the neutral silicon at x ⩽ −xn and x ⩾ xp.
Furthermore, we can calculate the potential distribution in the junction by
integrating (1.34) and (1.35), using the boundary conditions Vn( −xn ) = Vbi and
Vp(xp ) = 0. This gives the expected quadratic dependence on distance, since we are
integrating a linearly changing electric field:
qND
Vn(x ) = Vbi − ( x + xn ) 2 (1.37)
2ε0εSi

qNA
Vp(x ) = (x − xp)2 (1.38)
2ε0εSi
Here we must clarify an important point about the built-in potential—it does not
appear across the terminals of the junction. Anybody who has measured the voltage
across a pn diode with a voltmeter will testify that the voltage is zero, unless the
diode is illuminated. Obviously the pn junction is not a battery! The reason we do
not see the built-in voltage is the contact potential between the silicon and the
electrodes used to connect it to the outside world. The contact potentials between the
metal electrodes on the n and the p-side precisely cancel the built-in voltage, and
there is no potential difference between the two external electrodes. If that were not
the case, a shorted diode would generate a continuous current through itself, which
obviously does not happen.
The total width of the depleted region W = xn + xp can be found from (1.37) and
(1.38) by using that Vn(0) = Vp(0), which gives
qND 2 qNA 2
Vbi − xn = xp (1.39)
2ε0εSi 2ε0εSi
From here, using (1.32) we can write
q (NA + ND)ND 2 q (NA + ND)NA 2
Vbi = xn = xp (1.40)
2ε0εSi NA 2ε0εSi ND
and finally, we get
2ε0εSi NAVbi
xn = (1.41)
q (NA + ND)ND

2ε0εSi NDVbi
xp = (1.42)
q (NA + ND)NA

The depletion width W is the sum of (1.41) and (1.42)

1-25
 CMOS Image Sensors

2ε0εSi ⎛ NA + ND ⎞
W= ⎜ Vbi
⎟ (1.43)
q ⎝ NAND ⎠

Most of the pn junctions used in image sensors are one-sided (also called
asymmetric), i.e. one of the dopants has much higher concentration than the other.
Typical examples are n+p junctions used as photodiodes and for charge conversion.
In a one-sided n+p junction ND ≫ NA , which leads to almost all of the depletion
being on the p-side because xp ≫ xn . From (1.42) and (1.43) we see that xp ≅ W and
the expression for the depletion width simplifies to
2ε0εSi
W= Vbi (1.44)
qNA

Why are we using one-sided junctions? If one dopant has significantly higher
concentration than the other, for example by a factor of 100, the depletion width is
determined entirely by the low-doped side, and only its concentration has to be
precisely controlled. The built-in voltage depends on both dopant concentrations,
but thanks to the logarithmic dependence in (1.33) it has much weaker effect on the
depletion width.

1.6.2 pn junction under reverse bias

The pn junction is very useful even without any voltage applied to it. Whether its
terminals are shorted or left floating, the internal electric field is still there and can
separate photogenerated electron–hole pairs. However, the depletion width in
equilibrium can be quite small, unless very low doping concentrations are used.
Increasing the depletion is often desired as it reduces the size of the field-free regions
and the extent of charge diffusion. This can happen when a reverse bias is applied
across the junction with the same polarity as the built-in voltage, i.e. positive on the
n-side (cathode) relative to the p-side (anode).
When a reverse bias Vr is applied, the total voltage across the junction is Vbi + Vr
and the depletion width in a n+p junction becomes
2ε0εSi
W= (Vbi + Vr ) (1.45)
qNA

Due to the asymmetric doping, the depletion width is almost entirely contained in
the p-side of the junction, and so is the electric field.

Example 1.10. Calculate the depletion depth of a silicon one-sided n+p junction with
NA = 6.7 × 1014 cm−3 (resistivity ρ = 20 Ωcm ) and ND = 1018 cm−3 for Vr = 0
and Vr = 5 V and 300 K. Use that ni = 1.45 × 1010 cm−3, ε0 = 8.85 × 10−14 F cm−1
and εSi = 11.9. Also calculate Emax and xn at Vr = 5 V.
Solution: First, from (1.33) we calculate Vbi :

1-26
 CMOS Image Sensors

kT ⎛ NAND ⎞ 1.38 × 10−23 × 300 ⎛ 6.7 × 1014 × 1018 ⎞

Vbi = ln ⎜ 2 ⎟ = ln ⎜ = 0.74 V ⎟

q ⎝ ni ⎠ 1.6 × 10−19 ⎝ 2.1 × 10 20 ⎠

Next, from (1.45) we calculate the depletion widths
2 × 8.85 × 10−14 × 11.9 × 0.74
W (0V) = = 1.21 μm
1.6 × 10−19 × 6.7 × 1014

2 × 8.85 × 10−14 × 11.9 × (0.74 + 5)

W (5V) = = 3.36 μm
1.6 × 10−19 × 6.7 × 1014
The maximum electric field and xn can be calculated from (1.36) using that
xp ≅ W :
qNAxp qNAW 1.6 × 10−19 × 6.7 × 1014 × 3.36 × 10−4
E max = = = = 34 200 Vcm−1
ε0ε Si ε0ε Si 8.85 × 10−14 × 11.9

ε0εSiE max 8.85 × 10−14 × 11.9 × 34 200

xn = = = 2.3 nm
qND 1.6 × 10−19 × 1018

This example shows how much smaller the depletion is on the n-side in a one-
sided n+p junction compared to the p-side; in this case xn is entirely negligible.
The characteristic right-triangular shape of the electric field and its drop to zero at
the edge of the depletion are important features with implications to charge
collection.
Figure 1.14 shows the calculated potential and electric field from example 1.10
using (1.34)–(1.38), and a simulation using commercial TCAD software [27].
It is useful to compare the analytic formulae with a finite element device
simulation using the same parameters; this provides a necessary cross-check even
if both cannot be made exactly the same. The matching in figure 1.14 is good,
considering the approximations in the analytical calculation and the discrete
structure of the simulation model.
The approximation of ideal abrupt pn junction assumes that the space charge
region and the majority carrier concentration have infinitely sharp edges. This is of
course an idealisation and is the reason why the electrical field falls to zero at both
ends of the depletion. In practice infinitely sharp edges do not exist and the majority
carrier concentration changes smoothly.
The finite element analysis (FEA) TCAD simulation solves the Poisson equation
without this assumption and reveals the fine details at the edge of the depletion.
Plotted on a logarithmic scale, the electric field in figure 1.15 continues to be above
zero for about a micron beyond the calculated edge of the space charge region. This
field is small but can make a sizeable effect on the charge collection time due to drift
being much faster than diffusion, as discussed in section 1.3.3.

1-27
 CMOS Image Sensors

Figure 1.14. Potential and electric field calculated and simulated in example 1.10 for Vr = 5 V.

Figure 1.15. A comparison between the electric field calculated using the abrupt n+p junction approximation in
example 1.10 for Vr = 5 V, and an FEA device simulation which does not make this approximation.

The calculations in this section used the abrupt one-sided pn junction model,
which is a good approximation to most practical devices. This gives the familiar
square root dependence (1.45) of the depletion width on the reverse bias. A different
doping profile would produce a different voltage dependence, with the linearly
graded junction [2] the most notable example, giving W ∝ (Vbi + Vr )1/3.

1-28
 CMOS Image Sensors

1.6.3 Charge collection

Due to its electric field, the pn junction collects electrons on the cathode, biased or
not. Looking back at figure 1.9, showing our then hypothetical charge collection
element, this is exactly what the pn junction does.
Without a reverse bias, the depletion is usually much smaller than the depth of the
device. In this case some of the charge will diffuse before collection, as shown in
figure 1.16(a). To minimise charge spread the field-free region must be eliminated, so
that full depletion is achieved. This is shown in figure 1.16(b), and the mathematical
condition is that the depletion width becomes equal to the device thickness.
Applying that W = d to (1.45) we can calculate the reverse bias Vfd at which full
depletion is achieved:
2ε0εSi
d= (Vbi + Vfd ) (1.46)
qNA

which gives
qNAd 2
Vfd = − Vbi (1.47)
2ε0εSi
Equation (1.47) tells us that the full depletion voltage is proportional to the
dopant concentration, and this is why it is easier to reach in high resistivity, low-
doped semiconductors.

Figure 1.16. Charge collection in partially depleted (a); and in a fully depleted pn junction (b).

Example 1.11. Calculate the full depletion voltage of the n+p junction in example
1.10 for a device thickness d = 5 μm.
Solution: Using (1.47) and the previously calculated Vbi

1-29
 CMOS Image Sensors

1.6 × 10−19 × 6.7 × 1014 × (5 × 10−4)2

Vfd = − 0.74 = 11.98 V
2 × 8.85 × 10−14 × 11.9

For very thick devices the full depletion voltage is large and we can ignore Vbi
because Vfd ≫ Vbi .
We can now refine the treatment of the charge collection time in (1.24) for an
abrupt one-sided pn junction. Figure 1.17 shows the familiar triangular shape of the
electric field, which in full depletion is described by (1.35) with xp = W = d.
qNA
E (x ) = (d − x ) (1.48)
ε0εSi
To avoid the electric field dropping to near zero at the back of the device, the
reverse bias can be increased above that required for full depletion so that the
junction becomes over-depleted. This creates an additional electric field Eod = Vod/d,
where Vod is the voltage top-up above Vfd. Adding Eod to E(x), and using (1.47)
with Vfd ≫ Vbi the electric field becomes
2Vfd V
E (x ) = 2
(d − x ) + od (1.49)
d d
Due to the linear dependence of the electric field the electron velocity vn will
change linearly too, depending on the position in the device according to
vn(x ) = μnE (x ). The travel time can be obtained by solving equation (1.50) as in [28]
dx 2V V
vn(x ) ≡ = −μn⎡ 2fd (d − x ) + od ⎤ (1.50)
dt ⎣ d d ⎦
Here the minus sign takes into account that the electrons move opposite to the
direction of the x-axis, and we ignore velocity saturation. The solution for charge
generated at coordinate x0 < d is:

⎡ ⎤
d2 1
t= ln⎢ ⎥ (1.51)
2μnVfd ⎢ 1 −
⎢
⎣
( 2Vfd
2Vfd + Vod ) x0 ⎥
d ⎥
⎦

Figure 1.17. Electric field in a partially depleted (a), fully depleted (b) and over-depleted (c) abrupt pn junction.

1-30
 CMOS Image Sensors

If Vod = 0 (1.51) simplifies to

d2 d ⎞
t= ln⎛⎜ ⎟ (1.52)
2μnVfd ⎝ d − x0 ⎠

and shows that when charge is generated near the back of the device (x0 ≈ d) the
charge collection time tends to infinity. This is because we are considering only
charge drift and the electric field at the back of the device for Vod = 0 is zero,
therefore an electron will stay there forever and will not be collected. Fortunately,
diffusion is ever-present and takes care of this ‘unphysical’ situation—the charge will
diffuse to regions with non-zero field will be quickly swept away.
The maximum charge collection time tmax for over-depleted junction (Vod > 0)
can be obtained from (1.51) for x0 = d
d2 2V + Vod ⎞
t max = ln⎛ fd
⎜ ⎟ (1.53)
2μnVfd ⎝ Vod ⎠
Comparing (1.53) to (1.24), the differences are a factor of two in the denominator
and the logarithmic term, which can become significant for low over-depletion
voltages. The two formulas give the same result when Vod = 2Vfd/(e2 – 1) = 0.31Vfd.

Example 1.12. Calculate the maximum charge collection time for the pn junction in
example 1.11 for Vod = 1 V , ignoring Vbi .
Solution: Using formula (1.53) we get
(5 × 10−4)2 2 × 11.98 + 1 ⎞
t max = ln⎛ = 24 ps
2 × 1400 × 11.98 ⎝ 1 ⎠
However, this is wrong because we have ignored velocity saturation in the
derivation of the formula. A quick check using (1.49) for x = 0 gives
vn = 6.7 × 107 cm s−1, well above the saturation velocity. Therefore, this
calculation gives too short charge collection time; a better estimation as in
example 1.7 would give around 50 ps.

You may ask the question: do we need a specialised semiconductor structure (e.g.
pn junction or a MOS capacitor) to generate an electric field? Can we just apply
some voltage across silicon to collect the charge? Let’s investigate this, picking a
square pixel with size a = 10 μm in silicon substrate d = 5 μm thick. Applying
voltage V across the pixel will force current to flow because silicon has finite
resistance. This current will look like photogenerated signal and must be reduced as
much as possible; therefore, we have to choose intrinsic (i.e. undoped and pure) silicon,
which has the highest resistivity ρ = 230 kΩcm at room temperature. If we now apply
one volt across the pixel, the current can be calculated from the Ohm’s law:
V V 1
I= = 2
= = 8.7 nA
R ρd / a 230 × 10 × 5 × 10−4 /(10 × 10−4)2
3

1-31
 CMOS Image Sensors

Comparing with examples 1.3 and 1.4 we see that this current is many orders of
magnitude higher than the photogenerated current; obviously a pixel made like this
will be a very poor image sensor. It may have a chance in very bright illumination
conditions, or when the sensor is cooled down (to increase the resistivity and reduce
the current), but not as a normal image sensor we are all used to.
1.6.4 Junction capacitance
Besides for charge collection, the pn junction can be used for charge-to-voltage
conversion as in the diagrams shown in figures 1.12(a)–(c). Two of the circuits rely
on the conversion of the photocurrent on an external resistor (figure 1.12(a)), or on
an external capacitor (figure 1.12(c)). The diagram in figure 1.12(b) shows the most
popular use, where the junction capacitance itself is used for the conversion.
As mentioned before, the depletion region is an insulator separating the conducting
p and n-type field-free regions. This is exactly the situation in a parallel plate capacitor
with a distance between the electrodes W and capacitance C = ε0εSiA/W , where A is
the electrode area. Using (1.45) the capacitance of the pn junction is
ε0εSiA ε0εSiqNA
C= =A (1.54)
W 2(Vbi + Vr )

Example 1.13. Calculate the capacitance of the pn junction with an area A = 25 μm2
with the parameters given in example 1.10 for Vr = 1 V .
Solution: From (1.54)
8.85 × 10−14 × 11.9 × 1.6 × 10−19 × 6.7 × 1014
C = 25 × 10−8 × = 1.42 fF
2 × (0.74 + 1)

After the junction has been biased to Vr and left floating by disconnecting the
switch, photogenerated electrons will collect at the cathode and reduce its potential
according to formula (1.30). However, because the junction capacitance depends on
the applied voltage, it is not an ideal parallel plate capacitor. As electrons are
collected, the voltage on the junction goes down, and the capacitance goes up. The
change of the capacitance is nonlinear, and its dependence on the reverse bias can be
found by differentiating (1.54) by Vr :
dC A ε0εSiqNA C
=− 3
=− (1.55)
dVr 2 2(Vbi + Vr ) 2(Vbi + Vr )
The nonlinear capacitance means that the conversion from charge to voltage will
be nonlinear too, which is not what we normally want from an image sensor. As
figure 1.18 shows, the change of capacitance can exceed 20% when the voltage across
the junction changes by 1 V. This change is large but can be counteracted by
connecting the junction in parallel with a larger, linear capacitance, so that the
nonlinearity is much reduced. In image sensors the role of this additional capaci-
tance is performed by the readout circuitry, as well as by actual capacitors.

1-32
Random documents with unrelated
content Scribd suggests to you:
 "Kiitoksia paljon; mutta antakaa minulle enemmin reikäleivästä
tehty voileipä ja hyvää viilipiimää."

"No, tuopa vain ei näy ymmärtävän, mikä hyvää on! Heti uuniin,
poika, jo on rauta kuuma!"

"Tokkohan? Eiköhän se liene liian kuuma."

"Mitä lörpöttelet? Tavallinen kammarilämminhän tuossa vain on!"

mutisi ukko ja tahtoi kaikin mokomin työntää Knutia palavaan uuniin.
Mutta kyllähän arvaat, kuka siitä käpälämäkeen läksi. Knut juoksi,
mikä käpälistä pääsi, löysi oven ja pelastui onnellisesti metsätielle.

"Mummo oli oikeassa", ajatteli Knut; "nyt minä kyselen itseltäni

katkismusta."

Knut ajatellessaan noita vaikeita kysymyksiä "mitä se on?" alkoi

tuntea vilua. Kohtapa näkyi syykin, sillä siinä oli suuri lumivuori
keskellä kesää. "Tämäpä on merkillistä", ajatteli Knut. "Mistähän nyt
saisi itselleen vähän lämmintä ruokaa?"

Niin sanoen astui hän lumikinokseen ja ajatteli ruokaa, vaan

yht'äkkiä hän pudota rumahti syvään reikään ja oli äkkiarvaamatta
komeassa palatsissa, joka oli kokonaan rakennettu välkkyvästä
jäästä. Siellä oli kirkas tähti- ja kuutamayö, kaikki huoneet olivat
koristetut kirkkailla jääpeileillä, kaikki lattiat ripoitellut
kuuratimanteilla. Kömpelöt lumiukot pyöriskelivät vatsallaan lattialla.
Yksi ainoa seisoi suorana: pitkä, jäykkä jättiläinen, jääpuikkoja
tukassa ja parrassa, yönuttu jääpaperista ja kengät jäätyneestä
marjamehusta. "Kas, hyvää päivää, Knut Soittelija", sanoi jättiläinen,
"miten sinä noin huonolta näytät tänään?"
 "Miltäpä minä muulta näyttäisin, kun en ole eilispäivällisestä asti
syönyt mitään muuta kuin kuumaa rautaa?" vastasi Knut kalisevain
hampaiden välistä.

"Sinä olet liian kuuma, poika parka, liian kuuma. Minä olen
lumikuningas ja kasvatan kaikki alammaiseni jäämöhkäleiksi, ja minä
teen sinutkin jäämurikaksi. Ylilumiukko, pistäppä poika seitsemän
kertaa jääkylmään veteen ja ripusta hänet johonkin naulaan
jäätymään!"

"Ei, malttakaahan! Antakaahan ennemmin tuoppi lämmintä

olutjuustoa; johan minä muuten olen näinkin jäämöhkäle!"

"Yli-lumiukko, anna hänelle palanen jäätynyttä elohopeaa ja tuopin

täysi vilutautia, ennenkuin hänet kastat!" komensi jättiläinen.

Knut yritti lähtemään pakoon, mutta liian myöhään. Yli-lumiukko

otti hänet kiinni kauluksesta, ja hukassapa Knut parka olisi ollut,
ell'ei olisi tavannut taskusta käteensä ruokopilliänsä. Knut ei tiennyt
muuta neuvoa kuin soittaa, ja nyt hän puhalteli pii pii niin pitkään
kuin jaksoi. Heti vääntyivät pitkän lumikuninkaan kasvot irvistykseen,
joka muka oli olevinaan iloa, mutta olikin vain raivon merkki siitä,
että naurunpuuska niin äkisti pääsi valtaan. Hän nauroi, nauroi niin,
että jääpuikot putoilivat hänen tukastaan ja leuastaan, hänen
polvensa koukistuivat, ja viimein häneltä putosi koko pää särkyen
tuhansiksi siruiksi. Kaikki lumiukot hajosivat naurusta ja sulivat
likavedeksi, jääpeilit pilstautuivat hienoksi jauhoksi ja koko lumivuori
muuttui pyryksi. Töintuskin jaksoi Knut itse pitää huuliaan yhdessä
naurulta ja puhaltaa pilliinsä. Keskellä pyryä huomasi hän taaskin
olevansa metsätiellä, lumi juoksi pois pauhaavina puroina ja
kukoistava kesä jäi jäljelle.
 "Nyt minä kyllä pidän varani", ajatteli Knut ja astui vakavasti
eteenpäin, alkaen tavata muististaan "mitä se on?" Mutta kohtapa
hän oli kaikkein sievimmän vehreän metsämäen kohdalla ja sieltä
vuorten väliltä kiilui kaikkein kauneimpia punaisia mansikoita
ruohokosta. "Eipä suinkaan liene vaarallista poimia muutamia
mansikoita, kun päivällistä kuitenkin saan vasta kello neljän aikaan",
ajatteli Knut ja astui aholle. Heti sinne päästyään huomasi hän, että
nuo mansikoilta näyttävät esineet olivatkin vain tuhansia sievän
pikkuisia, puna-hameisia keijukaisia. Ne eivät olleet pitemmät
mansikan korsia, ja ne hupaisesti tanssivat vehreän ruohomättään
ympärillä, jolla heidän kuningattarensa istui, ja hän oli kolme tuuma
pitkä.

"Kas, hyvää päivää, Knut Soittelija", sanoi keijukaiskuningatar,

"miksi sinä tänään näytät niin huonolta?"

"No, miltäpä minä muulta näyttäisin, kun en eilispäivällisestä asti

ole syönyt muuta kuin kuumaa rautaa ja jäätynyttä elohopeaa? Minä
luulin sinua mansikaksi."

"Poika paralla on nälkä", sanoi keijukaiskuningatar hovirouvalleen.

"Antakaas hänelle kastepisara ja itikan jalka, että hän kerrankin saa
syödä kylläkseen!"

"Kiitoksia paljon", virkkoi Knut. "Mutta jospa saisin korvollisen

mansikoita ja kiulullisen maitoa!"

"Oletpa sinä täytymätön!" sanoi keijukaiskuningatar hyvin

pahastuneena niin suunnattomasta ruokahalusta. "Tiedätkö
ihmislapsi, että olet tullut ilman lupakirjaa ja passia minun
valtakuntaani ja tallannut kolmekymmentä minun alammaistani, niin
ett'ei niistä ole jäänyt muuta kuin punainen pilkku jäljelle?
Metsälukit, tehkää tehtävänne!"

Heti koko legioona, oikein summaton joukko pitkäsäärisiä lukkeja

laskeutui lankojansa myöten alas puista ja aikoivat kietoa Knutia
lukemattomiin hienoihin verkkoihin. Knutista tuollainen ilkeä pila ei
ollut mieleen, hän pyyhälsi pois verkot ja yritti lähtemään
metsätielle, mutta eipä päässyt paikastaan hievahtamaan. Hänen
jalkansa kietoutuivat yhä vahveneviin lankoihin, käsivartensa ja
kätensä liimautuivat kiinni mekkoon, silmänsä sulkeutuivat, ja
viimein kaatui hän kumoon ruohokkoon.

Hän ei voinut mitään nähdä, mutta kuuli koko metsämäen

nauravan, ja keijukaisjoukko asettui piiriin hänen ympärillensä, he
tanssivat hänen päällitsensä, nipistelivät häntä kuin itikat poskista ja
riemuta remusivat tuosta hullunkurisesta pilastaan. "Makaappas nyt
siinä ja näe nälkää, kunnes tulet kylläiseksi kastepisarasta ja
itikanjalasta!" sanoivat he.

Knut ryhtyi rukoukseen. "Kuulkaas nyt, pikku keijukaiset", sanoi

hän, "minä tyydyn siihenkin, jos vain saan syödäkseni pienen
ruokopalasen, joka minulla on mekkoni taskussa. Etteköhän olisi
hyvät ja pistäisi sitä suuhuni?"

Keijukaisia sanomattomasti huvitti nähdä ihmislapsen syövän

ruokoa. Neljä heistä kiipesi hänen taskuunsa, ja yhteisin voimin
saivat he sieltä pois vedetyksi taikapillin, joka suurella vaivalla
viimein pistettiin Knutille suuhun. Sitte he alkoivat vielä iloisemmin
tanssia hänen ympärillänsä ja päällänsä, niin että koko mäki raikui
heidän naurustaan, niinkuin miljooneista itikoista.
 Knut tuskin tunsi pillin pään olevan hyvästi huultensa välissä, kun
alkoi puhaltaa pyy pyy. Ensin loppui iloinen nauru mäeltä ja kohta
sen jälkeen alkoi kuulua tuhannen tuhansia itkun nyyhkytyksiä joka
taholta, jotenkin samaan tapaan kuin rankkasateen kesällä
ropistessa maahan. Knut ei nähnyt mitään, mutta hän hyvin ymmärsi
keijukaisten itkevän, ja häntä rupesi säälittämään tuo niin iloisten
olentojen ääretön nyyhkiminen.

"Päästäkää minut irti, niin saatte taas nauraa!" sanoi hän

keijukaisille.

Keijukaisten suurin ilo on nauraa, ja nauramallahan he

kuluttavatkin lyhyen elämänsä kesäiltoina. Heti paikalla satoja ryhtyi
työhön, ajelemaan pois hämähäkkejä ja vapauttamaan vankia,
irroittamaan hänen jalkojaan, kiinni liimautuneita käsiään ja umpeen
suljettuja silmiään. Knut voi nyt nähdä pikku vihollisensa ja oli niin
pahankurinen, että puhalsi vielä kerran pitkän pyy-äänen. Oh, miten
ne pikku olentoraukat irvistelivät ja vääntelehtivät! He olisivat niin
mielellään nauraneet, vaan heidän kuitenkin täytyi itkeä tuosta
hirvittävästä pyy-äänestä! Knut ei raaskinut kauan kiusata heitä. Hän
vaihteeksi puhalsi pii pii, ja silloin olivat keijukaiset aivan tulla
hulluksi ilosta. He hyppelivät niin korkealle, että olivat vähällä tavata
leivot ilmasta, ja muutamia putoili aivan Knutin päälle, niin että
hänen täytyi pudistella heidät pois vaatteiltansa. Hän ei huomannut
yhden keijukaisen putomista hänen taskuunsa, josta se ei enää pois
osannutkaan.

"Hyvästi, pikku keijukaiset!" sanoi Knut ja jatkoi reippaasti

vaellustaan metsätiellä. "Saanpa nyt varoa Tapiota, metsän
kuningasta", ajatteli Knut; "hän kuuluu, olevan pahin kaikista.
Mitenkäs se läksyni olikaan: Mitä se on?"
 Vähän ajan perästä vei tie Knutin aivan muurainsuon laidalle. "Ei
nyt ainakaan liene pahoin, jos otan muutamia muuraimia tuosta sivu
mennessäni, kun en kuitenkaan saa ruokaa ennenkuin kello neljä
iltapäivällä", ajatteli Knut. Siinä oli suuri, kumoon kaatunut kuusi,
jonka yli Knutin täytyi kiivetä päästäkseen suolle. Mutta kun hän
paraiksi ehti keskelle sen tiheitä tuuheita oksia, nousikin kuusi Knutin
suureksi kauhuksi pystyyn ja tiuskasi äreästi: "Kas, hyvää päivää,
Knut Soittelija, miksi sinä tänään niin huonolta näytät?"

Knut oli jäänyt korkealle maasta kuusen latvaan, mutta hän

rohkasihe ja sanoi: "Miltäpä minä muulta näyttäisin, kun en ole
eilispäivällisestä asti saanut muuta syödäkseni kuin kuumaa
kankirautaa, jäätynyttä elohopeaa, kastepisaran ja itikan jalan?"

"No, miksi häiritset minun päivällisuntani?" kysyi kuusi. "Etkö

tiedä, että minä olen metsän kuningas ja hallitsen kaikkia puita ja
soita seitsemän peninkulman alalla? Tässä on minun linnani; eikö ole
asuntoni hyvä?"

Knut ei nähnyt mitään muuta kuin autiota saloa, mutta uskalsi

kaikkein nöyrimmästi kysyä, eikö hän saisi laskeutua alas poimimaan
muutamia muuraimia.

"Mitä siinä lörpöttelet? Muuraimiako?" ärjäsi kuusi. "Ota honka

kauhaksesi ja ammenna poskeesi seitsemän kuormaa sammalsuota;
se vasta on tukevaa ruokaa ja minun mieliruokaani."

"Enkö saisi sen sijaan yhtä kuormaa omenapuuroa ja kohtuullisen

suuren kuopan täyttä metsähunajaa?" kysyi Knut.

"Omenapuuroako? Kyllä minä sinusta teen omenapuuroa, kun

häiritsit minun päivällisuntani. Kuningaskotka, minä annan pojan
sinulle, hakkaa hänet kalopsiksi pojillesi!"

Nyt vasta Knut huomasi suunnattoman kotkan istuvan kuusen

latvassa ja katselevan häneen ahneilla silmillään. Alas hän ei päässyt
hyppäämään, kun kuusi piti häntä kiinni käsistä ja jaloista; kohta oli
hän joutuva kalopsiksi. Knut Soittelija ei ollut koskaan syönyt
kalopsia, mutta vaikka hän itse paljon pitikin ruoasta, ei hänestä
lainkaan ollut hauskaa joutua kotkain ruoaksi.

Silloin hän tunsi jotakin hienoa kuin kukka kiipeävän pitkin

käsivartta, mekon kaulusta, leukaa ja ylös suuhun asti. Se oli pikku
keijukainen, joka oli unohtunut hänen taskuunsa ja nyt
suunnattomalla vaivalla veti ylös ruokopilliä, joka oli kuusi kertaa
pitempi häntä itseään. "Puhalla!" kehoitti keijukainen.

Knut tunsi suussansa pillin ja alkoi puhaltaa puu puu. Kuusi alkoi
haukotella, ojensi oksiansa ja mutisi jotakin päivällisunen
häiritsemisestä sekä heittäytyi pitkäkseen sammalikolle, musertaen
allensa sen suuren kuningaskotkan. Knut hiipi pois oksien välistä,
kuuli metsän kuorsaavan ja läksi juoksemaan pakoon, min enimmän
kerkesi. "Nyt minä kyllä pidän varani", ajatteli Knut. "Näkyypä täällä
olevan vaarallista metsässä; no, astunpahan ennemmin rantatietä
veden vieritse."

Pian hän pääsi hyppelemällä kaatuneiden, makaavien puiden ylitse

aidan luo ja nousi sen yli rantatielle. Suuri, aukea meri levisi siinä
hänen silmäinsä eteen paljon avarampana kuin Helmikarin rannalla.
Länsituuli puhalteli, ei kovasti ja raivoisasti, niinkuin se useinkin
puhaltelee merellä, pikemmin vain sellaisella keveällä, vaan kuitenkin
hyvällä voimalla, josta purjehtijat niin paljon pitävät, se kun
miellyttävästi tanssittelee heidän veneitänsä. Ja nuo pienet
mykeväharjaiset aallot, miten ne näyttivät sieviltä, siinä iloisesti
hypiskellen ajaessaan takaa toinen toistansa! Ne olisivat olleet
pienten vallattomain lasten kaltaiset, kun he pulikoivat
kylpyammeessa, ell'eivät ne olisi olleet puettuina merenvehreihin
mekkoihin ja hameihin, joiden helmat olivat koristetut hienoilla
valkoisilla pitseillä. Knut istuutui vuorelle tien laitaan katselemaan
aaltoja, kun tunsi olevansa hyvin väsynyt. Aaltoja hän oli rakastanut
niin kauan, kuin taapäin muisti; hänhän oli kasvanutkin meren
rannalla niiden seurassa. Uiminen tuollaisissa aalloissa oli Knutin
suurin ilo, mutta sen jälkeen suurin oli niiden iloisen leikin
katseleminen. Jospa hänellä vain ei olisi ollut niin hirveä nälkä!

"Jospa minulla nyt olisi kaikki litteät kivet, joita olen viskellyt pitkin
veden pintaa, ja ne olisivat oikeita voileipiä, niin miten minä söisin!"
ajatteli Knut itsekseen.

Silloin vieri eräs aalto kauas rannalle ja kasteli Knutin paljaita

jalkoja; vaahdosta nousi valkoinen olkapää, ja samassa jo istui
sievän sievä pikku tyttö Knutin vieressä vuorella. Tyttö oli melkein
yhtä pitkä kuin Knutkin, hänellä oli yllä vaaleanvehreä leninki,
käsissä hopeiset rannerenkaat, pitkässä kullankeltaisessa tukassa
kultakampa ja päässä seppele kauneimmista valkoisista
lummekukista. "Kas, hyvää päivää, Knut Soittelija!" sanoi hän
äänellä, joka kuului puron solinalta kivikossa keväällä. "Miksi sinä
näytät niin huonolta tänään?"

Knut katseli tyttöä kummastellen ja vastasi: "Miksipä en näyttäisi

huonolta, kun en ole eilispäivällisestä asti saanut muuta syödäkseni
kuin kuumaa kankirautaa, jäätynyttä elohopeaa, kastepisaran, itikan
jalan ja seitsemän kuormaa sammalsuota?"

"Poika parka!" sanoi ystävällinen pikku tyttö, sivellen pehmoisella

kädellään hiukset pois hänen otsaltansa. "Tuleppas minun kanssani,
niin saat syödä kylliksesi merenvaahtoa ja oikeita helmiä!"

"Kiitoksia paljon, mutta kyllä minä olisin tyytyväisempi, jos saisin

vadillisen paistettuja kampeloita ja viisitoista voileipää mateenmädin
kanssa."

Tyttö nauroi. "Etkö ole koskaan syönyt hyytelöä paljon sokurin

kanssa? Minäpä sanon sinulle jotakin. Minä olen Aallottaren rakkain
kammarineitsyt, ja Aallotar on Ahdin rakkain lapsi, hän, joka asuu
kauniissa korallilinnassa tuolla meressä ja leikkiessään aaltojen
kanssa astuskelee kauniita jälkiä hiekkaan. Eilen olimme 'haukkasilla'
Helmikarin rannalla, ja silloin Aallotar pudotti taikapillinsä. Maininki
sanoi minulle sinun löytäneen sen. Jos lähdet minun kanssani ja
annat pillin takaisin Aallottarelle, niin saat palkinnoksi kokonaisen
vuoren kauneimpia meren helmiä."

"Ei, kiitoksia pyynnöstä; minua on kutsuttu päivälliselle Harjulaan,

enkä minä ole syönyt mitään eilisestä asti."

"Enkö minä sinun mielestäsi ole kyllin kaunis?" sanoi merenneito,

otti häntä kiinni molemmin käsin ja katsoi aivan läpi hänestä
välkkyvillä sinisilmillään. "Etkö suutele minun ruususuutani?"

"Ruma et kyllä ole, mutta mieluisemmin minä suutelisin hyvää

lintupaistia."

"Kuuleppas sitä!" sanoi merenneito nauraa helähyttäen. "Minä

sanon sinulle vielä jotakin, Knut Soittelija! Jos lähdet minun kanssani
ja annat pillin takaisin, niin saat ruveta minun rakkaaksi sulhokseni,
minä tulen sinun rakkaaksi morsiameksesi, ja me elämme tuhat
vuotta onnellisina silkissä ja helmissä."
 "No, kaikkiapa täällä kuullakin saa!" vastasi Knut. "Minä en ole
syönyt mitään kelvollista eilisestä asti, ja nyt minut on kutsuttu
Harjulaan päivälliselle. Hyvästi nyt, vetinen neiti. Minä lähden
matkoilleni!"

"Sinäkö kerskailet?" sanoi merenneito viekkaasti. "Eipä sinulla

olekaan pilliä."

"Eikö ole?" virkkoi Knut ja otti pillin taskustaan. Samassa tunsi hän
suuren aallon vierivän päänsä ylitse, niin että hän kaatui pitkäkseen
vuorelle. Enempää hän ei tiennyt, ennenkuin jälleen heräsi vuorella,
ja silloin aurinko jo oli lännen puolella, niin että arvattavasti oli jo
iltapuoli päivää.

Knut hieroi silmiään ja ihmetteli, missä hän olikaan. Tuossa oli

Kiikkalan metsä kaikkine noitakuninkaineen, jossa hän oli nähnyt niin
monta hullutusta ja hänelle oli tarjottu niin kummallisia aamiaisia.
Tuossa oli avara meri, joka yhä vielä lainehti ja viskoi kuohuaan aina
hänen luoksensa asti. Mutta missä oli Aallottaren kammarineitsyt?
Häntä ei näkynyt, hän tietysti oli uinut pois sen suuren laineen
mukana. Ja missä oli taika-pilli, missä pikku keijukainen, joka oli
jäänyt hänen taskuunsa ja niin uskollisesti pelastanut hänet
kuningaskotkan kynsistä? Vuorella hänen vieressään oli vanha,
taittunut ruokopilli, mutta siitä ei lähtenyt mitään ääntä, ja mekon
taskussa tuntui pieni märkä paikka, mutta kukapa osasi arvata, oliko
se tullut veden roiskeesta vaiko pikku keijukaisesta, jonka Knut oli
ehkä pusertanut mäsäksi vuorta vasten. Knut alkoi jo luulla, että hän
olikin ehkä paneutunut nukkumaan päiväpaisteesen ja siinä unissaan
nähnyt kaikenlaisia hullutuksia.

"Minuthan on kutsuttu Harjulaan päivälliselle!" virkahti hän,

 Yht'äkkiä hän oli jaloillaan ja läksi juoksemaan tietä metsän läpi.
Mutta eipä se ollutkaan niin helppoa. Katajapensailla oli paljo
tekemistä hänen housujensa kanssa, kuusenvarvut pitelivät häntä
kiinni mekosta, mustikanvarvut ja kanervat hakata nakuttelivat
hänen paljaita jalkojansa. Mutta eteenpäin piti Knutin päästä ja hän
pääsikin perille ilman sen enempiä seikkailuja, väsyneenä, nälissään
ja punakkana, juuri kello 4 iltapäivällä.

"Terve tuloa, Knut Soittelija!" sanoi herra Petter. "No, tänäänhän

sinä näytät oikein iloiselta."

"Miksipä en olisi iloinen, kun minulle on tarjottu välipalaksi kuumaa

kankirautaa, jäätynyttä elohopeaa, kastepisaraa, itikanjalkaa,
seitsemää kuormaa sammalsuota, merenvaahtoa ja vuoren kokoista
kasaa helmiä?"

"Olipa siinä monta ruokalajia yhdeksi ateriaksi. Ei pidä niin paljon

ajatella ruokaa tässä maailmassa. Kun alinomaa ajatellaan sellaista,
joudutaan taikojen valtaan, jotka vain tekevät pilaa ihmisille. Eikö
sinulla ole nälkä, poikaseni?"

Knut vilkutti silmää, puristeli lakkiaan käsissänsä ja arveli, ett'ei

hän nyt toki vielä kuollut juuri nälkään.

"No, hauskaa kuulla", sanoi herra Petter. "Minä söin myöhään

aamiaista, eivätkä nuo palvelijat vielä ole ehtineet kyniä lintuja.
Odottelehan kello 8:aan asti, niin saat illallista sitte."

"Tämäpä oli pahempaa kuin kuuma kankirauta ja seitsemän

kuormaa sammalsuota", ajatteli Knut itsekseen, mutta pureksi vain
kynsiänsä ja vastasi saattavansa odottaa. "Voinpahan ajatella
katkismusta sill'aikaa", mietiskeli hän.
 Herra Petter oli aika veitikka. Hän oli ennen ollut köyhä poika, niin
että tiesi kyllä, miltä tuntuu odottaa nälkäisenä neljä tuntia. "Knut
Soittelija", sanoi hän, "kylläpä huomaan sinun osaavan muutakin
kuin ajatella ruokaa. Tiedätkö, että sekin on sankarillisuutta, kun
voittaa itsensä ja tulee toimeen ilman välttämättömimpiäkin tarpeita,
joita mielemme tekee tässä maailmassa? Minä pidän sinusta, poika,
ja toimitan sinut kouluun, että sinusta tulee kunnon mies. Mutta mitä
tämä on? Ihanhan tuntuu nenääni lintupaistin käryä. Astu sisään,
poika! Nyt saat istua oikein minun omassa pöydässäni ja syödä
kylläiseksi."

"Mitä se on?" Tuo kysymys kuului melkein kuin katkismuksesta.

Ovet avattiin ruokasaliin, suuri, katettu pöytä odotteli paistista
tuoksuvana vieraita. Herra Petter talutti Knutia kädestä ja Knut sai
istua kuin herra pöydässä, ja siellä hän ehkä istuisi vielä nytkin, kun
niin nälissään oli, ell'ei olisi aika sitte vienyt taskussaan juustopalaa
mummolleen ja päässyt kouluun.
VASARAMIES.

Saliin saapuvi — eikä lakkaa —

Kaikenmoistakin kaupus-akkaa.
Myöjää kuivan ja marjankin,
Vanhaa tätiä, äijääkin,
Pilkkahintoja vartoovaista.
Luona serviisin — hei! — on naista;
Köyhä tuoss' ylioppilas;
Neito, palvelija myös, no kas!

Saapaspari! Se uljas vasta,

Ei saa vertaista Europasta:
Korko vino, ei anturaa,
Uusin kuosi! No, tarjotkaa!
Markan puolikas! Lisää siellä!
Penni!… Kymmenen!… Vielä, vielä!
Yks… kaks… Vielä! No, kolme! Hei,
Kas, sen kisälli helppoon vei!

Monta pulloa tyhjää! Anna

Vaikka viinejä täyteen panna!…
Lintuhäkkejä!… Kynttilän pää,
Huutakaatte, ken ennättää!…
Ruukku — korvaton —!… Lippulakki!
Vaunusilat!… Kah! hännystakki!
Välttämättömät!… Yksi!… kaks!…
Oiva tavara!… Kolme! Naks!

Vanha vakkanen!… Seula!… Seili!…

Rouva, tässä on teille peili.
Puitteet poikki, las' halki sen!…
Ken sai saapasten vetimen?…
Kahvipannu, kas, neitsyt Anna!
Nehtaria se suo ja mannaa,
Kuohuu piipusta koskenaan!
Papua neljä ja sakkaa vaan!

Minä vasaramies näin jauhan,

Painuksiin täten kurkun pauhaan…
Kaikkein kynnet on kurkollaan
Toisen kalua kaappaamaan.
Toimi mulla on poloisella
Onnen pirstoja paloitella…
On kuin uunissa paistuisin.
Kultaa rauhasta hetkenkin!
YÖVAHTI.

Minä kurja, kun työtä

On mull' yli yötä!
Saan kylmässä kulkee,
Muut silmät kun sulkee.

Minä mälliä puren,

Tulen syttyvän suren:
Kun torvea soitan,
Niin huomion voitan.

Putos näppini tuohon:

Se jäi kuni suohon,
Kun en näe. No, en piittaa:
Toisen neulovi Riitta.

Mikä nurkassa hohtaa?

Joko toitotan kohta?
Joku sauhuja vetää,
Jos ei silmäni petä.

Uni — ah! — olis paras…

Kah, kynttilän varas:
Neiti lukuhun nukkuu,
Tuleen — voi! — talo hukkuu.

Ylioppilas Keikka,
Kas, tutkivi kreikkaa.
Hyvää yötä! ja soma
Näe armahas oma!

Hotellissa tässä
Taas vierahat mässää.
Lasi punssia mulle!…
Jopa mar sitä tullee!

Mitä tehdä nyt tuosta?

Hevon täytyvi juosta.
Joka vain kotosalla
Olis vällyjen alla!
POIKA, JOKA KUULI
ÄÄNETTÖMYYDEN PUHUVAN.

Oli kerran kuuromykkä poika Paavo. Hän olisi niin mielellään

tahtonut osata suurta kuulemisen ja puhumisen taitoa, vaan ei
osannut. Hän näki muiden lasten liikuttelevan huuliaan ja
ymmärtävän toisiaan, mutta Paavon täytyi tehdä merkkejä käsillään.
Isä ymmärsi, mitä hän aikoi sanoa, sisar ja veli ymmärsivät
paremmin, vaan äiti ymmärsi kaikkein paraiten. Muut kylän lapset
eivät ymmärtäneet hänen merkkejänsä; he matkivat käsillään
Paavoa ja nauroivat.

Pahin oli pitkä Penttu. Hän narrasi Paavoa, ja kun Paavo sattui
näkemään poikain lyövän kiekkoa maantiellä, määki Penttu "pää
pää!", ikäänkuin Paavo olisi ollut pässi. Se oli kylän lapsista hyvin
sukkelaa, mutta niin ei ajatellut pikku Liisu. Hän vei Paavon
kanssansa tupaan ja lohdutteli häntä viilipiimällä, ett'ei hän rupeaisi
itkemään.

Äiti oli merkkipuheella kertonut Paavolle taivaan Jumalasta, miten

hyvä hän on kaikkia luotuja olentojansa ja varsinkin onnettomia
pikku lapsia kohtaan. Paavo tiesi, että Jumala voi kaikki ja tahtoo
mielellään auttaa niitä, jotka oikein sydämmestänsä rukoilevat
häneltä jotakin. Mutta Paavo oli myöskin nähnyt, että kun joku auttoi
isää tai äitiä, niin hän tahtoi avustaan maksua. Siispä Paavo ajatteli
itsekseen: "jospa minulla olisi jotakin maksaa Jumalalle, niin
pyytäisin häntä opettamaan minua kuulemaan ja puhumaan."

Paavo oli jo kuuden vuoden ijässä, mutta ei hän vielä ollut

koskaan käynyt kirkossa. Mitäpä hän olisi tehnytkään kirkossa? Ei
hän ymmärtänyt papin saarnaa eikä osannut kuulla messua eikä
veisua. Mutta kun isä valjasti hevosen jouluaamuna ison laitareen
eteen ja sisar ja veli valmistautuivat lähtemään kirkkoon, tuntui
äitistä ikävältä jättää Paavoa yksin kotiin. "Tahdotko lähteä
kirkkoon?" kysyi äiti.

Tietystihän Paavo tahtoi päästä niin harvinaiseen huvitukseen kuin

ajamaan kirkkoon jouluaamuna. Ja kun muut sisarukset saivat kukin
kymmenpennisen pannakseen kirkonkukkaroon, sai Paavokin
rahansa, mutta äiti ei muistanut sanoa, mihin sitä oli käytettävä. Se
oli suuri raskas raha, paljon raskaampi pennin, jopa viidenkin pennin
rahaa, jollaisen Paavo välistä oli saanut matkustavaisilta, kun avasi
heille maantien porttia. Paavo ajatteli siinä olevan hirveän paljo
rahaa; niin rikas hän ei vielä koskaan ollut; nyt hänellä oli, millä
maksaa Jumalalle.

Koko matkan kirkkoon mennessä ajatteli hän vain yhtä asiaa;

mennä Jumalan luo ja sanoa: "Rakas Jumala, minä tahtoisin niin
mielelläni kuulla ja puhua niinkuin muutkin ihmiset. Ja koska sä olet
niin hyvä kaikkia kohtaan ja olet kaikkivoipa ja tahdot auttaa niitä,
jotka sinua rukoilevat, niin auta nyt minua, että kuulen, mitä pappi
sanoo. Kyllä minä apusi maksan, rakas Jumala: saat koho rahani,
kymmenen penniä."
 Sitte hän ajatteli: "Tietysti Jumala asuu kirkossa, mutta
mitenkähän minä tapaan hänet, että saisin puhua hänen kanssansa,
kun on niin paljo väkeä kirkossa? Ja tokkohan hän ymmärtää, kun
minä vain käsilläni puhun?"

Paavo tuli murheelliseksi, mutta hän ei voinut kysyä muilta reessä

olijoilta; kun oli pimeä, niin eiväthän he nähneet hänen käsiänsä.
Hän istui hyvin miettiväisenä ja katseli, kun isä ajoi hevosta. Ruuna
oli nopsa hevonen ja kulkusia sillä oli, niin että metsä ja vuoret
kajahtelivat. Kirkolle oli kotoa puoli peninkulmaa, mutta reki luisti
kuin kiekko maantiellä. Kaikki lumiset koivut ja kuuset näyttivät
Paavosta juoksevan vastaan, ja merkillisintä oli, että kuukin juoksi
muiden mukaan, tuo sama kuu, joka muuten niin vitkalleen luntusteli
pitkin taivaan kantta.

He tulivat kirkolle. Monta hevosta ja rekeä seisoi ulkona; ovet

avattiin, ja siellä sisällä oli valoisaa kuin taivaassa. Ihmisten hengitys
höyrysi heidän suustansa kuin uhrisavu Jumalalle. Olipa hyvin
ihmeellistä nähdä elävää henkeä ihmisestä.

Pääkäytävällä oli ahdinko, ja siinä väentungoksessa häipyi Paavo

omaisistansa. Hän oli pieni, häntä puristettiin ihmisten välissä ja
kuljetettiin eteenpäin hänen tietämättänsä minne. Kohta hän seisoi
esimmäisenä valkoliinaisen alttarin edessä, jolla seisoi paljo palavia
kynttilöitä, ja sen päällä riippui suuri taulu, jossa oli kuvattuna
Vapahtaja riippuvana ristissä. Alttarinkehyksen sisäpuolella seisoi
pappi valkoisessa messupuvussaan, joka oli kullalla kirjaeltu. Paavo
parka yksinkertaisuudessaan luuli pappia Jumalaksi, pani rahansa
alttarin kehykselle ja merkitsi käsillään sen, mitä hän niin
sydämmestään oli halunnut pyytää Jumalalta.
 Pappi ei nähnyt häntä, hän messusi ja luki rukoukset eikä Paavo
kuullut mitään. Äiti penkistään katseli etsien Paavoa, meni käytävälle
ja toi Paavon pois luoksensa. Mutta olipa siellä toinenkin, joka
ymmärsi Paavon merkkipuheen, ja se oli suuri, näkymätön Herra,
taivaan Jumala, joka näkee kaikki ja joka kyllä tiesi, ett'ei Paavo
ymmärtänyt parempaa.

Paavo istui äitinsä vieressä penkissä, katseli kynttilöitä, katsoi

pappia ja kirkkoväkeä, korkeata kattoa ja kauneita kuvia. Mutta kun
hän ei mitään voinut kuulla, sattui hän viimein nukahtamaan. Silloin
Jumala lähetti hänen luoksensa unessa enkelin. Ja enkeli puhui
Paavolle, mutta enkelit eivät puhu pikku lapsille sanoilla, vaan
ajatuksilla. Ja se pitää lasten muistaa, että kun hyvä ajatus nousee
heidän sydämmeensä, silloin juuri enkeli puhuu heille.

Enkeli sanoi: "Paavo!"

"Tässä minä olen", vastasi Paavo unessaan.

"Jumala on kuullut rukouksesi", sanoi enkeli. "Sinä saat kuulla

äänettömyyden puhuvan. Mutta tiedä, ett'ei kukaan ihminen voi
palkita Jumalaa rahalla, sillä Jumala on niin rikas, että hänellä on
koko maailma. Sentähden kun lähdet kirkosta, ota rahasi alttarilta ja
anna köyhälle mummolle tuolla oven luona. Sillä jos tahdot maksaa
Jumalalle pienen pikku osan hänen hyvyydestään sinua kohtaan, niin
rakasta häntä enemmän kuin mitään muuta maan päällä, tottele
hänen käskyjänsä ja ole hyvä kaikkia ihmisiä, jopa eläimiäkin
kohtaan. Katsos, ken hyvästä sydämmestä antaa roposen köyhille,
hän lainaa Jumalalle."

Samassa heräsi Paavo, sillä jumalanpalvelus oli lopussa ja ihmiset

alkoivat lähteä pois kirkosta. Silloin muisti poika enkelin sanat ja
pyysi äitiltään lupaa mennä alttarin luo. Äiti luuli Paavon tahtovan
katsella kuvataulua ja salli mielelläänkin hänen nähdä jotakin niin
kaunista. Mutta Paavo otti vain rahansa ja antoi sen mummolle,
niinkuin enkeli oli sanonut.

Kun ihmiset pääsivät kirkosta rekihinsä, alkoi siinä huima kilpa-ajo,

sillä kaikki luulivat, että ken jouluaamuna ajoi kaikista muista edelle
kotimatkalla, hänen pellossaan kasvoi seuraavana kesänä pisintä
pellavaa. Ja moni löi hevostaan piiskalla, mutta Paavo kuuli hevosten
sanovan: "miksi lyöt minua? juoksenhan minä ilmankin, min
enimmän kerkiän."

Paavosta oli hyvin ihmeellistä, että hän kuuli ja ymmärsi hevosten

puheen. Hän ei vielä käsittänyt saamaansa lahjaa: kuulla
äänettömyyden puhuvan. Mutta kohta oli hänen ihmeensä kasvava
vielä suuremmaksi.

Kello oli kohta 8 aamua, mutta vielä oli aivan pimeä ulkona, ilma
oli kylmä, tähdet välkkyivät kirkkaina taivaalla. Silloin Paavo,
ajettaessa jäätä myöten hiljaisten vesien yli, kuuli kaikkein kauneinta
soittoa, kuin kukaan ihminen on kuullut aina ensimmäisestä
jouluaamusta asti, jolloin paimenet kuulivat enkelein laulavan
Betlehemin edustalla. Mitähän se oli? Paavo ei sitä silloin tiennyt,
hänhän ei ollut vielä koskaan kuullut mitään soittoa eikä laulua;
mutta sittemmin hän sen kyllä ymmärsi. Kointähdet siinä ylistivät
Jumalaa.

Se kaikui ilmassa taivaasta tullen ja siihen vastasi toinen kaiku

maasta. Luminen vuori, jäätynyt järvi, kaikki metsän puut, kuusessa
istuva orava, aidalla hyppelevä pakkastiainen, yksinpä valkoinen
jääkin, jossa reki vieri kuin lasikatolla, kaikki sanoivat toinen
toiselleen: "kuulehan, miten tähdet ylistävät Jumalaa Vapahtajan
tulemisesta maailmaan! Laulakaamme heidän kanssansa kaunein
ylistyslaulumme!"

Sen kuuli Paavo, mutta ymmärsikö hän sen myöskin? Ei, hänellä
oli nälkä, hän ajatteli tuoreita jouluvehnäsiä, jotka niin makealta
tuoksusivat uunissa eilen, ja mietiskeli, annetaankohan hänelle oikein
paljo siankinkkua päivälliseksi. Kun kotiin saavuttiin, paistoi äiti eilistä
puuroa aamiaiseksi, ja Paavo kuuli puuron sanovan puulusikalle: "älä
kaikkea syö, jätä vähän isällekin!"

Se huvitti Paavoa sanomattomasti, ja sen hän ymmärsi paremmin

kuin tähtien ylistyslaulun. Hän nauroi niin, ett'ei syödessä puuro ollut
pysyä lusikassa, ja puhui merkitsemällä äitilleen: "puuro sanoo: jätä
vähän isällekin!"

"Senpä puuro puhuu viisaasti", vastasi äiti, "sillä onhan nälkä

isälläkin."

Paavo aikoi juuri ottaa lusikkansa oikein täyteen siitä vähäisestä,

mitä vadin pohjassa enää oli, kun hän sisällään kuuli merkillisen
selvän äänen, joka tuntui tulevan sydämmestä ja sanovan hänelle:
"isä nousi niin aikaisin ylös ja kyyditsi sinua kirkkoon; kuinka raaskit
syödä loppuun hänen niukan aamiaisensa?"

Paavo punastui häpeästä ja pani pois lusikan. Hän ymmärsi

olleensa vähällä tehdä vallan väärin, mutta ei vielä ymmärtänyt,
kuka häntä varoitti. Ehkäpä sinä sen paremmin tiedät. Suokoon
Jumala, että kaikki ihmiset kuuntelisivat sitä äänetöntä ääntä, joka
puhuu heidän sydämmissään, milloin he tekevät väärin. Se on
omantunnon ääni.
 Tästä alkaen Paavo yhä paremmin tottui kuulemaan
äänettömyyden puhuvan. Hän kuuli auran sanovan pellolla kivelle:
"siirryppä syrjään, että saan tehdä sarkani hedelmälliseksi!" Muikku
löi päänsä jäähän ja sanoi: "täällä on järvessä niin pimeä!"
Pajupensas sanoi pilvelle: "miksi pimität aurinkoa, ett'en saa auaista
untuviani?" Aita sanoi vieressä seisovalle kuuselle: "lainaas minulle
seiväs tueksi, etkö näe, että aivan kohta muuten kaadun?" Kaivo
sanoi kiululle: "jos vielä kerran sysäät minua sivuun, niin et
pääsekään enää ylös." Vuokko sanoi Paavon jalalle: "ole niin
ystävällinen, ett'et tallaa minua kuoliaaksi!" Karpalo sanoi Paavon
kädelle: "kyllä saatat poimia minut, en minä ole liian hapan, kun vain
saan vähän siirappia sekaani." Ja lakki sanoi Paavon päälle: "jos
heität minut puroon, niin karkaan minä pois."

Kesän tultua kuuli Paavo ruohon sanovan niityllä: "nyt minä

kasvan, että riittää!" Pelto sanoi ojalle: "hyvä oja, annas minulle
vettä, kun minulla on niin kova jano!" Metsä sanoi kaskelle: "varo
tulta, kärvennäthän tukkani!" Vesi sanoi veneelle: "tekeekö mielesi
kiikkua?" Ja suuri avara maa, Paavon maa, meidän maamme, sanoi
taivaan auringolle: "rakas aurinko, lue iltasiunauksesi, kun menet
maillesi, ja rukoile Jumalaa, että huomenna saisit paistaa oikein
lämpimästi ja antaa lihavia laihoja minun rakkaille lapsilleni!"

Paavo oli jo niin tottunut tähän kaikkeen, ett'ei se hänestä enää

ollut vähääkään ihmeellistä. Mutta omantunnon puhe häntä
ihmetytti. Joka kerran, kuin hän yritti tekemään jotakin pahaa, sanoi
omatunto: se on "väärin!" Ja joka ilta, milloin hän oli tottelevainen ja
ahkera, nöyrä ja kuuliainen, sanoi omatunto: "se on oikein!" Vaan
jos hän milloin yritti valehtelemaan, oli hän pahimmassa pulassa;
silloin omatunto itki. Ja milloin muut olivat hänelle olleet hyvät, vaan
hän sen sijaan kiittämätön, silloin äänetön ääni hänen sisällänsä
myöskin itkeä nyyhkytti. Sitä ei Paavo jaksanut kuulla. Hänen piti olla
rehellinen, kiitollinen ja hyvä kaikkia kohtaan, muuten hänellä ei ollut
rauhaa siltä ijankaikkiselta ääneltä, joka lakkaamatta varoitti, rankasi
tai hyväksyi kaikkia hänen tekojansa.

Paavo mietiskeli, kuulivatkohan muutkin ihmiset sisällänsä sellaista

merkillistä ääntä. Hän melkein arvasi joka ihmisellä olevan jotakin
samankaltaista, mutta se oli syvällä isän sarkamekon ja äitin
villaliivin alla, ett'ei Paavo oikein voinut kuulla niin syvälle. Muistipa
hän sentään yhden tapauksen, kun pitkä Penttu viskasi kissan
kaivoon ja kumartui katsomaan, miten kissa hukkuu. Silloin sattui
Penttu itsekin putoamaan kaivoon ja olisi varmaankin hukkunut, ell'ei
Paavo olisi suurella vaivalla laskenut alas raskasta ämpäriä ja
pelastanut sekä Penttua että kissaa heidän pahimmasta hädästään.
Silloin luuli Paavo kuulevansa Pentun omantunnon sanovan:
"muistatko, miten usein olet tehnyt pilkkaa kuuromykkä raukasta ja
nyt hän pelasti sinun henkesi!"

Toisen kerran oli Paavo huomaavinaan Liisun omantunnon

puhuvan. Liisulla oli kana, jota hän hyvin rakasti, ja Paavo oli
asettanut kanakopin viereen suuren, raskaan rotanpyydyksen,
koskapa rotat niin usein söivät kanain munia. Eräänä aamuna oli
Liisun kana astua riputellut ulos saamaan suuhunsa jotakin hyvää, ja
kun Paavo meni katsomaan pyydystänsä, oli sen alla kana kuolleena
ja ihan litteänä. No, tietysti Liisu siitä hyvin pahastui ja harmistui;
niin hän pahastui, että yritti lyömään Paavoa. Mutta samassa kuuli
Paavo Liisun omantunnon sanovan: "mitäpä löisit kunnon pojasta,
hänhän vain tahtoi avittaa sinua ja suojella munia rotilta?" Liisu
häpesi, halasi Paavoa kaulasta ja lohdutteli sanoen: "älä ole
pahoillasi, Paavo; kyllähän minä tiedän, että tahdoit hyödyttää meitä
rotanpyydykselläsi."
 Paavo kasvoi suureksi pojaksi. Satuttipa silloin Jumala niin, että
pappi tuli lukusille Paavon kotikylään ja näki taitamattoman Paavo
raukan. Ja koska äskettäin oli kaupunkiin perustettu koulu
kuuromykille lapsille, lähetti pappi Paavon kouluun. Siellä sai Paavo
oppia lukemaan ja kirjoittamaan, oppia parempaa tietoa taivaan
Isästä ja Jumalan Pojasta Vapahtajastamme, kuin hänellä pikku
poikana oli, jolloin hän oli niin ymmärtämätön, että luuli 10 pennillä
voivansa palkita Jumalaa. Ja sitä paitsi sai Paavo myöskin oppia
hyvän käsityön. Hän oli ahkera, tarkka ja taitava, ja pian hänestä tuli
niin kätevä puuseppä eli nikkari, ett'ei kukaan koko pitäjässä osannut
tehdä niin kauneita tuoleja ja kunnollisia pöytiä kuin Paavo. Kaikki
pitivät hänestä, kun hän oli hyvä ja rehellinen mies, aina armelias ja
aina totinen. Paavo kyllä tiesi, ketä hänen tuli kiittää siitä, ja hän
ylisti Jumalaa, että omatunto on Jumalan ääni ihmissydämmessä.

Kun hänellä oli oma työhuone, arveli hän, ett'eipä hän suinkaan
voisi saada parempaa vaimoa kuin Liisu, jos vain Liisu huoli hänestä
raukasta, joka oli kuuromykkä. Mutta kas, Liisu ei ollutkaan
taipumaton tulemaan hänen vaimoksensa; hän kyllä tunsi Paavon ja
tiesi voivansa tosin saada miehen, joka olisi vähemmin vaiti, mutta ei
parempaa miestä. Hyvin onnellinen pari heistä tulikin. Heidän
lapsensa osasivat kaikki kuulla ja puhua, ja kun heidän
vanhempansa ja sisaruksensa usein kävivät heitä tervehtimässä, oli
Paavon äitillä tapana sanoa pikku pojalle, kun näki paistettua puuroa
pöydällä: "ettekö kuule, kun puuro sanoo lusikalle: älä syö kaikkea,
jätä vähän isällekin!" Silloin nauroi Paavo ja merkitsi, niinkuin hänen
äitinsä oli ennen muinoin merkinnyt hänelle: "sen puhui puuro hyvin
viisaasti!"

Eräänä päivänä tuli köyhä juopporenttu ja pyysi yösijaa

työhuoneesen. Se oli Penttu. Paavo otti hänet rengikseen, opetti
hänelle käsityötä ja sai viimein ilokseen nähdä Pentusta tulevan
kunnon miehen.

No, mitäpä nyt enää olisi kertomista Paavosta? Se, että kun
ihminen oikein sydämmestään jotakin rukoilee Jumalalta Jesuksen
nimeen, niinkuin Jumalan sana meitä opettaa, niin saa hän aina
varmaan uskoa, että Jumala kuulee hänen rukouksensa. Mutta
Jumala ei kuule meitä aina, niinkuin itse ajattelemme, vaan antaa
sen sijaan jotakin vielä parempaa. Eihän ketään kummastuta, että
kuuromykkä poika raukka rukoilee Jumalaa opettamaan häntä
puhumaan ja kuulemaan. Ne ovat kaksi suurta Jumalan lahjaa, joista
kaikkein, jotka ne ovat saaneet, tulee kiittää ja ylistää Luojaansa.
Mutta Jumala antoi sen sijaan Paavolle jotakin, joka oli vielä
parempaa kuin kuulo ja puhe: kuulla äänettömyyden puhuvan, joka
Paavolla merkitsi samaa kuin alinomaa ja minkään häiritsemättä
kuunnella omantunnon ääntä. Kun Paavo sellaisesta Jumalan
armosta tuli hyväksi ihmiseksi, oli se hänelle parempi kuin kuulla ja
puhua kuinka paljon hyvänsä maailmassa ja tulla rentuksi kuin
Penttu.

Mutta jos sinua kummastuttaa, että Paavo, vaikka olikin

kuuromykkä, kuuli metsän ja veden ja tähtein ja kaiken muun
äänettömän puhuvan, niin tiedä, ett'ei se olekaan mitään harvinaista
tai tavatonta, sillä kuulevathan samaa melkein kaikki lapset. Kun sinä
leikittelet nukkiesi kanssa tai leikit kivillä vuorella ja kuusenkävyt
ovat sinulla lehminä ja puutikut vieraina, niin kuulethan niiden aina
puhuvan ja vastaavan. Ikäänkuin ei muka koivu osaisi puhua sinulle
kevätiltana tai puola huutaa mäeltä hyvää huomenta! Eihän se ole
kummallista ollenkaan.
SIPI ILONEN

"Kuka tahtoo nähdä kaappiani? Eikö kukaan huoli katsella koko

maailman merkillisintä kapinetta?" huuteli Sipi Ilonen. Ja hän asetti
kaappinsa neljän seipään päähän portin eteen. Kaikki, mitä talossa
oli ihmisiä, suuret ja pienet, ukot ja ämmät, pojat ja tytöt, juoksivat
kumoon toinen toisensa, huutaen: "Sipi Ilonen on tuolla
kuvakaappinensa!"

"Huomatkaa jo!" huusi Sipi Ilonen, "nyt alkaa näytäntö!" Ja hän

väänsi kampia kaapin sivusta; sen etusivu aukesi, koko joukko
kauneita nukkeja astui esiin ja teki kaikenmoisia sukkeloita
temppuja. "Lakit pois päästä, pojat! Tässä tulee keisari Napoleon
suuren kotkansa, kenraaliensa, sotamarskiensa ja
rosvopäällikköjensä keralla. Huomatkaa, miten suuri hän on, kuusi
tuumaa pitkä, päätänsä pitempi Espanjan kuningasta ja kuuhun
tarttunutta ukkoa. Varokaa, sotamiehet tulevat, pyssyt olkapäällä;
pois tieltä, pojat, nyt tulee sota! Trrrm, rummut pärisevät. Näettekö
tuota pientä rummuttajaa, joka astuu suorana kuin rautanaula
keisarin henkivartiaväen etupäässä, noiden, joilla on
karhunnahkalakit päässä? Hänpä vasta näyttää uljaalta. Ja
päärummuttaja tuossa, hän puhaltaa kumoon kokonaiset rykmentit;
tehkääpäs perästä, jos osaatte!… Hih hei, tuolla englantilaiset
purjehtivat laivastollaan tänne päin… jum! jym! kanuunat
paukahtelevat…"

"Hyvä Ilonen, antakaahan niiden paukahdella vähän kovemmin",

pyyteli vanha Kaisa, päässänsä punainen myssy. "Merkillistä, ett'en
minä kuule mitään, vai lienenkö tullut umpikuuroksi."

"Niin, en minäkään kuule mitään", ärähti Laiska-Jaakko, joka oli

istuutunut nurmikolle, kun ei ollut tuolia käsillä. "Onhan minulla aika
pitkät korvat enkä kuitenkaan kuule mitään."

"Olkaa vaiti!" tiuskasi Sipi Ilonen. "Luuletteko te kuuluvan

kanuunain äänen, kun ihmiset surisevat kuin paarmat kaapin
ympärillä?"

"Mutta minä en näe mitään", nyyhkytti torpparin pikku Reetta,

joka oli vain kelpo vispilän pituinen ja seisoi räätälin Antin takana,
jolla oli yllään leveä sarkatakki. "Minä en näe mitään, minä!"

"Pankaa suunne lukkoon!" torui Sipi Ilonen taas. "Minä sanon, että
nyt tulevat englantilaiset ja kanuunat paukkuvat; ell'ette sitä kuule,
niin ainakin näette kanuunat. Nyt kaalaa pikku Napoleon koko
armeijansa kanssa veteen…"

"Eihän tuossa mitään vettä näy", huomautti Kaisa.

"No, ell'ette näe vettä, niin kuulette sen ainakin", sanoi Sipi Ilonen
äkeissään. "Huh, miten meri pauhaa ja aallot kohisevat ja laivat
varustautuvat taisteluun! Ja nyt keisari Napoleon sieppaa yhden
linjalaivan kumpaankin kainaloonsa ja marssii rannalle."

"Enhän minä näe mitään rantaa", virkkoi räätälin Antti.

 "Vaiti siellä! Voipihan pikku lapsikin ymmärtää, että ranta on
kaapin takana. Tässä tulee turkkilaisia, tattareja, mamelukkeja,
melumestareja ja muita ihmissyöjiä. Nyt he sivaltavat pitkät
sapelinsa ja ryhtyvät tappelemaan. Niksis! tuossa juuri löi eräs pään
poikki toiselta…"

"Mitä?" huusi Kaisu, "rupeavatko he tappamaan toisiansa?"

"Viekää sana nimismiehelle!" virkkoi Laiska-Jaakko ruoho-

istuimeltaan, itse edes hievahtamattakaan.

"Minua pelottaa, niin hirveästi pelottaa", parkui pikku Reetta ja

alkoi kohti kurkkuaan itkeä.

"Mitä melua tämä on?" ärjäsi Sipi Ilonen. "Sellainenko täällä on

järjestys, ett'ei saada toisiaan surmata rauhassa? Huomatkaa, nyt
tulee jotain muuta! Tuossa astua sipsuttelee kolme räätäliä pitkin
tietä, riidellen, kuka heistä on raskain mies. Heidän jäljestänsä ajaa
talonpoika ja saavuttaa heidät. Onko sinulla puntaria, ukko? Ei
muuta kuin luotipuntari, hyvät herrat. Ota esille; riittää sekin. Ja
talonpoika punnitsee räätälit luotipuntarilla; yksi painaa yhden,
toinen kaksi ja kolmas kolme luotia. Niin, tiesihän minä olevani
raskain mies, sanoo hän, joka painoi kolme luotia. Ei, malttakaahan,
huutaa talonpoika, ottakaa pois taskustanne rauta ja sormustin! Ja
raskain räätäli punnitaan uudestaan, mutta silloin hän painaa
ainoastaan puoli luotia."

"Se ei ole totta!" väitti räätälin Antti suuren sarkanuttunsa sisältä.

"Se ei ole totta, sillä nuo ovat vain puukuvia. Räätäli on toki toista.
Ettekö ole lukeneet siitä urhollisesta räätälistä, joka löi seitsemän
hengettä yhdellä iskulla?"
 "Nyt tule kaunista", sanoi Sipi Ilonen. "Tässä tulee Suuri Mogul
hovinensa. Hän on niin lihava, että hänellä on neljä vannetta
vatsansa ympäri, kaikki puhtaasta kullasta. Hänen jälkeensä tulee
rouva Mogul, hänen äitinsä, ja on niin laiha, että hän katketa
ripsahtaa kuin oljenkorsi, ja jäljestä kaikki hovilaiset astua
sipsuttelevat varpaisillaan, sillä sellainen on tapa siinä hovissa. Nyt
alkaa tanssi: Suuri Mogul tarjoaa käsivarttansa prinsessa
Sinitaivaalle, pyytäen häntä polskaan. Ei, kiitoksia, sanoo hän,
minulle on sattunut puikko jalkaan. Ei siitä lukua, sanoo Mogul.
Soittaja soittaa ja he tanssivat. Mutta nyt yht'äkkiä katkeaakin yksi
vanne Mogulilta."

"Ei, nyt minä lähden tieheni", sanoi suutarin Leena. "En minä kärsi
tuota nähdä, hän aivan halkeaa."

"Ei hätää", lohdutteli Sipi Ilonen. "Tässä tulee kultaseppä

palkeineen ja pihtineen; hän liittää vanteen jälleen eheäksi. Nyt koko
hovi tanssii fandangoa. Jättiläinen Kamilas pyytää tanssiin prinsessa
Kultakutrin ja Knut Soittelija on saanut Rikkaan Arabian sata rouvaa
yhden kuhunkin kainaloonsa."

"Mitä hullua?" ihmetteli Kaisu. "Onko hänellä yksi kussakin

kainalossa?
Mistä hän on saanut niin monta kättä?"

"Hän on tehnyt ne makkarapuikoista", vastasi Sipi Ilonen. "Nyt on

kaikki, niinkuin olla pitääkin, mutta ei ole muistettu kutsua kuusta
ukkoa, joka on tavallisesti kaikkein paras tanssittaja kaikissa häissä.
Niinpä hän yht'äkkiä tuo koko armeijan kuun asukkaita…"

"Onko kuussakin ihmisiä?" kysäsi räätälin Antti ja kumartui kaapin

päälle paremmin näkemään.
 "Tietysti", sanoi Sipi Ilonen. "Kuussa on aivan samanlaista kuin
maan päällä, paitsi että siellä on kuutamo lakkaamatta. Se myöskin
on merkillistä, että kuussa kaikki on ylösalaisin tämän maan suhteen.
Tuossa näette kuun ukon kaiken väkensä kanssa. He seisovat
päälaellaan ja astuvat käsillänsä; tehkääs perästä, pojat!"

"Ei se mikään konsti ole", sanoivat pojat.

"Nyt he tulevat tanssisaliin", jatkoi Sipi Ilonen selittelyään. "Ettekö

huomaa, että heillä on päällyssaappaat käsissä ja hatut jaloissa?
Neljä kertaa neljä ja neljäkymmentä tuhatta heitä on. Nyt he
kääntävät mullin mallin Suuren Mogulin ja koko hänen hovinsa…"

Riks! raks! Siinä makasi kaappi maassa. Sipi Ilonen aivan hurjistui.
"Kuka uskalsi sysätä minun kaappini kumoon?"

"Räätälin Antti sen teki", vastasi Laiska-Jaakko. "Hän kumartui

katsomaan kuun ihmisiä ja hoipertui kaapin päälle…"

"No eihän; kuuluihan se asiaan, pitihän kaikki kääntää ylösalaisin!"

ilvehti Kaisa.

"Ottakaa kiinni varas!" kiljui Sipi Ilonen. "Antti, Antti, vanteet ovat
pudonneet Suurelta Mogulilta ja hänen äitinsä on katkennut aivan
keskeä poikki!"

"Niin, ottakaa hänet kiinni!" kehoitti Laiska-Jaakkokin, ojentautuen

vielä pitemmäksi nurmikolle. Mutta Antti oli jo matkan päässä
pakosalla.

"Kuulkaas nyt, hyvät ihmiset", sanoi Sipi Ilonen, "oletteko kuulleet

puhuttavan luonnon järjestyksestä? Nyt on Antti tehnyt pahan
häiriön luonnon järjestykseen. Ymmärrättehän, minun pitää astua
kaupunkiin ostamaan korumessinkiä kruunuksi keisari Napoleonille.
Tässä on hattuni; pankaa ropo kuun ukolle ja muutamia
parsinneuloja mastoiksi Englannin laivastoon! Kas niin, noin sen
pitää helisemän! Kiitoksia, hyvät ihmiset! Älkää huoliko positiivin
vääntäjistä, se on vain tyhjää vingutusta, joka ei maksa rikkinäistä
nappiakaan. Minä tulen toistekin, minä tulen neljäntoista keisarin
kanssa. Jääkää hyvästi, miehet ja vaimot! Jääkää hyvästi, pojat ja
tytöt! Minä palaan ensi keskiviikkona."

Sipi Ilonen läksi astumaan kaupunkiin, kaappi seljässä. Mutta

sinnepä olikin matkaa runsaasti puoli peninkulmaa, ja ennenkuin hän
ehti puolitiehenkään, tuli iltahämärä. Varsin pimeä ei ollut, sillä
täyskuu paistoi kirkkaasti puiden ylitse. "Yö on kaunis", ajatteli Sipi
Ilonen; "minä käyn makaamaan tähän maantien vierelle." Ja niin hän
tekikin, pannen kaapin päänsä alle.

Väsyksissä Sipi Ilonen kyllä oli, mutta maata hän ei kuitenkaan

voinut, sillä hänestä tuntui olevan liian korkealta kattoon. "Tämäpä
on kummallista", sanoi hän itsekseen, "kun tuo pyöreän palleroinen,
juustonaamainen kuu minua noin katselee. Aivanhan minä selvään
näen ukon ja akan. Heidänpä pitäisi kiittää minua, että minä niin
kauniisti valehtelin heistä yksinkertaiselle kansalle." Kuun ukko ja
akka eivät vastanneet. Oli niin hiljaista, hiljaista, hiljaista taivaassa ja
maan päällä. Yön suuri lyhty vaelsi äänettömästi pitkin sinitaivaan
kantta, himmentäen tähtien loistoa.

Sipi Ilosta harmitti, että kuu alinomaa vain katseli häntä eikä
antanut hänen nukkua. "Miksi minua yhä katselet?" kysyi hän.

"Vetelys raukka!" sanoi kuu.

 "Mitä? Rupeatko minua vielä hävyttömyyksillä solvaamaan? Enkö
minä ole taiteilija? Enkö minä ole rikkain ja mahtavin mies maan
päällä? Minun kaappiini mahtuu kaiken maailman ihanuus ja kunnia;
armeijat ja laivastot tottelevat minun käskyjäni; kuninkaita ja
keisareja minä korotan valtaistuimille ja niiltä jälleen sysään alas
aivan mieleni mukaan…"

"Vetelys raukka!"' sanoi kuu uudestaan. "No, tuollapa vain ei ole

ymmärrystä senkään vertaa kuin messinkinapilla!" ihmetteli Sipi
Ilonen. "Kukapa jaksaisi kuunnella moista tyhmää puhetta? Kas
siinähän oletkin, pohjantähti, melkein suoraan pääni päällä. Älä vain
tipahda minulle keskelle naamaa; kerro ennemmin kuulle, mikä mies
minä olen."

"Ilvehtijä!" vastasi pohjantähti.

"Vai niin, räpyttäjä, luulitko nyt olleesi hyvinkin sukkela? Kysyppäs

auringolta, eikö minun korumessinkini ole yhtä hyvä kuin hänen
kultansa. Mutta kas, tuossahan lentää kotka. Hoi, kotka, sanos kuulle
ja tähdille, mikä mies minä olen!"

"Sinä olet minulle aivan sopiva aamiainen, onkimato", vastasi

kotka, löi suoraa päätä alas Sipi Iloseen, iski kyntensä hänen
repaleiseen mekkoonsa ja nosti hänet korkealle yli puiden latvain.

"Ei, maltahan!" huusi Sipi Ilonen, "odota tulevaan kevääsen, minä

olen niin laiha kesällä. Tuolla kylässä asuu hyvin pehmoinen räätäli ja
lihava laiskiainen. Uskallanko kysyä, kuka te, herra, olette, ja mihin
matka vetää?"

"Minä olen keisari Napoleonin kuuluisa kotka ja nyt juuri matkalla

kuuhun etsimään keisarin kruunua. Sen sanotaan olevan siellä
Welcome to our website – the perfect destination for book lovers and
knowledge seekers. We believe that every book holds a new world,
offering opportunities for learning, discovery, and personal growth.
That’s why we are dedicated to bringing you a diverse collection of
books, ranging from classic literature and specialized publications to
self-development guides and children's books.

More than just a book-buying platform, we strive to be a bridge

connecting you with timeless cultural and intellectual values. With an
elegant, user-friendly interface and a smart search system, you can
quickly find the books that best suit your interests. Additionally,
our special promotions and home delivery services help you save time
and fully enjoy the joy of reading.

Join us on a journey of knowledge exploration, passion nurturing, and

personal growth every day!

ebookbell.com